Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.als führender Anbieter in der Elektronikkomponentenindustrie bietet eine vollständige Palette von Infineon SiC-Leistungsbauelementen auf Lagerbasis an und bietet Kunden weltweit effiziente und zuverlässige Leistungshalbleiterlösungen. Als führendes Unternehmen in der SiC-Technologie ist das CoolSiC™-Produktportfolio von Infineon branchenführend in Bezug auf Effizienz, Leistungsdichte und Systemzuverlässigkeit.
Im Folgenden sind die von Mingjiada Electronics gelieferten Typen von Infineon SiC-Bauelementen aufgeführt:
1. CoolSiC™ MOSFET Discrete Devices
Die diskreten CoolSiC™ MOSFET-Bauelemente von Infineon zeichnen sich durch hohe Effizienz und Energieeinsparung sowie optimale Zuverlässigkeit aus. Sie sind in diskreten Gehäusen erhältlich und bieten Produkte mit Spannungsfestigkeiten von 650 V, 1200 V und 1700 V. Diese Bauelemente sind ideal für Hard-Switching- und Resonanz-Switching-Topologien wie LLC und ZVS und verbessern die Systemeffizienz erheblich.
400V CoolSiC™ MOSFET: Speziell entwickelt für die AC/DC-Wandlungsstufe von Stromversorgungseinheiten (PSUs) für Server mit künstlicher Intelligenz und Anwendungen wie Solar- und Energiespeichersysteme.
650V CoolSiC™ MOSFET: Optimiertes Schaltverhalten unter hohen Strom- und niedrigen Kapazitätsbedingungen, geeignet für verschiedene industrielle Anwendungen, einschließlich Server, Telekommunikation, Motorantriebe und mehr.
750V und 1200V CoolSiC™ MOSFETs: Geeignet für industrielle und Automobilanwendungen, wie z. B. Onboard-Ladegeräte/PFC, Hilfsinverter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
1700V CoolSiC™ MOSFET: Geeignet für Flyback-Topologien, wie z. B. Energiespeichersysteme, schnelles Aufladen von Elektrofahrzeugen, Energiemanagement (SMPS) und Solarsystemlösungen.
2000V CoolSiC™ MOSFET: Bietet eine höhere Leistungsdichte und Spannungsreserve, geeignet für Hochspannungsanwendungen wie schnelles Aufladen von Elektrofahrzeugen und Solarsystemlösungen.
2. CoolSiC™ MOSFET Power Modules
Die CoolSiC™ MOSFET-Leistungsmodule von Infineon sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, darunter Three-Level, Fourpack, Half-Bridge, Sixpack und Stromerweiterung, geeignet für verschiedene Hochleistungsanwendungen.
3. CoolSiC™ Schottky-Dioden
Die CoolSiC™ Schottky-Dioden von Infineon decken einen Spannungsbereich von 600 V und 650 V bis 1200 V ab und zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schalteigenschaften aus, die für verschiedene Hochfrequenzanwendungen geeignet sind.
600V und 650V CoolSiC™ Schottky-Dioden: Geeignet für Niederspannungs-Hochfrequenzanwendungen.
1200V CoolSiC™ Schottky-Dioden: Geeignet für Hochspannungsanwendungen wie industrielle Stromversorgungen und Ladestationen für Elektrofahrzeuge.
Vorteile der Lieferung
Mingjiada Electronics bietet folgende Liefergarantien:
100 % Originalprodukte: Alle Siliziumkarbid-Bauelemente von Infineon stammen aus offiziellen Kanälen oder dem Fabriklager.
Umfangreiches Inventar: Lager in Shenzhen/Hongkong halten Vorräte an verschiedenen Serien von Siliziumkarbid-Bauelementen vor.
Flexible Beschaffungslösungen: Unterstützung für Musterkäufe in kleinen Chargen und Bestellungen in großen Mengen.
Globales Logistiknetzwerk: Nutzung des Hauptsitzes in Shenzhen und internationaler Logistikpartner, um eine schnelle Lieferung zu gewährleisten.
Kontaktinformationen
Für weitere Informationen zu Siliziumkarbid-Bauelementen von Infineon oder zur Bestellung wenden Sie sich bitte an Mingjiada Electronics:
Telefon: +86 13410018555
E-Mail: sales@hkmjd.com
Website: http://www.integrated-ic.com
Adresse: Raum 1239-1241, Xinyazhou Guoli Building, Zhenzhong Road, Bezirk Futian, Shenzhen, Provinz Guangdong
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