Firmenblog über Mingjiada Electronics liefert Infineon IRF6894MTRPBF: 25V N-Kanal HEXFET MOSFET, 1,3 mΩ Ultra-Low On-Resistance

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. bietet langfristig eine stabile Versorgung des IRF6894MTRPBF Hochleistungs-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET.

IRF6894MTRPBF Produktübersicht
Der IRF6894MTRPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der von Infineon Technologies eingeführt wurde. Dieses Leistungsbauelement, Modell IRF6894MTRPBF, verwendet fortschrittliche HEXFET-Technologie, um herausragende elektrische Leistung zu liefern.

Als Schlüsselprodukt im Portfolio von Mingjiada Electronics hat der IRF6894MTRPBF aufgrund seines extrem niedrigen Einschaltwiderstands von 1,3 mΩ eine breite Marktakzeptanz gefunden. Mit einer Drain-Source-Spannungsfestigkeit von 25 V ist er eine ideale Wahl für Anwendungen mit mittlerer bis niedriger Spannung. Der IRF6894MTRPBF verwendet das DirectFET MX-Gehäuse. Dieses einzigartige Gehäusedesign verbessert nicht nur die thermische Leistung, sondern reduziert auch die Leiterplattenfläche.

Wichtige technische Merkmale des IRF6894MTRPBF umfassen:
• Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
• Dauer-Drain-Strom (Id): 32 A (Ta), 160 A (Tc)
• Einschaltwiderstand (Rds(on)): 1,3 mΩ @ 33 A, 10 V
• Gate-Treiberspannung: 4,5 V bis 10 V
• Betriebstemperaturbereich: -40°C bis 150°C (TJ)
• Gehäusetyp: DirectFET™ MX Surface Mount

Detaillierte technische Spezifikationen
Hersteller: Infineon Technologies
Teilenummer: IRF6894MTRPBF
Bauelementtyp: N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Technologieplattform: HEXFET®, DirectFET™
Durchbruchspannung (V_DSS): 25 V (Minimum)
Einschaltwiderstand (R_DS(on)): 1,3 mΩ @ V_GS=10V, I_D=20A (typisch)
Dauer-Drain-Strom (I_D): 200 A @ T_C=100°C, 320 A @ T_C=25°C
Puls-Drain-Strom (I_DM): 750 A @ T_pulse=10μs, V_GS=10V
Gate-Schwellenspannung (V_GS(th)): 1,6 V ~ 2,5 V (typisch 2,0 V)
Gate-Treiberspannung (V_GS): Empfohlen +10 V, Maximum ±20 V
Gesamt-Gate-Ladung (Q_g): 26 nC @ V_GS=0V~10V
Gate-Source-Ladung (Q_gs): 12 nC
Gate-Drain-Ladung (Q_gd): 6 nC
Eingangskapazität (C_iss): 6800 pF @ V_DS=12,5 V
Ausgangskapazität (C_oss): 1800 pF @ V_DS=12,5 V
Rücktransferkapazität (C_rss): 360 pF
Rückwärts-Erholungs-Ladung (Q_rr): 120 nC (typisch)
Lawinenenergie (E_AS): 600 mJ (Einzelimpuls)
Lawinenstrom (I_AR): 200 A
Betriebstemperatur: -55°C bis +175°C (Sperrschichttemperatur)
Gehäusetyp: DirectFET™ Medium Can
Gehäuseabmessungen: 7,0 mm × 6,0 mm × 0,7 mm
Anzahl der Pins: 7+1 (7 Funktions-Pins + 1 thermisches Pad)
Wärmewiderstand (R_thJC): 0,5°C/W (unten) + 1,2°C/W (oben)
AEC-Q101: Bestanden, Grad 0
ESD-Bewertung: HBM Klasse 1C (1000 V~2000 V)
RoHS-Status: RoHS3-konform, bleifrei
Halogenfrei: Ja

IRF6894MTRPBF Produktmerkmale:
Verwendet die Siliziumtechnologie der nächsten Generation von IR
Liefert optimale Effizienz für synchrone 12-V-Buck-Anwendungen

IRF6894MTRPBF Anwendungen:
Server, Desktop-Computer und Notebook-PCs der nächsten Generation

Informationen zum Kauf
Teilenummer: IRF6894MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Bauelementtyp: N-Kanal-HEXFET-MOSFET
Technologieplattform: DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101: Bestanden, Grad 0
RoHS-Status: RoHS3-konform, bleifrei
Mindestbestellmenge: Flexible Unterstützung, Muster verfügbar
Verfügbarkeit: Lagerbestand verfügbar, Versand am selben Tag
Preisspanne: Gestaffelte Preise basierend auf dem Einkaufsvolumen

Für Anfragen oder Kaufbedürfnisse bezüglich IRF6894MTRPBF, kontaktieren Sie uns bitte jederzeit:
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