Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. ist ein professioneller Lagerlieferant von Infineon GaN HEMT-Transistoren und bietet brandneue, echte Infineon CoolGaN™-Serie GaN HEMT-Transistoren auf Lager. Unser Produktsortiment deckt den gesamten Spannungsbereich von 40V bis 850V ab, einschließlich der G3-Mittelspannungsserie, der G5-Hochspannungsserie, bidirektionaler Schalter (BDS) und Automotive-Grade-Geräte, und bietet Kunden in den Bereichen Schnellladung, Rechenzentren, Photovoltaik-Wechselrichter, neue Energiefahrzeuge und industrielle Stromversorgungen eine One-Stop-Beschaffungsunterstützung für GaN-Leistungsbauelemente.
I. Kern Infineon GaN HEMT Produktserien, geliefert von Mingjiada
Infineon’s CoolGaN™ ist eines der wenigen GaN HEMT-Produktportfolios in der Branche, das sowohl Mittel-/Niederspannungs- als auch Hochspannungsanwendungen abdeckt und gleichzeitig Automotive-Grade-Optionen bietet. Mingjiada hält Lagerbestände der folgenden Serien und unterstützt sowohl Kleinserien-Musteranfragen als auch Massenlieferungen.
1. CoolGaN™ G5 Hochspannungsserie (650V/700V)
Basierend auf der Gate Injection Transistor (GIT)-Technologie ist die G5-Serie für Hochspannungsanwendungen in Industrie und neuen Energien konzipiert. Sie bietet eine Effizienzsteigerung von 3 % bis 5 % gegenüber herkömmlichen siliziumbasierten Lösungen und unterstützt Hochfrequenzschaltungen auf MHz-Niveau. Laut offiziellen Daten von Infineon weisen die 650V G5-Produkte einen Einschaltwiderstand im Bereich von 25 mΩ bis 140 mΩ und einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 70 A auf. Gehäuseoptionen umfassen TOLL, TOLT, DSO TSC, DFN 8×8 und ThinPAK 5×6.
Mingjiada hält die folgenden repräsentativen G5-Modelle auf Lager:
Modell Gehäuse Schlüsselparameter
IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ
IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ
IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ
IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ
IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ
2. CoolGaN™ 600V Industrie-Grade-Serie (e-mode HEMT)
Der 600V e-mode GaN HEMT ist Mingjiadas Hochvolumenproduktlinie für Stromversorgungen für Rechenzentren, Server-SMPS, Telekommunikationsgleichrichter und Wireless-Charging-Anwendungen. Diese Serie verfügt über eine verbesserte (normally-off) Struktur ohne Rückwärtswiederaufladung, eine Anstiegszeit von nur 9 ns, eine Abfallzeit von 13 ns und einen Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht von -55°C bis +150°C.
Zu Mingjiadas repräsentativen Modellen der 600V-Serie gehören:
IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ, DSO-20-Gehäuse, geeignet für Hard-Switching- und Soft-Switching-Halbbrückentopologien wie Totem-Pole-PFC und Hochfrequenz-LLC.
IGOT60R070D1: Top-gekühlte DSO-20-Gehäuse, geeignet für thermische Managementdesigns mit hoher Leistungsdichte.
IGLD60R070D1: LSON-8-Gehäuse, konzipiert für kompakte Adapter und Schnellladung.
IGT60R190D1: HSOF-8-Gehäuse, 190 mΩ Nennwert, geeignet für industrielle Stromversorgungen mittlerer Leistung.
IGLR60R340D1: 340 mΩ Nennwert, geeignet für kostensensitive Hilfsstromversorgungen und Niedrigenanwendungen.
IGLR60R260D1: 600V e-mode GaN HEMT, entwickelt für Hochfrequenz-, Hocheffizienz-Umwandlung.
IGI60F1414A1L: 600V CoolGaN™ Smart Power Stage mit integriertem Gate-Treiber, 140 mΩ, QFN-28 8×8 mm Gehäuse, vereinfacht Systemdesign und Schutzschaltungen.
3. CoolGaN™ G3 Mittelspannungsserie (40V–120V)
Die G3-Serie ist für Mittel- bis Niederspannungsanwendungen wie 48V-Automobilsysteme, USB-C-Schnellladung, Motorantriebe und Telekommunikationsstromversorgungen konzipiert. Sie verfügt über ein RQFN 5×6 / 3.3×3.3 Gehäuse, das mit Silizium-basierten MOSFET-Layouts kompatibel ist, mit einem Einschaltwiderstand von nur 1,1 mΩ bis 2,3 mΩ. Die 40V bidirektionalen Schalter (BDS)-Modelle können herkömmliche Back-to-Back-MOSFETs ersetzen und sparen 50 % bis 75 % an PCB-Fläche.
Repräsentatives Modell: IGO60R070D1 (auch für bidirektionale Schalteranwendungen mit niedriger bis mittlerer Spannung aufgeführt); für eine vollständige Auswahltabelle spezifischer 40V/100V G3-Modelle wenden Sie sich bitte an das Mingjiada-Vertriebsteam.
4. CoolGaN™ Bidirektionaler Schalter (BDS) — Single-Chip Bidirektionale Leitung/Blockierung
Infineon’s CoolGaN™ BDS ist das erste integrierte, bidirektionale GaN-Gerät mit Enhancement-Mode auf einem einzigen Chip in der Branche. Es ersetzt die herkömmliche "Vier-Geräte-Parallel"-Architektur für bidirektionale Schalter durch ein einziges Gerät, was die Stückliste und den PCB-Footprint erheblich reduziert.
Von Mingjiada gelieferte repräsentative Modelle:
IGLT65R055B2: 650V Hochspannungs-Industrie-Grade-BDS im TOLT (Top-Out-Through)-Gehäuse, mit 850V Stoßspannungsfestigkeit; geeignet für bidirektionale Ladestationen, Energiespeicher-PCS, Solid-State-Leistungsschalter und bidirektionale DC-DC-Wandler.
IGK080B041S: 40V Niederspannungs-Allzweck-BDS im Chip-Scale-Gehäuse, entwickelt für miniaturisierte bidirektionale Schaltanwendungen in der Automobil- und Unterhaltungselektronik.
5. CoolGaN™ Automotive-Grade-Serie (100V/600V, AEC-Q101)
Infineon hat AEC-Q101-zertifizierte GaN HEMTs für 48V-Automobilsysteme und On-Board-Ladegeräte eingeführt. Mingjiada bietet die 100V Automotive-Grade-Serie an, die für Zonencontroller, Haupt-DC-DC-Wandler, Hochleistungs-Hilfssysteme und Class-D-Audioverstärker geeignet ist; es liefert auch 600V e-mode GaN HEMTs, die Automobilstandards erfüllen (wie IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU usw.).
II. Warum Mingjiada für die Beschaffung von Infineon GaN HEMTs wählen
Direkt vom Hersteller, brandneu und echt. Alle Infineon CoolGaN™-Produkte bei Mingjiada stammen direkt vom Hersteller oder von autorisierten Kanälen, wodurch keine überholten oder losen Neuteile garantiert werden. Jeder Chip durchläuft eine Qualitätsprüfung, um die langfristige Zuverlässigkeit von Leistungsbauelementen zu gewährleisten.
Vollständige Produktlinie auf Lager, mit schneller Lieferung. Koordinierte Abläufe über zwei Lager in Shenzhen und Hongkong sorgen für einen strategischen Sicherheitsbestand für beliebte CoolGaN™-Modelle. Inlandsversendungen werden innerhalb von 48 Stunden versandt, was eine flexible Umschaltung zwischen F&E-Mustern und Massenproduktionsaufträgen unterstützt und die Markteinführungszeit für Kunden erheblich verkürzt.
Preiswettbewerbsfähigkeit durch Volumeneinkauf. Durch unsere tiefe Partnerschaft mit Infineon und die Vorteile des Großeinkaufs bietet Mingjiada gestaffelte Preise und langfristige Preisbindungsdienste, um Kunden bei der Kontrolle der Stücklistenkosten während der Implementierungsphase der GaN-Lösung zu unterstützen.
III. Typische Anwendungsszenarien
Infineon’s CoolGaN™ GaN HEMTs wurden bereits von Mingjiadas Kundenstamm in den folgenden Kernszenarien eingesetzt:
Schnellladung und Adapter: 600V e-mode und G3 Mittelspannungsbauelemente werden in Hochfrequenz-QR-Flyback-, Totem-Pole-PFC- und USB-C-PD-Stromversorgungen eingesetzt und ermöglichen kompakte Designs mit hoher Leistungsdichte.
Rechenzentrums- und Serverstromversorgungen: Die 650V G5-Serie wird in Server-SMPS mit Titanium-Bewertung und Hochspannungs-DC-Stromverteilung eingesetzt, mit Schaltverlusten, die signifikant niedriger sind als bei siliziumbasierten Super-Junction-MOSFETs.
PV-Wechselrichter und Energiespeicher: G5 650V Bauelemente werden in der DC-AC-Stufe von String-Wechselrichtern und Energiespeicher-PCS eingesetzt und steigern die Effizienz auf über 98 %.
Neue Energiefahrzeuge: 100V/600V Automotive-Grade GaN wird in OBCs, DC-DC-Wandlern und 48V-Zonencontrollern eingesetzt und erfüllt die AEC-Q101-Zuverlässigkeitsanforderungen.
Industrielle Motorantriebe und Solid-State-Leistungsschalter: BDS bidirektionale Schalter werden für Motor-Vorwärts-/Rückwärtssteuerung, Solid-State-Relais und bidirektionale Stromwandlung eingesetzt und vereinfachen die Topologie mit einer Single-Chip-Architektur.
IV. Kontaktieren Sie Mingjiada für die Auswahl und Angebote von GaN HEMTs
Um die aktuelle Lagerverfügbarkeit für die oben genannten Modelle zu prüfen, eine vollständige Auswahltabelle zu erhalten oder kostenlose Muster anzufordern, kontaktieren Sie bitte Mingjiada Electronics:
Kontakt: Herr Chen
Telefon / WeChat: +86 0755-83294757 / 13410018555
E-Mail: sales@hkmjd.com
Adresse: Zimmer 1239–1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Provinz Guangdong
Mingjiada liefert auch Infineon’s GaN-spezifische Gate-Treiber (wie die GaN EiceDRIVER™-Serie) und SiC MOSFETs und unterstützt die One-Stop-Bestellung für GaN+SiC Hybridlösungen.
Ihre Nachricht muss zwischen 20 und 3.000 Zeichen enthalten!
German
