Firmenblog über Mingjiada liefert Navitas GeneSiC-Serie SiC-MOSFETs, liefert G3F und G3R Siliziumkarbid-MOSFETs

Mingjiada liefert Navitas GeneSiC-Serie SiC-MOSFETs, liefert G3F und G3R Siliziumkarbid-MOSFETs

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.Als führender Anbieter der Navitas GeneSiC-Serie von Siliziumcarbid (SiC) MOSFET-Produkten in der Strom-Halbleitungsindustrie der nächsten GenerationNavitas – GeneSiC SiC-Geräte haben neue Leistungsstandards in Hochspannung gesetzt, hochfrequente und zuverlässige Anwendungen dank ihrer innovativen "trench-assisted planar gate"-Technologie.

Die von Mingjiada Electronics gelieferten Navitas SiC MOSFETs sind hauptsächlich in zwei Serien unterteilt, die jeweils für verschiedene Anwendungsszenarien optimiert sind:
Navitas® GeneSiC MOSFET-Serie verwendet keine herkömmlichen planaren oder Gräben-Gatterstrukturen, sondern eine einzigartige "gräbengestützte planare Tortechnologie".Dieses innovative Design vereint die Robustheit eines ebenen Tors mit den Leistungsvorteilen eines Gräbentors.
1. Gen-3 Fast (G3F) Serie: Das ultimative Streben nach Geschwindigkeit und Effizienz
Die G3F-Serie ist speziell für Anwendungen konzipiert, die die schnellsten Schaltgeschwindigkeiten und höchsten Wirkungsgrad erfordern.Diese Serie richtet sich in erster Linie an Systeme mit hoher Frequenz und hoher Leistungsdichte, wie z. B. Stromversorgungen für Server von KI-Rechenzentren, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und schnelle Gleichstromladestationen.
Haupteigenschaften: Ultra-niedrige Schaltverluste, optimierte Leistung bei harten Schaltvorgängen.
Nennspannung: Erhältlich hauptsächlich in 650V (für 400V-Batteriearchitekturen) und 1200V (für 800V-Batteriearchitekturen).
Pakettypen: Einschließt Industrie-Standardpakete wie D2PAK-7L (TO-263-7), TOLL (TO-Leadless) und TO-247-4.
2. Gen-3 Robust (G3R) Serie: Eine robuste Abwehr für Robustheit und Zuverlässigkeit
Die G3R-Serie konzentriert sich auf extreme Robustheit und hohe Zuverlässigkeit und eignet sich somit für industrielle Szenarien mit extrem anspruchsvollen Haltbarkeitsanforderungen.Geräte dieser Serie verfügen in der Regel über eine höhere Lawinenbeständigkeit und eine stärkere Kurzschlussfestigkeit.
Haupteigenschaften: Extrem geringer Widerstand, schnelle und zuverlässige Karosserie-Dioden und hohe Schwellenspannung zur Steigerung der Systemstabilität.
Spannungsbewertungen: Modelle mit Spannungsbewertungen von 1200 V und höher (z. B. 1700 V), die den Anforderungen von Hochspannungs-Industrieanwendungen entsprechen.
Typische Anwendungen: Solarumrichter, ununterbrochene Stromversorgungen (UPS), industrielle Antriebe und Traktionssysteme

Mingjiada Electronics ist ein langfristiger Lieferant von SiC-MOSFET-Produkten von Navitas, darunter:
G3F40MT12K
G3F09MT12FB2
G3F17MT12FB2
G3F135MT12J
G3F18MT12FB4
G3F20MT12J
G3F18MT12K
G3F20MT12K
G3F25MT06J
G3F25MT06K
G3F25MT12K
G3F33MT06J
G3F33MT06K
G3F34MT12K
G3F40MT12J
G3F45MT06D
G3F45MT06J
G3F45MT06K
G3F60MT06D
G3F60MT06K
G3F65MT12J
G3F65MT12K
G3F75MT12J
G3F75MT12K
G3F09MT12G3T
G3F25MT06L
G3F33MT06L
G3F45MT06L
G3F60MT06J
G3F60MT06L

Für die aktuellsten Informationen über Lagerbestände, Angebote oder technischen Support besuchen Sie bitte die Website von Mingjiada Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:) für weitere Angaben zur Versorgung.