Firmenblog über Mingjiada Electronics will die zweite Generation von 750-Volt-CoolSiC MOSFET G2 von Infineon zu einem Premium-Leistungs-AI-Server erwerben

Infineons 750-Volt-CoolSiCTM MOSFET G2 der zweiten Generation versorgt KI-Server; Mingjiada Electronics will folgende Modelle zu günstigen Preisen erwerben

Einführung: Mit der Explosion der KI-Rechenleistung entstehen neue Möglichkeiten für Leistungshalbleiter

Angetrieben durch die schnelle Iteration von groß angelegten Modellen künstlicher Intelligenz und das exponentielle Wachstum der Rechenleistungsanforderungen in Rechenzentren,Der Stromverbrauch von KI-Servern steigt starkDie Leistung eines einzelnen KI-Servers ist von den traditionellen wenigen hundert Watt auf mehrere Kilowatt oder sogar höher gestiegen, was die Leistungsdichte beispiellos herausfordert.Umwandlungseffizienz und thermische Managementfähigkeiten von Server-Stromversorgungen.

Infineons 750V CoolSiCTM MOSFET G2-Serie der zweiten Generation, die branchenführende Siliziumkarbid (SiC) -Grench-Technologie verwendet,bietet leistungsstarke Leistungshalbleiterlösungen für die Stromversorgung von KI-ServernAls spezialisierter Händler von elektronischen Komponenten ist die Firma Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.hat seit langem aktiv Original-Fabrik-Lager dieser Serie zu Premium-Preisen aus der ganzen Welt bezogen, die eine zuverlässige Unterstützung der Lieferkette für Komponenten für die KI-Server-Industrie-Kette bietet.

I. CoolSiCTM MOSFET G2: SiC-Technologie zweiter Generation, zugeschnitten auf KI-Server

Infineons 750-Volt-CoolSiCTM-MOSFET der zweiten Generation basiert auf mehr als 20 Jahren Erfahrung in der Siliziumkarbidtechnologie.erhebliche Verbesserungen gegenüber der vorherigen G1-Generation in Bezug auf den Betriebswiderstand, Schaltverluste, thermische Leistung und Zuverlässigkeit.

Wichtige Vorteile

1. Ultra-niedriger Einschaltwiderstand (RDS(einschaltet))

Der CoolSiCTM MOSFET 750V G2 bietet einen ultra-niedrigen Ansprechwiderstand von nur 4 mΩ, wodurch die Leitverluste erheblich reduziert und die Leistungsumwandlungseffizienz verbessert wird.Die branchenführende RDS-Leistung × Qfr und die hervorragende RDS-Leistung × Qoss reduzieren die Schaltverluste sowohl bei Hard- als auch bei Soft-Switching-Topologien.

2. Ausgezeichnete Schaltleistung

Im Vergleich zur Vorgängergeneration bieten die CoolSiCTM-MOSFETs der zweiten Generation eine 25% bis 30%ige Steigerung der Schaltgeschwindigkeit und eine 30% bis 40%ige Verringerung der Schaltverluste.Der Leistungswert (FOM) hat sich im Vergleich zur vorherigen Generation um 20% bis 35% verbessert.

3. Ausgezeichnete Resistenz gegen parasitäre Aktivität

Diese Serie kombiniert eine hohe Schwellenspannung VGS ((th) (typischerweise 4,5 V bei 25 °C) mit einem extrem niedrigen QGD/QGS-Verhältnis,Verbesserung der Immunität gegen parasitäre Einschaltung (PTO) und Sicherstellung eines zuverlässigen Betriebs unter komplexen Betriebsbedingungen.

4. Erweiterte Gate-Antriebskapazitäten

Die Unterstützung von statischen Torspannungen von bis zu 7 V und transienten Torspannungen von bis zu 11 V bietet den Ingenieuren einen größeren Entwurfsbereich.

5. Ausgezeichnete thermische Leistung

Mit einem innovativen Top-Cooled Q-DPAK-Paket bietet es eine hervorragende thermische Leistung und Zuverlässigkeit mit einer Leistungsauslastung von bis zu ca. 20 W.Die verbesserte thermische Leistung unterstützt Betriebstemperaturen von bis zu 200 °C.

6. Hohe Zuverlässigkeit

100%ige Lawinenprüfung

Vollständig konform mit der Automobilnorm AEC Q101 und der Industriestandard JEDEC

Verwendet Infineons proprietäre.XT-Diffusionsbindungstechnologie

Wichtige technische Spezifikationen

Ausfallspannung: 750 V

An-Widerstandsbereich: 4 bis 78 mΩ

Dauerstrom: 29 A bis 357 A

Schwellenspannung (typisch): 4,5 V @ 25 °C

Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C

II. Stärkung von KI-Servern: Die ideale Wahl für Stromversorgungen mit hoher Leistungsdichte

Die Stromversorgung von KI-Servern (SMPS) stellt äußerst hohe Anforderungen an Leistungsdichte und Effizienz.Die 750V CoolSiCTM MOSFET G2 der zweiten Generation liefert hervorragende Leistung in Hard-Switching-Topologien wie TotempolenIn der Zwischenzeit werden die folgenden Verfahren angewandt:die deutlich reduzierte Ausgangskapazität (Coss) ermöglicht einen Hochfrequenz-Schaltbetrieb in Soft-Switching-Topologien wie CLLC, doppelte aktive Brücke (DAB) und LLC.

Diese Serie wird weit verbreitet in:

Stromversorgungseinheiten für AI-Server (PSU)

Umwandlung von Wechselstrom und Gleichstrom für Telekommunikationsinfrastrukturen

Photovoltaik-Wechselrichter

Elektrofahrzeugladeninfrastruktur

Systeme für ununterbrochene Stromversorgung (UPS)

Energiespeicher (ESS)

III. Mingjiada Electronics will zu günstigen Preisen kaufen: Vollständige Palette von CoolSiCTM MOSFET G2 750V-Modellen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. als weltweit anerkannter autorisierter unabhängiger Händler von elektronischen Komponenten,ist bestrebt, den Originalbestand der 750-Volt-CoolSiCTM MOSFET G2-Serie der zweiten Generation von Infineon auf langfristiger Basis zu erstklassigen Preisen aus der ganzen Welt zu erwerben..

Liste der gesuchten Modelle

Mingjiada Electronics sucht derzeit weltweit folgende CoolSiCTM MOSFET G2 750V-Modelle in Industrie- und Automobilindustrie:

Q-DPAK-Paket für die Automobilindustrie:

AIMDQ75R016M2H

AIMDQ75R025M2H

AIMDQ75R060M2H

Q-DPAK-Verpackungen in industrieller Qualität:

Immer noch keine Daten.

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Immer noch keine Daten.

Immer noch keine Daten.

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Weitere erweiterte Modelle

Darüber hinaus bietet die Infineon CoolSiCTM MOSFET 750V G2-Serie auch Produkte in D2PAK 7-Pin-Paketen mit Einschaltwiderständen von 7, 25, 33, 40, 50 bis 60 mΩ,sowie Q-DPAK-Pakete mit 4, 7, 20, 33, 40 und 50 mΩ. Zu den relevanten Modellen gehören unter anderem:

IMBG75R025M2H (D2PAK-7, 25 mΩ, industrielle Qualität)

Im Rahmen der Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Bereitstellung von Sicherheitsdiensten für die Luftfahrtunternehmen

Mingjiada Electronics ist auch bestrebt, das gesamte Sortiment der vorgenannten Produkte sowie andere Infineon CoolSiCTM-Produktreihen wie Leistungsmodule und Siliziumkarbiddioden zu erwerben,auf langfristiger Basis.

Schlussfolgerung

Infineons 750-Volt-CoolSiCTM MOSFET G2 der zweiten Generation, mit seiner hervorragenden Leistung, wird zu einem Kernstromgerät in Bereichen wie KI-Server-Stromversorgung,Elektrofahrzeugladung und erneuerbare Energien. Mingjiada Electronics strebt konsequent danach, die gesamte Palette der oben genannten Modelle zu wettbewerbsfähigen Preisen von Lieferanten weltweit zu erwerben;Kunden mit Lager sind herzlich eingeladen, uns jederzeit zu kontaktieren, um Möglichkeiten zu besprechen..

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