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Firmenblog über LPDDR5 Speicher IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B Dynamischer Zufallsspeicher

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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LPDDR5 Speicher IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B Dynamischer Zufallsspeicher
Neueste Unternehmensnachrichten über LPDDR5 Speicher IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B Dynamischer Zufallsspeicher

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. neu und original [Lieferung] [Übernahme] LPDDR5-Speicher IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B Dynamischer Zufallsspeicher LPDDR5 64G 1GX64 FBGA

 

Einleitung

Microns LPDDR5 DRAM für mobile Geräte und künstliche Intelligenz (KI) ist für die Anforderungen von 5G-Netzwerken konzipiert.4 GbpsDies ist entscheidend, um 5G-Datenengpässe zu vermeiden. LPDDR 5 DRAM erfüllt diese Anforderungen mit einer 50%igen Erhöhung der Datenzugriffsgeschwindigkeit.Das Gerät liefert auch mehr als 20 Prozent mehr Energie im Vergleich zu früheren Generationen.

 

Produktmerkmale

  • Microns fortschrittlicher 1y-nm-Knoten mit 12 GB Kapazität und 6,4 Gbps Datengeschwindigkeit, die das Gesamtdesign des DRAM verbessert
  • Mehr als 50%ige Bandbreitenverbesserung zur Leistungssteigerung bei Smartphones der nächsten Generation wie 5G und KI
  • Aktiviert Funktionen der nächsten Generation auf Edge+ Smartphones
  • Mehr als 20 Prozent Verbesserung der Energieeffizienz im Vergleich zu LPDDR4, so dass Flaggschiff-Smartphones länger zwischen den Ladungen laufen können

 

Spezifikation

Validierung des Chipsets: Nichts

Zykluszeit: 6400 MB/s

Speicherkapazität: 64 GB

FBGA-Code: D9ZNT

Betriebstemperatur: -25 °C ~ +85 °C

Technologie: LPDDR5

Breite: x64

 

Das Unternehmen recyceln nur formelle Kanalquellen, wie Agenten, Händler, Terminalfabriken usw. Wir akzeptieren keine Quellen, die nicht formelle Kanäle sind.

 

Wenn Sie interessiert sind, können Sie uns bitte kontaktieren:

Kontaktperson: Herr Chen/Evaluierungsteam

Mobiltelefonnummer: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Firmen-Homepage:Siehe auch: http://www.hkmjd.com/

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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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