Firmenblog über Mingjiada liefert Infineon CoolSiC™ MOSFET-Leistungsmodul, liefert CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET-Modul

Mingjiada liefert Infineon CoolSiC™ MOSFET-Leistungsmodul, liefert CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET-Modul

In den Bereichen New-Energy-Fahrzeuge, Photovoltaik-Energiespeicherung und industrielle Stromversorgung ist die Siliziumkarbid-Technologie (SiC) dank ihrer Kernvorteile geringer Verluste, Hochfrequenzbetrieb und Hochtemperaturbeständigkeit zu einem wichtigen Treiber für die Modernisierung leistungselektronischer Systeme geworden.Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.ist seit langem Lieferant der gesamten Palette der Infineon CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET-Module. Mit einem Lagerbestand, der alle gängigen Modelle abdeckt, unterstützen wir sowohl Kleinserienmuster als auch Großserienbestellungen und verlassen uns auf ein effizientes Logistiksystem, um eine schnelle Produktlieferung sicherzustellen.

Infineon – CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET-Module
Die Infineon CIPOS™ Prime-Serie umfasst Siliziumkarbid-Leistungsmodule, die speziell für Hochspannungsanwendungen mit hohem Wirkungsgrad in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurden. Diese Module integrieren die neueste Generation von CoolSiC™ MOSFET-Chips mit optimierter Gehäusetechnologie und vereinen hohe Leistung, hohe Integration und hohe Zuverlässigkeit, was sie zur bevorzugten Wahl für 6,6 kW–44 kW On-Board-Ladegeräte (OBCs), Hochspannungs-DC/DC-Wandler, industrielle Motorantriebe und neue Energieladestationen macht.

Hauptmerkmale:
Zertifizierung für hohe Zuverlässigkeit auf Automobilniveau: Doppelt zertifiziert nach AEC-Q101 und AQG324, erfüllt die strengen Temperaturwechsel-, Vibrations- und Langzeitstabilitätsanforderungen rauer Fahrzeugumgebungen. Der Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht reicht von -40 °C bis 175 °C und ist somit für extreme Betriebsbedingungen geeignet.
Kompaktes, integriertes Gehäuse: Verwendet ein 44 mm × 28 mm großes, vollständig isoliertes Dual-Inline-Gehäuse (DIP) mit einem integrierten DCB-Substrat aus Aluminiumnitrid (AlN), das eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit bietet; Verfügbar in 4-in-1-Vollbrücken- und 6-in-1-Dreiphasenbrückentopologien, die mehrere SiC-MOSFETs in einem einzigen Modul integrieren, um das Systemdesign erheblich zu vereinfachen und die Anzahl externer Komponenten zu reduzieren.
Verlustarme Hochfrequenzleistung: Ausgestattet mit 1200-V-CoolSiC™-MOSFET-Chips mit einem Einschaltwiderstand (RDS(on)) von nur 20 mΩ. Die Schaltverluste werden im Vergleich zu siliziumbasierten IGBTs um über 50 % reduziert. Unterstützt den Hochfrequenzbetrieb im MHz-Bereich und trägt so zur Verbesserung der Systemeffizienz um 3–5 % bei, während gleichzeitig die Größe der Energiespeicherinduktivitäten und -kondensatoren reduziert und die Stücklistenkosten gesenkt werden.

Mingjiada Electronics ist ein langjähriger Lieferant von [Infineon] CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET-Modulen, einschließlich, aber nicht beschränkt auf die folgenden:
AMF12S18LB2Z
AMF12S25LB2Z
AMF12S36LB2Z
AMF12S54LB2Z
AMF12S62LB2Z
AMM12S18LB1Z
AMM12S25LB1Z
AMM12S36LB1Z
AMM12S36LB1Z2
AMM12S54LB1Z
AMM12S54LB2Z
AMM12S62LB1Z
AMM12S62LB2Z

Darüber hinaus bietet Mingjiada Electronics eine langfristige Lieferung verschiedener elektronischer Komponenten an, darunter integrierte Schaltkreise (ICs), 5G-Chips, neue Energie-ICs, IoT-Chips, Bluetooth-Chips und Automobilchips, und bietet Kunden so ein Einkaufserlebnis aus einer Hand. Mingjiada Electronics verfügt über einen ausreichenden Lagerbestand mit über 2 Millionen Teilenummern elektronischer Komponenten, um sicherzustellen, dass Kunden die benötigten Produkte schnell erhalten können. Das Unternehmen unterstützt sowohl Kleinserien-Musterkäufe als auch Großbestellungen und erfüllt so die Bedürfnisse von Kunden jeder Größe.

Weitere Einzelheiten zum [Infineon] CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET-Modul oder Informationen zu Beispielpreisen finden Sie auf der Website von Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) für vollständige Lieferinformationen.