Firmenblog über Mingjiada Electronics liefert Infineon asynchrone SRAM statische Random-Access-Speicher

In High-End-Sektoren wie Industrieautomation, Automobilelektronik, Luft- und Raumfahrt sowie Smart Devices bestimmen die Stabilität, Reaktionsgeschwindigkeit und Störfestigkeit des Speichers direkt die Betriebsgenauigkeit und Lebensdauer der Geräte. Asynchrone SRAMs, eine Art statischer Direktzugriffsspeicher, der sich durch das Fehlen von Taktsynchronisationsbeschränkungen, flexible Lese-/Schreibfähigkeiten und außergewöhnliche Anpassungsfähigkeit auszeichnet, sind dank ihrer Hauptvorteile, dass sie keine Auffrischung benötigen und eine Echtzeitantwort liefern, zu einer Kernspeicherkomponente in High-End-Embedded-Systemen sowie in Präzisionsmess- und Steuergeräten geworden.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — mit langjähriger spezialisierter Erfahrung in der Lieferkette für elektronische Komponenten — bietet seit langem ein umfassendes Sortiment an Infineon asynchronen SRAM-Produkten an. Wir halten stets eine vollständige Palette von Spezifikationen auf Lager, bestehend aus Originalchips, und bieten Kunden aus verschiedenen Branchen One-Stop-Beschaffungs-, technische Anpassungs- und stabile Lieferlösungen an.

[Infineon] Asynchrone SRAMs

1. Details:

Asynchrone SRAMs bieten erweiterbaren Hochgeschwindigkeits-, Niedrigleistungs-Speicher mit On-Chip-ECC, geeignet für Automobil- und Industrieanwendungen.

Asynchrone SRAMs sind flüchtige Direktzugriffsspeicher (RAM), die Trigger-basierte Latch-Schaltungen verwenden, um jedes Bit zu speichern. Die Datenbits bleiben im Speicher erhalten, solange Strom geliefert wird. Infineon bietet das branchenweit umfassendste Portfolio an asynchronen SRAM-Produkten, das von 256 KB bis 64 MB reicht. Asynchrone SRAMs werden aufgrund ihrer hohen Zuverlässigkeit und langfristigen Unterstützung in Netzwerk-, Verteidigungs- und Industrieanwendungen eingesetzt. MOBL™ asynchrone SRAMs sind auch eine ideale Wahl für batteriebetriebene und batteriegepufferte Lösungen (BBSRAM), geeignet für eine Reihe von Anwendungen, die eine Datensicherung im Falle eines Stromausfalls erfordern.

2. Hauptmerkmale:

Schnelle Zugriffszeit von 10 ns

Geringer Stromverbrauch – PowerSnooze™

Hohe Zuverlässigkeit < 0,1 FIT/Mbit

Abgedeckte gängige Serien und Spezifikationen

Die gängigen Serien von Infineon asynchronen SRAMs, die von Mingjiada Electronics erhältlich sind, umfassen die CY7C10xx, CY7C11xx, CY621xx und CY62xxx, mit typischen Modellen wie CY7C1019DV33, CY7C1021DV33, CY7C1041DV33, CY62128EV30, CY62146EV30 und CY62167EV30. Die Kapazitäten der Produkte reichen von niedriger bis hoher Dichte, mit Betriebsspannungen von 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V und 5 V. Gehäusetypen umfassen TSOP, SOIC, BGA und QFP, während die Geschwindigkeitsklassen 8 ns, 10 ns, 12 ns, 15 ns, 20 ns, 45 ns, 55 ns und 70 ns abdecken.

Mingjiada Electronics liefert [Infineon] asynchrone SRAM-Speicher, einschließlich, aber nicht beschränkt auf die folgenden:

CY62157G30-45ZXI

CY62157H30-45BVXA

CY62158EV30LL-45BVXI

CY62158EV30LL-45ZSXI

CY7C10612G30-10ZSXI

CY7C1061G-10BVXI

CY62165E-3XWI

CY62167DV30LL-55BVXI

CY62167DV30LL-55ZXI

CY62167ELL-45ZXI

CY62167EV18LL-55BVI

CY62167EV18LL-55BVXI

CY62167EV30LL-45BVXI

CY62167EV30LL-45ZXA

CY62167EV30LL-45ZXI

CY62167G-45BVXI

CY62167G-45ZXI

CY62167G30-45BVXI

CY62167G30-55BVXE

CY7C1061G30-10BV1XE

CY7C1061G30-10BV1XI

CY7C1061G30-10BVJXI

CY7C1061G30-10BVXI

CY7C1061G30-10ZXI

CY7C1061GE-10BVXI

CY7C1061GE30-10BV1XI

CY62126EV30LL-45BVXI

CY62126EV30LL-45ZSXA

CY62126EV30LL-45ZSXI

CY62126EV30LL-55BVXE

CY62126EV30LL-55ZSXE

CY62167GE30-45ZXI

CY62167GN30-45ZXI

CY62168EV30LL-45BVXI

CY62177EV18LL-70BAXI

CY62177EV30LL-55BAXI

CY62177EV30LL-55ZXI

Für weitere Informationen zu [Infineon] asynchronen SRAM-Speichern oder zur Anfrage von Musterpreisen besuchen Sie bitte die Website von Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) für weitere Lieferdetails.