Mit der rasanten Expansion der KI-Recheninfrastruktur sind die Stromversorgungen von Servern extrem strengen Anforderungen an Leistungsdichte, Umwandlungseffizienz und Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen ausgesetzt. Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. bietet Lieferservice und Rückkauf von Lagerbeständen für die drei CoolSiC™ SiC MOSFET-Serien von Infineon—IMBG75R, IMDQ75R und IMZA75R—die Schlüsselkomponenten für den Aufbau energieeffizienter KI-Server-Stromversorgungen sind.
Warum benötigen KI-Server CoolSiC™ MOSFETs?
KI-Server—insbesondere Systeme, die mit stromhungrigen GPUs (wie NVIDIA H100 und B200) ausgestattet sind—sehen ihre Netzteile (PSUs) zu hohen Leistungsdichten von 6,6 kW oder sogar 12 kW weiterentwickelt. Herkömmliche siliziumbasierte MOSFETs leiden unter hohen Schaltverlusten bei hohen Frequenzen und hohen Spannungen, was zu einem Engpass für Effizienzsteigerungen geworden ist.
Die 750V CoolSiC™ MOSFET G2-Serie der zweiten Generation von Infineon basiert auf einem fortschrittlichen Trench-Siliziumkarbid-Prozess. Im Vergleich zur Vorgängergeneration bietet sie eine Verbesserung des Figure of Merit (FOM) um 20 % bis 35 % und zeichnet sich durch extrem niedrige Schaltverluste, außergewöhnliche thermische Leistung (unterstützt eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C) und hohe Robustheit (100 % Lawinen-Test-Bestehensrate) aus. Diese Eigenschaften machen sie zu einer idealen Wahl für Totem-Pole-PFC- und Hochspannungs-DC-DC-Wandler in KI-Server-Netzteilen und helfen, die Systemeffizienz auf über 97 % zu steigern.
Analyse der drei Serien, Modelle und Gehäuse
Die von Mingjiada angebotenen drei Serien decken unterschiedliche Leistungsbereiche und Gehäusetypen ab, um den vielfältigen Designanforderungen von KI-Server-Netzteilen gerecht zu werden:
1. IMBG75R-Serie (PG-TO263-7-Gehäuse)
Merkmale: Oberflächenmontagegehäuse mit integriertem unabhängigem Kelvin-Source-Pin, der die Auswirkungen von parasitären Induktivitäten auf den Treiber effektiv reduziert; geeignet für automatisierte SMT-Produktionslinien; deckt Anwendungen mit mittlerer Leistung ab.
Verfügbare Modelle:
IMBG75R007M2H, IMBG75R007M2H, IMBG75R011M2H, IMBG75R016M2H, IMBG75R020M2H, IMBG75R025M2H, IMBG75R040M2H, IMBG75R050M2H, IMBG75R060M2H
2. IMDQ75R-Serie (PG-HDSOP-22-Gehäuse)
Merkmale: Verwendet ein Q-DPAK-Gehäuse mit Top-Side-Cooling (TSC), das speziell für kompakte Anwendungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt wurde. Diese Serie unterstützt extrem hohe Ströme (z. B. bis zu 357 A für 4 mΩ-Modelle) und ist somit ideal für Hochstromszenarien in 12 kW KI-Server-Netzteilen, bei denen keine Parallelschaltung mehrerer Geräte erforderlich ist.
Verfügbare Modelle:
IMDQ75R011M2H, IMDQ75R020M2H, IMDQ75R033M2H, IMDQ75R050M2H
3. IMZA75R-Serie (PG-TO247-4-Gehäuse)
Merkmale: Durchsteckgehäuse für einfache Kühlkörpermontage und -austausch. Das 4-Pin-Design umfasst einen Kelvin-Source-Anschluss, um parasitäre Induktivitätsstörungen in Hochstrompfaden zu eliminieren, häufig verwendet in der Hochspannungs-DC-DC-Wandlung.
Verfügbare Modelle:
IMZA75R007M2H, IMZA75R011M2H, IMZA75R016M2H, IMZA75R020M2H, IMZA75R025M2H, IMZA75R033M2H, IMZA75R050M2H
Hinweis: Die Zahlen in den Modellnummern (z. B. 007, 011, 060) stellen typischerweise den Einschaltwiderstand (RDS(on)) dar; je kleiner die Zahl, desto geringer der Widerstand und desto höher die Strombelastbarkeit.
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. bevorratet die oben genannten Serien von echten, Originalprodukten und bietet der gesamten Branche auch Rückkaufdienste für Lagerbestände an. Für Details wenden Sie sich bitte an ihr Büro in Shenzhen, um die neuesten Lagerinformationen und Angebote zu erhalten.
Kontaktinformationen
Kontakt: Herr Chen
Mobil: +86 13410018555
E-Mail: sales@hkmjd.com
Website: https://www.integrated-ic.com/
Adresse: Räume 1239–1241, Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen
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