Firmenblog über Mingjiada Electronics liefert Infineon Power MOSFET-Transistoren, Leistungslösungen

Mingjiada Electronics Supplies Infineon Power MOSFET Transistoren, Hochleistungs-Energielösungen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Langfristiger Lieferant verschiedener Hochleistungs-MOSFET-Produkte von Infineon, darunter: IRFP4110PBF, IRFB3306GPBF, BSZ440N10NS3G, BSZ520N15NS3G, BSC052N08NS5 usw., die Kernlösungen für Stromversorgungsgeräte für industrielle Stromversorgungen, neue Energien und Motorantriebsanwendungen anbieten.

Die von Mingjiada Electronics angebotenen Infineon Power MOSFET-Serienprodukte decken eine breite Palette von Spannungs-, Stromstärken und Anwendungsanforderungen ab. Im Folgenden finden Sie die relevanten Informationen zu den gelieferten Produkten:
1. IRFP4110PBF: Hochstrom-Leistungsschalter
Grundlegende Parameter: Mit einem TO-247-3-Gehäuse und N-Kanal-Design verfügt er über eine Drain-Source-Durchbruchspannung von 100 V und eine kontinuierliche Drain-Stromkapazität von 180 A, mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 3,7 mΩ.
Schalteigenschaften: Gate-Ladung (Qg) 150 nC, unterstützt einen weiten Gate-Source-Spannungsbereich von -20 V bis +20 V.
Thermische Leistung: Maximale Verlustleistung von 370 W bei 25°C, Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C.
Anwendungsvorteile: Speziell für effiziente synchrone Gleichrichtung und Hochstrom-Schaltnetzteile konzipiert, funktioniert er in USV-Systemen und Hochfrequenz-Stromumwandlungsanwendungen außergewöhnlich gut.

2. IRFB3306PBF: Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung
Gehäuse- und elektrische Eigenschaften: TO-220-Gehäuse, 60 V Drain-Source-Spannung, 160 A kontinuierlicher Drain-Strom, Einschaltwiderstand von nur 3,3 mΩ.
Dynamische Leistung: Gate-Ladung 85 nC, unterstützt ±20 V Gate-Source-Spannung, schnelle Schaltgeschwindigkeit, geeignet für Hochfrequenzanwendungen.
Wärmemanagement: Maximale Verlustleistung von 230 W, thermischer Widerstand von der Sperrschicht zum Gehäuse von nur 0,65°C/W, ausgezeichnete Wärmeableitungsleistung.
Anwendungsszenarien: Besonders geeignet für synchrone Gleichrichterschaltungen in Server-Netzteilen und industriellen SMPS, wodurch die dV/dt-Fähigkeit der Body-Diode verbessert wird.

3. BSZ440N10NS3G: Gerät der nächsten Generation mit geringen Verlusten
Technologischer Durchbruch: 100 V/70 A Spezifikation, OptiMOS-Technologie erreicht einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (typischer Wert 4,4 mΩ).
Schalteffizienz: Deutlich optimiertes Qg reduziert Schaltverluste und verbessert die Effizienz von Hochfrequenz-Netzteilen.
Gehäusevorteile: Verwendet ein Standard-TO-263-Gehäuse, kompatibel mit automatisierten Montageprozessen.
Anwendungswert: Besonders geeignet für DC-DC-Wandler und Stromversorgungsdesigns für Elektrowerkzeuge (Hinweis: Parametercharakteristika basieren auf der gängigen Technologie der neuen BSZ-Serie von Infineon).

4. BSC052N08NS5 & BSZ520N15NS3G: Mittelspannungs-Hocheffizienz-Kombination
BSC052N08NS5 Merkmale: 80 V/100 A Spezifikation, Einschaltwiderstand von nur 5,2 mΩ, mit optimiertem Qgs-Design.
BSZ520N15NS3G Merkmale: 150 V/70 A Spezifikation, 15 V Gate-Ansteuerung, Ausgleich von Verlusten durch Leitung und Schaltleistung.
Technische Gemeinsamkeit: Beide verwenden das SuperSO8-Gehäuse und bieten eine hervorragende thermische Leistung und hohe Leistungsdichte.
Anwendungskombination: Bietet eine perfekte Spannungsabdeckung in Elektrofahrzeug-OBC- und industriellen Motorantriebsanwendungen (Hinweis: BSZ-Serienmerkmale basieren auf einer gemeinsamen Analyse aus der technischen Dokumentation von Infineon).

Für weitere Informationen zu Infineon Power MOSFET-Transistoren oder um Preise für bestimmte Modelle anzufragen, besuchen Sie bitte die offizielle Website von Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) um die Lieferdetails zu überprüfen.