Firmenblog über Mingjiada Electronics Supply ST L6387ED013TR Hochspannungs-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC

Mingjiada Elektronikversorgung STL6387ED013TRHochspannungs-Halbbrücken-Gatter-Treiber IC

L6387ED013TRist ein Hochspannungs-Halbbrücken-Gate-Treiber (Gate Driver IC) der STMicroelectronics® (ST) L6387E-Serie, der in einem SO-8-Paket untergebracht ist. Mingjiada Electronics hält einen langfristigen Vorrat an diesem Produkt,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.

I. Produktbeschreibung
DieL6387ED013TRist ein monolithischer Hochspannungs-Hochseiten-/Niedrigseiten-Gate-Treiber, hergestellt nach dem BCDTM-Prozess "offline", der Halbbrückenschaltkreise mit N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs antreiben kann.Der hochseitige schwimmende Kanal kann einer Bootstrap-Spannung von bis zu 600 V standhalten, während die beiden Ausgangskanäle eine Antriebsleistung von 400 mA (Sinkstrom) bzw. 650 mA (Quellstrom) bieten.Es verfügt auch über eine eingebaute Verriegelungsfunktion, um einen Kurzschluss zwischen den oberen und unteren Transistoren zu verhindern. Der L6387ED013TR integriert eine Bootstrap-Diode und VCC-Unterspannungssperrung (UVLO). Seine Logik-Eingänge sind kompatibel mit CMOS/TTL-Ebenen, und die Ausgänge wechseln in Phase mit den Eingängen,Dies macht es zur bevorzugten Lösung für die Implementierung kompakter und zuverlässiger Leistungsstadientreiber.

II. Spezifikationen (L6387ED013TR)
Antriebskonfiguration: Halbbrücke (Oberseite und Unterseite), unabhängige Doppelkanäle
Antriebslasttyp: N-Kanal-MOSFET / IGBT
Versorgungsspannung VCC: bis zu 17V (typisch 15V)
Hochspannung (Bootstrap): bis zu 600 V
Spitzen-Ausgangsstrom: Quellstrom 400mA / Abflussstrom 650mA
Kompatibilität mit der Logik der Eingabe: CMOS / TTL (VIH ≈ 3,6 V, VIL ≈ 1,5 V)
Aufstiegs-/Abstiegszeit (1nF-Last): tr ≈ 50ns / tf ≈ 30ns
Verbreitungsverzögerung: typische 110 ns (tpHL) / 105 ns (tpLH)
Immunität dV/dt: ±50 V/ns (ganzer Temperaturbereich)
Schutzfunktionen: VCC-Unterspannungssperre (UVLO), eingebaute Verriegelung
Einbaudiode mit Bootstrap: Ja
Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +125°C (Kopplungstemperatur)
Verpackungsart: SO-8 (8-SOIC, Breite 3,90 mm)

III.L6387ED013TRHauptmerkmale:
600 V Hochspannungsschiene: Die Hochspannungsschiene kann Spannungen von bis zu 600 V aushalten
Ausgezeichnete dV/dt-Immunität: bis zu ±50 V/nsec im gesamten Temperaturbereich
Robuste Antriebsfähigkeit: 400 mA Spülstrom / 650 mA Quellstrom
Schnelle Schaltzeiten: Aufstiegs-/Abstiegszeiten von 50/30 Nsec (1 nF-Last)
CMOS-/TTL-Schmitt-Trigger-Eingänge: mit Hysterese und Pull-Down-Funktion
Integrierte Bootstrap-Diode: Keine externe Diode erforderlich
Ausgang ist in der Phase mit dem Eingang
Interlock-Funktion: Verhindert, dass beide Ausgänge gleichzeitig hoch eingestellt werden
Unterspannungsschutz

IV. Anwendungsbereiche
DieL6387ED013TRist in folgenden Szenarien weit verbreitet:
Steuerung der Motoren
Inverter Leistungsinvertersysteme
Stromversorgungen mit eingeschaltetem Modus (SMPS)
Industrielle Automatisierung
Energieverwaltungssysteme
Elektronik für die Automobilindustrie speziell für Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt, geeignet für raue Umgebungen

Mingjiada Electronics unterhält einen langfristigen Vorrat an der gesamten Palette von ST-Gate-Driver-ICs und Leistungsgeräten.L6387ED013TRSO-8 ist als Originalbestand mit Unterstützung für Proben und für die Beschaffung von Klein- und Großmengen sowie einem ergänzenden Auftragserfüllungsdienst BOM erhältlich.

Weitere Informationen zum STL6387ED013TRBei der Ermittlung der Preise für die Produktion von Hochspannungs-Halbbrücken-Treibern oder bei Fragen zu Musterpreisen besuchen Sie Mingjiada Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:) für weitere Informationen über die Versorgung.