Firmenblog über Mingjiada Versorgung Infineon F-RAM Ferroelektrische RAM, Versorgung serieller F-RAM-Speicher, Parallel F-RAM-Speicher

Mingjiada Versorgung Infineon F-RAM Ferroelektrische RAM, Versorgung serieller F-RAM-Speicher, Parallel F-RAM-Speicher

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt. - ein langjähriger Lieferant des gesamten Sortiments von Infineon-Speicherprodukten, einschließlich serieller ferroelektrischer RAM (F-RAM) und paralleler ferroelektrischer RAM (F-RAM).Diese Geräte kombinieren die Hochgeschwindigkeits-Lese-/Schreibfähigkeiten von RAM mit der Nichtflüchtigkeit von ROM; ihre Hauptvorteile liegen in der hohen Schreibgeschwindigkeit, dem ultra-niedrigen Stromverbrauch und der nahezu unbegrenzten Lese-/Schreibdauer.Mingjiada Electronics hält Bestände von Mainstream-Modellen aufrecht und unterstützt sowohl kleine Chargenproben als auch Großbestellungen; unterstützt durch ein effizientes Logistiksystem, sorgen wir für eine schnelle Lieferung der Produkte.

F-RAM (ferroelektrische Zufallsspeicher oder FeRAM)ist ein eigenständiger, nicht flüchtiger Speicher, der kritische Daten im Falle eines Stromausfalls sofort erfasst und speichert. Er eignet sich hervorragend für Anwendungen zur Datenerfassung von missionskritischen Aufgaben,mit einer Leistung von mehr als 50 W, Kontroll- und Durchsatzgeräte oder Patientenüberwachungsgeräte zur Verbesserung der Lebensqualität.

Mingjiada Electronics liefert folgende Infineon-Ferroelektrische Serien-F-RAM-Speichergeräte:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.: 256-Kbit (32K × 8) serieller ferroelektrischer RAM (F-RAM) mit SPI-Schnittstelle, die mit bis zu 40 MHz arbeitet.

Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.: 512-Kbit (64K × 8) serieller F-RAM mit hochfester nichtflüchtiger Speicherleistung, Betriebsgeschwindigkeit von 2,0 V bis 3,6 V, Temperaturbereich von 40 °C bis +85 °C, SPI-Busgeschwindigkeit bis 40 MHz,und Unterstützung der Modi 0 und 3.

Die Angabe des Zulassungsdatums ist in der Angabe des Zulassungsdatums zu finden.: 1-Mbit (128K × 8) serieller F-RAM-Speicher mit SPI-Schnittstelle, Betrieb bei 2,0 V bis 3,6 V, Unterstützung einer SPI-Taktrate von bis zu 40 MHz, mit NoDelayTM-Schreiben für sofortige Datenspeicherung.

Die in Absatz 1 genannte Angabe wird nicht angewendet.: 2-Mbit (256K × 8) serieller F-RAM-Speicher mit fortschrittlicher ferroelektrischer Technologie, mit einer Betriebsspannung von 2,0 V bis 3,6 V und einem Temperaturbereich von 40 °C bis 85 °C.Unterstützt eine SPI-Schnittstelle mit einer Höchstgeschwindigkeit von 40 MHz und NoDelayTM Busgeschwindigkeitsschreiben.

Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.: 2-Mbit (256K × 8) serieller F-RAM-Speicher mit erweiterter Temperaturfähigkeit, Betriebsgeschwindigkeit von 2,0 V bis 3,6 V, NoDelayTM-Hochgeschwindigkeitsschreibfähigkeit und SPI-Rate von bis zu 33 MHz (Modi 0/3),geeignet für häufige, schnelle nichtflüchtige Speicheranwendungen in der Industrie und in der Medizin.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.: 2-Mbit- (256 K × 8) serieller F-RAM-Speicher, Betriebsgeschwindigkeit von 2,0 V bis 3,6 V, Temperaturbereich von 40 °C bis +85 °C; verfügt über eine SPI-Schnittstelle von höchstens 40 MHz für schnelles und verzögerungsfreies Schreiben,für Anwendungen geeignet, bei denen häufiges oder schnelles Schreiben erforderlich ist, wie z. B. industrielle Steuerung und Datenerfassung.

Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen:: 256 Kbit (32 K × 8) paralleler ferroelektrischer RAM (F-RAM) in einem 28-Pin-SOIC-Paket, kompatibel mit SRAM und EEPROM. Betriebsspannung: 4,5 V bis 5,5 V; Temperaturbereich: ¥40 °C bis +85 °C.

Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.: 256 Kbit (32 K × 8) Byte-weites ferroelektrisches Zufallsspeicher (F-RAM), bei 2,7 V bis 5,5 V und in einem Temperaturbereich von 40 °C bis +85 °C betrieben,für Hochfrequenz-Schreib- und Hochverlässlichkeitsanwendungen wie Industrieanwendungen geeignet, Instrumentierung und Datenerfassung.

Infineons F-RAM-Speicherlösungen bieten eine Reihe von Funktionen, darunter:
NoDelayTM Write schreibt Daten in Speicherzellen mit Busgeschwindigkeit ohne Setupzeit.
Ferroelektrische Speicherprodukte sind extrem langlebig, mit über 100 Billionen Schreibzyklen, was sie langlebiger macht als Floating-Gate-Speicher.
Ultra-niedriger Stromverbrauch, 200 mal weniger Energie verbraucht als EEPROM und 3000 mal weniger als NOR Flash.
Strahlungsbeständig, unberührt von strahlungsbedingten weichen Fehlern, die Bitflips verursachen.

Weitere Informationen zu den Ferroelektrischen Speicherprodukten von [Infineon] F-RAM oder Fragen zu den Stichprobenpreisen finden Sie auf der Website von Mingjiada Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:) für weitere Angaben zur Versorgung.