Mingjiada Electronics liefert dieBSC052N08NS5, ein 80V N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOSTM 5-Serie von Infineon, verpackt in einem PG-TDSON-8-Paket, geeignet für hocheffiziente Leistungsumwandlungssysteme.
BSC052N08NS5Beschreibung des Produkts
Der BSC052N08NS5 ist ein leistungsstarkes MOSFET, das für Anwendungen wie Telekommunikation, Server-Stromversorgung, Solarumrichter, Niederspannungsantriebe und Adapter optimiert wurde.Die BSC052N08NS5 verwendet die OptiMOSTM 5-Technologie, wodurch die RDS-Leistung im Vergleich zu früheren Generationen um bis zu 43% reduziert und die Leistungsdichte und Effizienz erheblich gesteigert werden.
BSC052N08NS5Wesentliche Merkmale
Niedriger Einsatzwiderstand (RDS ((on)): Nur 5,2mΩ @ VGS=10V, was den Leitverlust reduziert.
Hohe Stromkapazität: Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bis 95A, Pulsstrom (IDM) 380A.
Schnelle Schaltleistung: Aufstiegszeit von 7 ns, Fallzeit von 5 ns, Verringerung der Schaltverluste.
Niedrige Torladung (Qg): 32nC @ VGS=10V, Verbesserung der Antriebseffizienz.
Breiter Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +150°C, geeignet für raue Umgebungen.
BSC052N08NS5Schlüsselparameter
Modell: BSC052N08NS5
Ausläuferspannung (VDS): 80V
An-Widerstand (RDS ((an)): 5,2mΩ @ 10V
Durchgangsaufladung (Qg): 32nC @10V
Verpackung: TDSON-8
Schaltfrequenz: 100 kHz
BSC052N08NS5Typische Anwendungen
Kommunikationsgeräte (z. B. Stromversorgung der Basisstation)
Stromversorgungen für Server (hocheffiziente synchrone Berichtigung)
Solarumrichter (Leistungsumwandlung mit geringem Verlust)
Niederspannungsantriebe und leichte Elektrofahrzeuge (Hochstromlastunterstützung)
Adapter und industrielle Stromversorgungen (optimiertes thermisches Management)
BSC052N08NS5Die BSC052N08NS5 ist derzeit auf Lager und für den Großkauf erhältlich.
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