Firmenblog über Speicherchip ESMT M15T4G16256A-DEBG2G DDR3 ((L) SDRAM 32M x 16-Bit x 8 Gruppen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. [Lieferung] Speicherchip ESMTM15T4G16256A-DEBG2GDDR3(L) SDRAM 32M x 16 Bit x 8 Gruppen, brandneu und original, willkommen zu fragen!

M15T4G16256A-DEBG2GBeschreibung:

Der 4Gb Double-Data-Rate-3 (DDR3(L)) DRAM verfügt über eine Doppeldatenrate-Architektur für den Hochgeschwindigkeitsbetrieb.4Gb-Chips sind in 32Mbit x 16 I/O x 8 Gerätegruppen organisiertDiese synchronisierten Geräte können Hochgeschwindigkeitsdoppeldatenübertragungsraten von bis zu 1866 Mb/s/Pin für allgemeine Anwendungen erreichen.

Merkmale derM15T4G16256A-DEBG2G

- Schnittstelle und Stromversorgung

¢ SSTL_135: VDD/VDDQ = 1,35V (-0,067V/+0,1V)

¢ SSTL_15: VDD/VDDQ = 1,5 V (±0,075 V)

¢ JEDEC DDR3 ((L) konform

8n Prefetch Architektur

¢ Differential Clocking (CK/CK) und Datenübertragung (DQS/DQS)

Doppelte Datenquote für DQ, DQS und DM

¢ Datenintegrität

️ Energieeinsparmodus

 Teil-Array-Selbst-Erneuerung (PASR)

¢ Ausgeschalteter Modus

Signalintegrität

¢ Konfigurationsfähige DS für die Systemkompatibilität

️ ZQ-Kalibrierung für die Impedanzgenauigkeit von DS/ODT über externe ZQ-Pads (240 Ohm ± 1)

¢ Signalsynchronisierung

Schreiben der Ausgleichung über MR-Einstellungen

¢ Messwerte über MPR

Programmierbare Funktionen

¢ CAS-Verzögerung (5/6/7/8/9/10/11/12/13/14/15/16)

¢ CAS-Schreibverzögerung (5/6/7/8/9/10/11/12)

 Verzögerung der Zugabe (0/CL-1/CL-2)

Schreiben Sie die Wiederherstellungszeit (5/6/7/8/10/12/14/16)

¢ Blaslänge (BL8/BC4/BC4 oder Echtzeit 8)

️ Selbst-Erneuerungstemperaturbereich (normal/erweitert)

Impedanz des Ausgangstreibers (34/40)

Wenn Sie interessiert sind, wenden Sie sich bitte an Herrn Chen:

Tel: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

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Häufig gestellte Fragen
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