Mingjiada Elektronik Versorgung OnsemiEinheit für die Berechnung der Werte750V-Siliziumkarbid-EliteSiC-Cascode-JFETs
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.¢ langfristiger Lieferant von OnsemiEinheit für die Berechnung der Werte750 V Siliziumkarbid (SiC) EliteSiC Cascode JFETs, konstruiert für Hochspannungs- und hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicher,Aufladen von ElektrofahrzeugenWir bieten echte Produkte, Angebotsanfragen und Lieferunterstützung.Anzahl der Chargen und Lieferzeiten unterliegen Mingjiadas bestätigtem Angebot.
I. Positionierung des Produkts
Der ON-HalbleiterEinheit für die Berechnung der Wertegehört zur EliteSiC Cascode JFET-Serie. Es verwendet eine gemeinsame Quellstruktur mit einem gemeinsamen Tor (Cascode), bestehend aus einem Siliziumkarbid (SiC) JFET und einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET,Kombination der Vorteile hoher Spannung und geringer Verluste von SiC-Geräten mit ähnlichen Torantriebseigenschaften wie bei Silizium-MOSFETsDieses Gerät verfügt über eine typische Ausfallspannung von 750 V und einen Ansprechwiderstand im Bereich von 23 mΩ, so daß es für Hochspannungs-Stromversorgungskonzepte mit strengen Leistungsanforderungen geeignet ist.Leistungsdichte und Zuverlässigkeit.
Im Vergleich zu herkömmlichen SiC-MOSFETs ist das wichtigste Merkmal des Cascode-JFETs sein normal ausgeschalteter Betriebsmodus, während seine Torantriebseigenschaften denen von Silizium-MOSFETs näher kommen,Hilfe bei der Senkung der Barrieren für das Antriebs-Schaltkreisdesign.
II. Hauptmerkmale derEinheit für die Berechnung der Werte
mit einer Spannung von mehr als 750 V, geeignet für Hochspannungs-Leistungsumwandlungstopologie
Niedriger Stromwiderstand im Bereich von 23 mΩ, der dazu beiträgt, Leitungsabfälle zu reduzieren
EliteSiC Cascode JFET-Struktur, normal ausgeschalteter Betriebsmodus
Eigenschaften des Torantriebs ähnlich denen von Silizium-MOSFETs, die die Integration der Systemkonstruktion erleichtern
geeignet für Hochfrequenz-Hard- und Soft-Switching-Topologien
Hilft, die Energieeffizienz und die Leistungsdichte zu verbessern
Für die Verwendung in der Industrie und in der Automobilindustrie
III. Typische Anwendungen derEinheit für die Berechnung der Werte
Aufladen von Elektrofahrzeugen
Photovoltaik-Wechselrichter
Stromversorgungen im Schaltmodus
Leistungsfaktorkorrekturmodule
Motorfahrer
Induktionsheizung
IV. Warum sich auf Cascode-JFETs konzentrieren
Bei der Konstruktion von Hochspannungsnetzen bieten SiC-Geräte geringere Schaltverluste und das Potenzial für höhere Schaltfrequenzen.Einheit für die Berechnung der Werteverwendet eine Cascode-JFET-Struktur, deren Eigenschaften bei normaler Auslösung das sichere Systemdesign erleichtern; ihr Gate-Drive-Verfahren ähnelt dem von Silizium-MOSFETs,Senkung der Kosten für die Anpassung von AntriebslösungenFür Konstruktionen, die von Silizium-basierten Stromgeräten auf SiC umstellen, dient der UJ4C075023 als eine der hocheffizienten Schaltvorrichtungen in der 750V-Klasse.
In Leistungsumwandlungssystemen wie Photovoltaik-Wechselrichter, Bordladungen, Server-Stromversorgungen, industrielle PFC-Systeme und Hochfrequenz-Gleichstrom-WandlerSilikonkarbid-Leistungseinrichtungen sind von zentraler Bedeutung für die Modernisierung von Hochspannungs-Dank seiner umfassenden Vorteile, einschließlich der Standard-Antriebskompatibilität, geringen Betriebsverlusten,Ausgezeichnete Rückgewinnung und eine Reihe von PaketoptionenEinheit für die Berechnung der WerteSie zeichnet sich als kostengünstige Wahl für die 750-Volt-Stromplattform aus.
Wenn Sie Projekte in den Bereichen Photovoltaik, Energiespeicherung, Bordladung oder industrielle Hochleistungs-Stromversorgungen entwickeln und ein Angebot benötigen,Vorlaufzeiten oder ein Datenblatt für den UJ4C075023, oder wenn Sie sich über die Verfügbarkeit anderer SiC-Leistungseinrichtungen informieren möchten, besuchen Sie bitte die Website von Mingjiada Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:) für weitere Angaben zur Versorgung.
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