Firmenblog über Mingjiada liefert EVAL-2ED21814 Evaluation Board, zur Prüfung der Funktionalität und Eigenschaften des 2ED21814S06F Gate Drivers

Mingjiada SupplyEVAL-2ED21814Evaluierungsboard, zum Testen der Funktionalität und Eigenschaften des 2ED21814S06F Gate-Treibers

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Langzeitlieferant des [Infineon] EVAL-2ED21814Evaluierungsboards: Entwickelt, um die Funktionalität und Eigenschaften des 2ED21814S06F-Treibers zu testen. Produktdetails für das EVAL-2ED21814 Evaluierungsboard sind wie folgt:

EVAL-2ED21814 enthält einen Induktivitätstreiber-IC, den 2ED21814S06J, zusammen mit zwei MOSFETs, dem IPP60R280P7, die in einer Halbbrückenanordnung konfiguriert sind. Dieses Evaluierungsboard wurde entwickelt, um die grundlegende Funktionalität und die wichtigsten Merkmale der Silicon-on-Insulator (SOI)-Induktivitätstreiber von Infineon zu testen. Benutzer können die PWM-Ausgangsleistung bewerten, die Ausbreitungsverzögerung, die Strombelastbarkeit und das Verhalten bei hohen Schaltfrequenzen untersuchen. Das EVAL-2ED21814 Evaluierungsboard ermöglicht Dual-Puls-Tests.

Produktname: EVAL-2ED21814 (Evaluierungsboard)
Topologie: Halbbrücke
Betriebsspannung bis zu: 650 V
Versorgungsspannung (Max.): 25 V
Ausbreitungsverzögerung: 200 ns
IC/Verwendete Teile: 2ED21814S06F
EVAL-2ED21814 Produktbild:

EVAL-2ED21814 Produktmerkmale:
Verwendet Infineon SOI-Technologie
100 V negative Spannung mit Transientenfestigkeit
Integrierter Low-Resistance-Bootstrap-Fehler
Speziell für den Bootstrap-Betrieb konzipiert
Unterspannungssperre (UVLO)
Logikbetriebsspannung bis zu –11 V am VS-Pin
Getrennte Logikmasse und Leistungserdung

EVAL-2ED21814 Produktvorteile:
Reduzierte BOM-Kosten und Platzersparnis
50 % Reduzierung der Pegelverschiebungsverluste
Hervorragende Robustheit und Störfestigkeit
Geeignet für Hochstrom-Leistungsausrüstung
Geeignet für Hochfrequenzanwendungen

EVAL-2ED21814 Unterstütztes Produkt (2ED21814S06F), Detaillierte Beschreibung:
2ED21814S06F – 650V, 2,5A Hochstrom-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC im DSO-14-Gehäuse, mit integrierter Bootstrap-Diode
1. Übersicht:
Der 2ED21814S06F ist ein 650 V High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit hohen Strom- und Hochgeschwindigkeitseigenschaften zum Ansteuern von MOSFETs und IGBTs, mit typischen Senken- und Quellströmen von 2,5 A in einem DSO-14-Gehäuse. Basierend auf der SOI-Technologie von Infineon weist das Gerät eine hervorragende Robustheit und Immunität gegenüber negativen transienten Spannungen am VS-Pin auf. Das Fehlen parasitärer Thyristorstrukturen verhindert parasitäres Verriegeln unter allen Temperatur- und Spannungsbedingungen.
2. Merkmale:
Betriebsspannung (VS-Knoten) < +650 V
Negative VS-Transientensicherheit: 100 V
Integrierte ultraschnelle Bootstrap-Diode
Trennung von High-/Low-Voltage-Pins
Unabhängige Logik- und Leistungserdung
Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb
Maximale Versorgungsspannung 25 V
Zweikanalige unabhängige UVLO
200 ns Ausbreitungsverzögerung
HIN, LIN-Eingangslogik
Logikbetrieb am VS-Pin bis zu -11 V
Negative Eingangsspannungstoleranz bis zu -5 V

Mingjiada Electronics unterhält eine langfristige Versorgung des [Infineon] EVAL-2ED21814 Evaluierungsboards. Für weitere Produktinformationen zum EVAL-2ED21814 oder zur Anfrage von Mustern besuchen Sie bitte die offizielle Website von Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) für umfassende Lieferdetails.