Firmenblog über Mingjiada Electronics Supply Samsung KHA884901X-MC12 HBM2 Aquabolt Serie DRAM Speicher

Mingjiada Electronics Supply Samsung KHA884901X-MC12 HBM2 Aquabolt Serie DRAM Speicher

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.¢ langfristiger Lieferant der Samsung HBM2 Aquabolt-Serie Kernmodell KHA884901X-MC12. Als verbesserte Version der Flarebolt-Serie,es erzielt erhebliche Verbesserungen der Energieeffizienz bei gleichzeitig hoher Leistung, die eine Speicherlösung mit hoher Bandbreite für High-End-Computing-Szenarien bietet.

KHA884901X-MC12: Samsung HBM2 Aquabolt-Serie-Speicher, ein 3D-Stapelgedächtnis mit hoher Bandbreite für Hochleistungsrechner (HPC), KI-Inferenz und High-End-Grafikrendern, das MPGA-Verpackungen verwendet.

KHA884901X-MC12 verwendet die fortschrittliche TSV (Through-Silicon Via) 3D-Stacking-Technologie von Samsung und nutzt Mikro-Bump-Verbindungen zwischen Schichten.Es integriert mehrere DRAM-Days in einem kompakten MPGA (Micro-Package Grid Array) -Paket, die Datenübertragungswege drastisch verkürzt, um sowohl hohe Bandbreite als auch geringe Latenzzeit zu liefern.eine enge Kopplung mit GPUs und Beschleunigerchips ermöglicht, um Platz auf der Leiterplatte zu sparen und Verbindungsverluste zu reduzierenDies macht es ideal für Kernanwendungen wie Supercomputing-Cluster, KI-Trainings-/Inferenz-Server, hochwertige professionelle Grafikarbeitsplätze,mit einer Leistung von mehr als 50 W und.

KHA884901X-MC12 Kernspezifikationen:
Reihe: HBM2 Aquabolt-Serie
Kapazität: 8 GB
Geschwindigkeit: bis zu 6,4 Gbps
Bitbreite / Schnittstelle: 1024-Bit-Bus
Single-Pin-Rate: 2,0 Gbps, was 256 GB/s pro Matrix entspricht (2,0 Gbps × 1024 Bits ÷ 8); Spannung: 1,2 V (energieeffizienter als Flarebolts 1,35 V)
Auffrischungszyklus: 32 ms
Prozess und Stapeln: Verwendet TSV (Through-Silicon Via) 3D-Stacking-Technologie mit Mikro-Bump-Verbindungen zwischen Schichten.erhebliche Verkürzung der Datenwege

Der KHA884901X-MC12 bietet eine Kapazität von 8 GB pro Matrix und erfüllt die Anforderungen an High-End-Geräte für die Caching- und Datenübertragung in großem Maßstab.0Gbps pro Pin-Geschwindigkeit liefert 256GB/s Bandbreite pro DieDie Betriebsspannung ist auf 1,2 V optimiert.Dies bedeutet, dass der Stromverbrauch und der thermische Druck im Vergleich zum.35V der Vorgänger-Flarebolt-Serie, wobei gleichwertige Leistungserzeugung beibehalten wird.mit einem Refresh-Zyklus von 32 ms, gewährleistet eine stabile und zuverlässige Datenspeicherung, die sich an die anspruchsvollen Betriebsumgebungen industrieller und Serveranwendungen anpasst.

KHA884901X-MC12 Produktmerkmale:
4n-Prefetch-Architektur, 256-Bit-Speicherlesen/Schreiben pro Zyklus
BL=4
128-Bit-DQ-Breite + ECC-Pin-Unterstützung pro Kanal
Betrieb im Pseudo-Kanal-Modus
Das Produkt unterstützt nur den Pseudo-Kanal-Modus
Differentialschalteingang (CK_t/CK_c)
Kernchip unterstützt 2 Kanäle im Modus 4H/8H
16 unterstützte Banken pro Kanal im Modus 4H/8H
Unterstützung der Bankengruppe
2K- oder 4K-Bytes pro Seite
DBIac über MRS konfigurierbar
Datenmaskierung mit Byte-Level-Schreibmaskierung
Selbst-Erneuerungsmodus
Ein-/Ausspannung: 1,2 V
DRAM-Kernspannung: 1,2 V (unabhängig von der E/A-Spannung)
4H-Kanaldichte: 4 Gb, 8H-Kanaldichte: 8 Gb
Untergrabene Daten/Adresse/Befehl/Uhr-Schnittstellen
Temperatursensor mit 3-Bit-Codierungsbereichsausgang

KHA884901X-MC12 Anwendungsszenarien:
Supercomputing- und HPC-Cluster
KI-Trainings-/Inferenzserver (z. B. frühe NVIDIA- und AMD-Rechenzentrum-GPU-Plattformen)
High-End-Arbeitsplätze, professionelle Grafik-Rendering-Ausrüstung
Hochbandbreiten-Netzwerkverarbeitungseinheiten (NPU)

Ich bin nicht derjenige, der das sagt.Langfristige Lieferung von KHA884901X-MC12: Speicher der Samsung HBM2 Aquabolt-Serie.Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:) für Lieferdetails.