Firmenblog über Gedächtnis ICs 24FBGA IC des Speicherchip-S70KS1282GABHM020 128Mbit Pseudo-SRAM Chip

Gedächtnis ICs 24FBGA IC des Speicherchip-S70KS1282GABHM020 128Mbit Pseudo-SRAM Chip

Produkt-Beschreibung von S70KS1282GABHM020

S70KS1282GABHM020 ist ein Hochgeschwindigkeits-CMOS, selbst-erneuern D-RAM, mit HyperBus-Schnittstelle. Die D-RAM-Reihe benutzt dynamische Zellen, die periodisches erneuern erfordern.

Spezifikation von S70KS1282GABHM020

Eigenschaften von S70KS1282GABHM020

• Hybride Wahl - eine eingewickelte Explosion gefolgt von der linearen Explosion auf Bandmitte 64.
• Lineare Explosion über Würfelgrenze wird nicht gestützt.
• Konfigurierbare Ertrag-Antriebsstärke

FAQ
Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.