Mingjiada Electronics liefert dieIPB65R110CFDA, ein 650-Volt-N-Kanal-MOSFET von Infineon, Teil der CoolMOSTM CFDA-Serie.
Beschreibung des ProduktsIPB65R110CFDA
Der IPB65R110CFDA ist ein von Infineon entwickeltes 650V/31.2A N-Kanal-MOSFET, das in einem PG-TO263-3 (D2PAK-3) Paket verpackt ist und Teil der CoolMOSTM CFDA-Serie ist.Es ist speziell für Automobilelektronik entwickelt.Die IPB65R110CFDA verwendet die Super Junction (SJ) -Technologie und bietet einen geringen Widerstand, eine schnelle Schaltung und eine schnelle Schaltung.und hochtemperaturstabilität, so dass es für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit geeignet ist, wie z. B. Ladegeräte für Elektrofahrzeuge (EV), Gleichspannungsumrichter und Photovoltaik-Wechselrichter.
Schlüsselmerkmale vonIPB65R110CFDA
Hochspannungs- und Hochstrommöglichkeit: 650 V Abflussstrommenge (Vds) und 31,2 A kontinuierlicher Abflussstrom (Id), wodurch IPB65R110CFDA für Hochleistungs-Schaltnetzteilkonstruktionen geeignet ist.
Ultra-niedriger Einschaltwiderstand (Rds ((on)): 110mΩ (typisch) @ 10V Vgs, die IPB65R110CFDA reduziert Leitverluste und verbessert die Systemeffizienz.
Hochgeschwindigkeitsschaltleistung: 11ns Aufstiegszeit, 6ns Fallzeit, Verringerung der Schaltverluste, IPB65R110CFDA unterstützt Hochfrequenzschaltanwendungen.
Integrierte schnelle Karosserie-Diode: Niedrige Rückschaltladung (Qrr) reduziert Schaltgeräusche und verbessert die EMI-Leistung.
Betrieb in einem breiten Temperaturbereich: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +150 °C, entsprechend der Automobilzertifizierung AEC-Q101.
Optimierter Torantrieb: Niedrige Torladung (Qg = 118nC), IPB65R110CFDA reduziert Antriebsverluste und erhöht die Schaltfrequenz.
Detaillierte SpezifikationIPB65R110CFDA
Modell: IPB65R110CFDA
Marke Infineon
Packung: PG-TO263-3 (D2PAK-3)
Technologie: CoolMOSTM CFDA (Super-Junction MOSFET)
Auslaufspannung (Vds): 650 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (Id): 31,2 A
Auf-Widerstand (Rds ((on)): 110 (typisch) mΩ
Schnittstellen (Qg): 118 nC
Ausgangsspannung (Vgs): ±20 V
Schwellspannung (Vgs ((th)): 3,5 V
Schaltzeit (tr/tf): 11/6 ns
Betriebstemperaturbereich: -40 bis +150 °C
Leistungsausfall (Pd): 277,8 W
Hauptanwendungen vonIPB65R110CFDA
Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge
IPB65R110CFDA kann in 800V Hochspannungsplattformumrichter verwendet werden, um die Energieeffizienz zu erhöhen und die Anforderungen an das thermische Management zu reduzieren.
Industrielle Stromversorgungen und Photovoltaik-Inverter
Geeignet für Hochfrequenz-Schaltnetzteile und Solarumrichter zur Verringerung von Energieverlusten.
Stromversorgung für Server und Rechenzentren
Die hohe Effizienz des IPB65R110CFDA optimiert 48V-Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler und erhöht die Leistungsdichte.
HID-Beleuchtung und Batterieladegeräte
Nutzt schnelle Schaltfunktionen, um die Effizienz von LED-Treibern und schnellen Ladegeräten zu verbessern.
Motorantriebe und industrielle Automatisierung
IPB65R110CFDA eignet sich für Servo-Antriebe und variable Frequenz-Antriebe, wodurch die Systemzuverlässigkeit verbessert wird.
Zusammenfassung
Als 650V/31.2A Leistungs-MOSFET in der CoolMOSTM CFDA-Serie von Infineon bietet es geringe Leitverluste, Hochgeschwindigkeitsschaltungen und hohe Temperaturstabilität.Dies macht es zu einer idealen Wahl für Anwendungen wie ElektrofahrzeugeDas PG-TO263-3-Paket der IPB65R110CFDA erleichtert das PCB-Design, während die AEC-Q101-Zertifizierung die Zuverlässigkeit in der Automobilelektronik gewährleistet.
Mingjiada Electronics bietet anIPB65R110CFDAIn Lager, mit Originalprodukten direkt aus der Fabrik und schneller Lieferung.
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