Firmenblog über Mingjiada Große Versorgung mit Infineon IMZC120R007 Siliziumkarbid-MOSFETs: 1200V/7mΩ, TO-247-4 Paket, Lagerbestand in Shenzhen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. (Mingjiada Electronics) ist als professioneller Distributor elektronischer Komponenten auf Lager seit langem ein zuverlässiger Lieferant von originalen Infineon CoolSiC™ Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs. Unter diesen ist der IMZC120R007 (vollständige Modellnummer: IMZC120R007M2H) eines der Flaggschiffprodukte der CoolSiC™ Technologieplattform der zweiten Generation von Infineon. Mingjiada unterhält einen ständigen Lagerbestand in Shenzhen und unterstützt schnelle Lieferungen sowohl für Kleinserienmuster als auch für Großserienproduktionen, um Kunden effiziente und zuverlässige Leistungshalbleiterlösungen anzubieten.

I. Produktübersicht

Der IMZC120R007 ist ein 1200V Siliziumkarbid (SiC) Power MOSFET, der von Infineon Technologies auf den Markt gebracht wurde und zur CoolSiC™ G2 (zweite Generation) Serie gehört. Unter Verwendung fortschrittlicher Trench-Gate-Technologie und der umfassenden Expertise von Infineon im SiC-Bereich erreicht dieses Bauteil einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) und extrem hohe Schaltgeschwindigkeiten, während es gleichzeitig eine ausgezeichnete Hochtemperaturstabilität und Zuverlässigkeit bietet.

Dieses Modell verwendet ein TO-247-4-Pin-Gehäuse (vierpoliger Kelvin-Source-Anschluss), das im Vergleich zu herkömmlichen Dreipol-Gehäusen die Gleichtaktinduktivität im Ansteuerschaltkreis erheblich reduziert, die Schaltleistung deutlich verbessert und die Schaltverluste reduziert, was es besonders für Hochfrequenz- und hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen geeignet macht. Durch sein globales Beschaffungsnetzwerk und sein Distributionszentrum in Shenzhen stellt Mingjiada Electronics die Verfügbarkeit von originalen IMZC120R007 Geräten auf Lager sicher, um die Bedürfnisse verschiedener industrieller und automobiler Anwendungen zu erfüllen.

II. Hauptmerkmale und Vorteile

Extrem niedriger Einschaltwiderstand: Typischer Wert von 7 mΩ (RDS(on)), mit einem Maximum von 9 mΩ (bei 25°C), was die Leitungverluste erheblich reduziert und die Systemeffizienz verbessert

Hohe Sperrspannung: 1200 V VDS, erfüllt die Anforderungen an Hochspannungs-Sammelschienen und ist für 800 V Elektrofahrzeuge und Photovoltaikanlagen geeignet

Geringe Schaltverluste: Dank der ausgezeichneten Hochfrequenzeigenschaften des SiC-Materials sind die Schaltverluste weit geringer als bei siliziumbasierten IGBTs mit vergleichbaren Spezifikationen, was höhere Schaltfrequenzen (bis zu mehreren hundert kHz) ermöglicht und die Größe passiver Komponenten reduziert

Breiter Betriebstemperaturbereich: Sperrschichttemperatur bis zu 175°C, erfüllt die Anforderungen an Langzeitzuverlässigkeit in rauen Umgebungen

TO-247-4-Gehäuse: Der Kelvin-Source-Pin eliminiert die Gleichtaktinduktivität im Ansteuerschaltkreis, was schnellere Schaltübergänge und geringeres Übersprechen ermöglicht und somit die Zuverlässigkeit der Gate-Ansteuerung verbessert

Integrierte Body-Diode: Bietet geringe Rückwärtsdurchlassladung (Qrr), ermöglicht verlustfreie Rückwärtsleitung ohne externe Freilaufdiode (geeignet für synchrone Gleichrichterschaltungen)

Hohe Lawinensicherheit: Bietet eine robuste Lawinensicherheit, was die Systemrobustheit erhöht

Kompatibel mit Standard-Gate-Ansteuerspannungen: Unterstützt 0 V bis 18 V Gate-Ansteuerung (empfohlene Einschaltspannung ist 15 V), gewährleistet Kompatibilität mit bestehenden Treibern

Erfüllt den AEC-Q101 Automobilstandard (für Automobil-Modelle) oder erfüllt die Zuverlässigkeitsanforderungen für Industrieanwendungen

III. Detaillierte Spezifikationen

Die folgenden sind die wichtigsten technischen Spezifikationen für den IMZC120R007 (IMZC120R007M2H):

Produkttyp: Siliziumkarbid MOSFET

Gehäuse / Housing: PG-TO247-4-U07

Anzahl der Kanäle: 1 Kanal

Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 1,2 kV

Id – Kontinuierlicher Drain-Strom: 201 A

Rds On – Drain-Source-Einschaltwiderstand: 20 mOhms

Vgs – Gate-Source-Spannung: -10 V, +25 V

Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: 5,1 V

Qg – Gate-Ladung: 176 nC

Minimale Betriebstemperatur: -55 °C

Maximale Betriebstemperatur: +175 °C

Pd – Verlustleistung: 711 W

Markenname: CoolSiC

Konfiguration: Enhancement

Abfallzeit: 33,6 ns

Vorwärts-Transkonduktanz – Minimum: 60 S

Anstiegszeit: 21,5 ns

Serie: CoolSiC G2

Transistorpolarität: N-Kanal

Transistortyp: 1 N-Kanal

Typ: SiC MOSFET

Typische Ausschaltverzögerung: 76,3 ns

Typische Einschaltverzögerung: 32,4 ns

IV. Typische Anwendungen

Mit seiner herausragenden Leistung von 1200 V/7 mΩ eignet sich der IMZC120R007 für Leistungsumwandlungssysteme mit extrem hohen Anforderungen an Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit, insbesondere für:

Ladestationen für Elektrofahrzeuge: PFC- und DC-DC-Stufen in DC-Schnelllademodulen, die hocheffiziente Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglichen

PV-Wechselrichter: MPPT- und Wechselrichterstufen in String-Wechselrichtern, die die Systemeffizienz verbessern und die Größe reduzieren

Energiespeichersysteme (ESS): Bidirektionale DC-DC-Wandler, die eine effiziente Energieumwandlung ermöglichen

Industrielle Netzteile: Hochleistungs-Schaltnetzteile wie Servernetzteile, Telekommunikationsnetzteile und Galvaniknetzteile

On-Board-Ladegeräte (OBC) und DC-DC-Wandler (erfüllen die Zuverlässigkeitsanforderungen für Automobil-Qualität)

Traktionswechselrichter (Hilfs- oder Hauptantrieb, erfordert Konformität mit AEC-Q101)

Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und aktive Leistungsfilter (APF)

V. Lieferung und Dienstleistungen

Mingjiada Electronics liefert seit langem große Mengen an Infineon IMZC120R007 Siliziumkarbid MOSFETs. Unser Lager in Shenzhen hält einen ständigen Bestandteil dieser Produkte vor. Wir garantieren 100% echte, originale Produkte und bieten folgende Dienstleistungen an:

Flexible Beschaffung: Unterstützt sowohl den Kauf von Kleinserienmustern als auch Großserienbestellungen

Schnelle Lieferung: Auf Lager in Shenzhen; Versand innerhalb von 24 Stunden nach Bestellungseingang

Globale Logistik: Durch die Nutzung unserer Lager in Hongkong und Shenzhen unterstützen wir den nationalen und internationalen Versand

Für den neuesten Lagerbestand, Preise oder um ein Angebot anzufordern, besuchen Sie bitte die Website von Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com) oder kontaktieren Sie unser Verkaufsteam.

Kontaktinformationen:

Mobil: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Adresse: Räume 1239-1241, Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Provinz Guangdong

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