Firmenblog über Micron MT53E2G32D4DE-046 WT:A Low Power DDR4 (LPDDR4) Speicherchip

Mingjiada Electronics bietet den Micron MT53E2G32D4DE-046 WT:A auf Lager, einen Hochleistungs-64-Gbit-Mobile-Low-Power-DDR4-SDRAM-(LPDDR4X)-Speicherchip.

MT53E2G32D4DE-046 WT:A Produktbeschreibung
Der MT53E2G32D4DE-046 WT:A ist ein Hochleistungs-Ultra-Low-Power-Mobile-Dynamic-Random-Access-Memory-(LPDDR4)-Chip, der von Micron Technology hergestellt wird. Durch den Einsatz fortschrittlicher Low-Power-Technologie ist er speziell für mobile Geräte und leistungseingeschränkte Embedded-Systeme konzipiert und bietet Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung und Speicherung mit großer Kapazität.

MT53E2G32D4DE-046 WT:A Produktmerkmale
Low-Power-Design: Der MT53E2G32D4DE-046 WT:A verwendet eine Low-Power-Architektur, die mit 1,1 V arbeitet, wodurch der Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichem DDR4-Speicher erheblich reduziert und die Akkulaufzeit des Geräts verlängert wird.
Hohe Leistung: Der MT53E2G32D4DE-046 WT:A unterstützt eine Taktfrequenz von 2133 MHz mit Datenübertragungsraten von bis zu 4266 Mbit/s und erfüllt damit die Anforderungen an die Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitung.
Speicherung mit hoher Kapazität: Der MT53E2G32D4DE-046 WT:A bietet eine Speicherdichte von 64 Gbit, organisiert in einer 2G x 32-Konfiguration, was eine erhebliche Datenspeicherung ermöglicht.
Flexible Verpackung: Der MT53E2G32D4DE-046 WT:A verwendet ein 200-Ball-TFBGA-Gehäuse mit den Abmessungen 10 x 14,5 x 1,14 mm, das für kompakte Leiterplatten-Designs geeignet ist.
Breiter Temperaturbereich: Der MT53E2G32D4DE-046 WT:A arbeitet in einem Temperaturbereich von -25 °C bis +85 °C und eignet sich somit für verschiedene Umgebungsbedingungen.
Unterstützung für Multi-Chip-Pakete: Der MT53E2G32D4DE-046 WT:A unterstützt Multi-Chip-Package-(MCP)- und Package-on-Package-(PoP)-Designs, wodurch der Leiterplattenplatz optimiert wird.

Spezifikationen
Produktmodell: MT53E2G32D4DE-046 WT:A
Speicherkapazität: 64 Gbit
Betriebsfrequenz: 2133 MHz
Datenübertragungsrate: 4266 Mbit/s
Betriebsspannung: 1,1 V
Gehäusetyp: 200-TFBGA
Temperaturbereich: -25 °C bis +85 °C

MT53E2G32D4DE-046 WT:A Anwendungsszenarien
Der MT53E2G32D4DE-046 WT:A eignet sich für verschiedene Geräte, die hohe Leistung und geringen Stromverbrauch erfordern, einschließlich, aber nicht beschränkt auf:
Smartphones und Tablets: Bietet Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitung und Speicherung mit großer Kapazität bei gleichzeitiger Reduzierung des Stromverbrauchs und Verlängerung der Akkulaufzeit.
Mobile Geräte: Wie Smartwatches und Fitness-Tracker, die Low-Power- und Hochleistungs-Speicherlösungen benötigen.
Embedded-Systeme: Wie industrielle Steuergeräte und medizinische Geräte, die hohe Leistung und geringen Stromverbrauch auf engstem Raum erfordern.
IoT-Geräte: Einschließlich Smart-Home-Geräte und intelligente Sensoren, die Low-Power- und zuverlässige Speicherunterstützung benötigen.

Mingjiada Electronics hat MT53E2G32D4DE-046 WT:A Speicherchips auf Lager, um die vielfältigen Kundenanforderungen zu erfüllen.

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