Firmenblog über Mingjiada Elektronik Lieferungen Halbsilikonkarbid MOSFETs und Automotive T10 MOSFETs

Mingjiada Elektronik Lieferungen Halbsilikonkarbid MOSFETs und Automotive T10 MOSFETs

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.- mit langjähriger Erfahrung im Bereich der Lieferung elektronischer Komponenten und Spezialisierung auf den Vertrieb von Kraftfahrzeugen,Wir halten einen Vorrat der gesamten Palette von ON Halbleiter T10 MOSFETs und Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs für AutomobilanwendungenWir garantieren Originalherstellerqualität, stabile Versorgung und schnelle Lieferung.Bereitstellung von Komponentenlösungen für Automobilhersteller und FuE-Unternehmen mit elektronischer Steuerung.

I. Onsemi Automotive T10 MOSFETs: Die bevorzugte Lösung für Niederspannungs-Anwendungen im Automobilbereich
Die Onsemi PowerTrench® T10-Serie ist eine Reihe von MOSFETs für Mittel- und Niederspannung, die von Onsemi speziell für Automotive-Anwendungen entwickelt wurden.Genau auf Niederspannungsszenarien der elektronischen Steuerung im Fahrzeug zugeschnitten, überwindet es die Einschränkungen traditioneller siliziumbasierter MOSFETs in Bezug auf Leistungsverlust und Wärmeabbau und ist damit ein Kernbestandteil für Hilfsstromversorgungen,Lichtsteuerungssysteme und Karosserie-Steuerungsmodule.
Mingjiada Electronics unterhält einen Bestand an wichtigen Mainstream-Modellen aus der Onsemi Automotive T10 MOSFET-Reihe, die verschiedene Spannungsstufen abdecken,aktuelle Nennwerte und Packungsspezifikationen, um unterschiedliche Anforderungen an die Fahrzeugkonstruktion zu erfüllenDie wichtigsten Modellspezifikationen sind wie folgt:
NTBLS1D1N08X: Ein 80V-MOSFET mit T10-Technologie mit ultra-niedrigem Einschaltwiderstand und einer hervorragenden Leistungsfähigkeit.Es ist geeignet für zusätzliche Kraftversorgungen der Karosserie und FahrzeugbeleuchtungssystemeDas kompakte Paket macht es ideal für miniaturisierte elektronische Steuerungsmodule.
NVMJST2D1N08X: Ein 80V, 334A Hochstrom-Einzelkanal-N-MOSFET, das ein TCPAK5x7-Top-Cooled-Paket verwendet und eine außergewöhnliche thermische Leistung bietet.es bietet eine hervorragende Zuverlässigkeit und wird hauptsächlich in leistungsstarken Hilfsnetzteilen und Motorantriebsmodulen für Automobilanwendungen verwendet.
NVMFS5C426: Ein 40V-MOSFET für den Automobilbereich mit einem maximalen Strom von 235A und einem Einschaltwiderstand von nur 1,3mΩ, mit extrem geringen Leitverlusten.mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 W, und ist weit verbreitet in den Karosseriesteuerungssystemen von Personenkraftwagen und Nutzfahrzeugen.

II. MOSFETs aus Halbsiliziumcarbid (SiC): Kernkomponenten für Anwendungen in der Automobilindustrie für Hochspannungsnetztechnik
Zielgruppe für Hochspannungsanwendungen mit hoher Leistung wie Bordladegeräte (OBCs), Bord-Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler, Hochspannungsbatteriemanagementsysteme und Hauptantriebsinverter in neuen Energiefahrzeugen,Onsemi hat die EliteSiC-Serie von Siliziumkarbid-MOSFETs auf den Markt gebrachtDie gesamte Produktpalette entspricht den Anwendungsnormen für die Automobilindustrie und eignet sich für alle Kategorien von Personenkraftwagen, Hybridfahrzeugen und Nutzfahrzeugen mit neuer Energie.
Mingjiada Electronics unterhält einen langfristigen Vorrat an Onsemi's EliteSiC-Serie von Siliziumcarbid-MOSFETs für den Automobilbereich, die die gängigen Hochspannungsspezifikationen von 650V und 1200V abdecken,für verschiedene Hochspannungssysteme für neue Energiefahrzeuge geeignetDie Kernmodelle sind folgende:
NVHL070N120M3S: Ein 1200V-Hochspannungs-SiC-MOSFET, hergestellt nach dem M3S-Verfahren.die zu extrem geringen Umschaltverlusten führen. Nach der Automobilnorm AEC-Q101 zertifiziert, ist es in erster Linie für Bordladegeräte und Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter in neuen Energiefahrzeugen ausgelegt,und ist für Hochspannungs-Leistungssteuerungssysteme sowohl in Hybrid- als auch in rein elektrischen Modellen geeignet.
NTT2012N065M3S: Ein 650-Volt-MOSFET aus Siliziumkarbid in einem T2PAK-Paket mit einem Einschallwiderstand von nur 12,7 mΩ. Es bietet eine hohe Leistungsdichte und eine hervorragende thermische Leistung,die geeignet ist für Niederspannungs-Hochspannungsumwandlungssysteme und Bord-Hochspannungs-Hilfeversorgungen in neuen Energiefahrzeugen, wobei hohe Effizienz und Energieeinsparungen mit Raumwirksamkeit in Einklang gebracht werden.

Onsemi’s T10 silicon-based MOSFETs and EliteSiC silicon carbide MOSFETs cover the two core application areas of in-vehicle low-voltage auxiliary power control and high-voltage powertrain systems respectivelyMit ihrer bewährten Leistung in der Automobilindustrie, ihrer hervorragenden Steuerung des Stromverbrauchs und ihrer Stabilität sind sie zur beliebtesten Wahl für Kraftfahrzeuggeräte geworden.

Weitere Informationen zu den (Onsemi-) MOSFET-Produkten oder die Preisgestaltung finden Sie auf der Website von Mingjiada Electronics (Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:) für weitere Informationen über die Versorgung.