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Firmenblog über Mingjiada Elektronikversorgung ST STW40N95K5 950V MDmesh K5 N Kanalstrom-MOSFET-Transistoren

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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—— Nishikawa aus Japan

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Mingjiada Elektronikversorgung ST STW40N95K5 950V MDmesh K5 N Kanalstrom-MOSFET-Transistoren
Neueste Unternehmensnachrichten über Mingjiada Elektronikversorgung ST STW40N95K5 950V MDmesh K5 N Kanalstrom-MOSFET-Transistoren

Mingjiada ElektronikVersorgung STDie Ausrüstung ist in Form von950V MDmesh K5 N-Kanal-MOSFET-Transistoren

 

Mingjiada Elektronikversorgung STDie Ausrüstung ist in Form vonMDmeshTM K5 Power MOSFETs: Ideal für hohe Leistung und Zuverlässigkeit

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.¢Langfristige Versorgung (ST)Die Ausrüstung ist in Form von950V, MDmeshTM K5 N-Channel Power MOSFET Transistoren, Im Folgenden finden Sie Produktdetails für den Transistor STW40N95K5:

Teilnummer:Die Ausrüstung ist in Form von

Serie: MDmeshTM K5

Paket: TO-247-3

Typ: MOSFET-Transistoren mit N-Kanal-Leistung

 

Produktübersichten von STW40N95K5

STW40N95K5?? 950V, 38A, 0,110 Ω Typ. MDmeshTM K5 N-Channel Power MOSFET Transistoren in einem TO-247 Paket.

STW40N95K5 Dieser sehr hohe Spannung N-Kanal Power MOSFET Transistor wurde mit MDmeshTM K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, firmeneigenen vertikalen Struktur basiert.Das Ergebnis ist eine drastische Verringerung des Widerstands und der ultra-niedrigen Torladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und hohe Effizienz erfordern.

 

Spezifikation der STW40N95K5

Serie: MDmeshTM K5
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung (Vdss): 950 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anwendungen sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 zu ersetzen.
Schaltvorrichtung (Qg)
Vgs (maximal): ±30V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 100 V
Leistungsausfall (maximal): 450 W (Tc)
Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)
Anbauart: Durch Loch
Lieferantenpaket: TO-247-3
Paket / Fall: TO-247-3


Eigenschaften des STW40N95K5

Die niedrigsten RDS der Industrie (on) x Fläche
Die beste Verdienstzahl der Industrie (FoM)
Ultra-niedrige Torladung
100% Lawinentest
Zener-geschützt


Anwendungen von STW40N95K5

Wechseln von Anwendungen

 

Schematisches Internes Diagramm der STW40N95K5

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Produktfoto von STW40N95K5

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DieDie Ausrüstung ist in Form vonist ein von STMicroelectronics auf Basis der MDmeshTM K5-Technologieplattform entwickeltes Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, das für Anwendungen mit hoher Frequenz und hoher Leistungsdichte entwickelt wurde.Weitere Produktinformationen zu Transistor STW40N95K5, besuchen Sie bitte die offizielle Website von Mingjiada Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:)


Häufig gestellte Fragen
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A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
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