Firmenblog über Mingjiada Electronics Supply STW58N60DM2AG N-Kanal-Stromversorgungs-MOSFET für den Automobilbereich (600V/50A)

Für Anfragen wenden Sie sich bitte an:Produktbeschreibung

Der STW58N60DM2AG ist ein Car-Grade-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics, der die fortschrittliche MDmesh™ DM2-Technologie mit niedrigem Einschaltwiderstand (RDS(on) = 0,052Ω typisch) und hohem Schaltwirkungsgrad aufweist. Der STW58N60DM2AG ist in einem TO-247-3-Gehäuse verpackt, entspricht der AEC-Q101-Automobilzertifizierung und kann zuverlässig in rauen Umgebungen von -55°C bis 150°C betrieben werden, wodurch die langfristige Zuverlässigkeit von elektronischen Automobilsystemen gewährleistet wird.

Mingjiada Electronics, als professioneller Lieferant elektronischer Komponenten, bietet jetzt den STW58N60DM2AG in brandneuer Originalverpackung an, garantiert 100% Originalität, mit einer Mindestbestellmenge von 1 Stück. Der STW58N60DM2AG eignet sich besonders für Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge (EVs), On-Board-Ladegeräte (OBCs) und industrielle Netzteile.

Produktmerkmale

STW58N60DM2AGFür Anfragen wenden Sie sich bitte an: weist die folgenden Kernmerkmale auf:

Hochleistungs-Schaltfähigkeit

600 V Drain-Source-Spannung (Vdss), geeignet für Hochspannungs-Stromversorgungssysteme

50 A Dauer-Drain-Strom (Id) mit erhöhter Spitzenstrombelastbarkeit

Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on) = 60 mΩ @ 25 A, 10 V), wodurch Leistungsverluste reduziert werden

Automobilgerechte Zuverlässigkeit

AEC-Q101-zertifiziert, geeignet für Automobilelektronik (z. B. OBC, DC-DC-Wandler)

360 W maximale Verlustleistung (Pd), optimiert für thermische Leistung 1

Optimierter Gate-Treiber

Gate-Ladung (Qg) von nur 90 nC @ 10 V, wodurch Schaltverluste reduziert werden

Gate-Treiberspannung (Vgs) Bereich ±25 V, kompatibel mit verschiedenen Treiberschaltungen

Niedrige Eingangskapazität (Ciss = 4100 pF @ 100 V), wodurch die Hochfrequenz-Schaltleistung verbessert wird

STW58N60DM2AGFür Anfragen wenden Sie sich bitte an: zeichnet sich außerdem durch schnelle Erholungseigenschaften der Body-Diode, extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität sowie eine 100%ige Lawinentest-Garantie aus. Der Zener-Schutz und die extrem hohe dv/dt-Beständigkeit des STW58N60DM2AG gewährleisten einen stabilen Betrieb auch in rauen Umgebungen.

Wichtige technische Parameter des Für Anfragen wenden Sie sich bitte an: sind wie folgt:

Hersteller: STMicroelectronics

Gehäuse: TO-247-3 (Durchsteckmontage)

Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V

Dauer-Drain-Strom (Id): 50 A @ 25°C

Einschaltwiderstand (RDS(on)): 60 mΩ @ 25 A, 10 V

Gate-Ladung (Qg): 90 nC @ 10 V

Verlustleistung (Pd): 360 W (Tc)

Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C (TJ)

Schwellenspannung (Vgs(th)): 5 V @ 250μA

Eingangskapazität (Ciss): 4100 pF @ 100 V

Puls-Drain-Strom: 200 A

Für Anfragen wenden Sie sich bitte an:Typische Anwendungen

Der

STW58N60DM2AGFür Anfragen wenden Sie sich bitte an:Elektronische Automobilsysteme

On-Board-Ladegeräte (OBC)

DC-DC-Wandler

Leistungsmanagementsysteme für Elektrofahrzeuge (EV)

Industrielle Netzteile

Hocheffizienz-Wandler

Brückentopologie

ZVS-Phasenverschiebungs-Wandler

Andere Hochleistungsanwendungen

Photovoltaik-Wechselrichter

Hochfrequenz-Wandler

Industrielle Steuerungssysteme

Der STW58N60DM2AG eignet sich besonders für Anwendungen, die hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistung erfordern. Die MDmesh™ DM2-Technologie des STW58N60DM2AG reduziert die Energieverluste in Schaltanwendungen erheblich.

Für Anfragen wenden Sie sich bitte an:Ansprechpartner: Herr Chen

Telefon: +86 13410018555 (Herr Chen)

E-Mail: sales@hkmjd.com

Offizielle Website:

https://www.integrated-ic.com/