Firmenblog über Langfristige Lieferung und Rückkauf von Infineon IQE046N08LM5: Ein hocheffizientes MOSFET, das speziell für Telekommunikations- und Server DC-DC-Wandler entwickelt wurde

Mingjiada Electronics liefert und kauft seit langem gebrauchte Infineon IQE046N08LM5 Geräte. Dieses Gerät ist speziell für DC-DC-Wandleranwendungen mit hoher Leistungsdichte in Telekommunikations- und Rechenzentrumsservern optimiert. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

IQE046N08LM5 Produktübersicht

Der IQE046N08LM5 ist ein 80V N-Kanal Power-MOSFET mit Logikpegel aus der OptiMOS™ 5-Serie von Infineon und verfügt über ein innovatives PQFN 3,3×3,3 Source-Down-Gehäuse. Dieses Gerät bietet branchenführenden, extrem niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) bei 25°C und eine außergewöhnliche thermische Leistung und ist damit eine ideale Wahl für Schaltnetzteile (SMPS) mit hoher Leistungsdichte, insbesondere für DC-DC-Wandleranwendungen in Telekommunikations- und Rechenzentrumsservern.

IQE046N08LM5 Wichtige technische Vorteile

Revolutionäre Source-Down-Technologie

OptiMOS™ Source-Down nutzt eine interne Silizium-Flip-Chip-Technologie und bietet erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Gehäusen: bessere thermische Leistung, höhere Leistungsdichte und größere Flexibilität beim Layout. Dieses Design verkürzt den Wärmeableitungspfad des Chips und reduziert den thermischen Widerstand, wodurch die Systemzuverlässigkeit effektiv verbessert wird.

Extrem niedriger Einschaltwiderstand

Der IQE046N08LM5 weist einen maximalen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von nur 4,6 mΩ bei VGS = 10 V auf, was einer Reduzierung von etwa 30 % im Vergleich zu Produkten mit ähnlichen Technologien entspricht. Ein niedriger Einschaltwiderstand bedeutet geringere Leitungsverluste und reduzierte Wärmeentwicklung, was die Effizienz der Stromwandlung direkt verbessert.

Logikpegel-Ansteuerung

Dieses Gerät unterstützt die Logikpegel-Ansteuerung, was niedrigere Gate-Ansteuerspannungen (kompatibel mit 4,5V-Ansteuerung) ermöglicht, die Gate-Ladungen Qrr und QOSS reduziert und die Auswahl und das Design des Gate-Treibers vereinfacht.

Optimierte parallele Konfiguration

Mit einem Center-Gate-Gehäusedesign ist dieses Gerät speziell für den parallelen Betrieb mehrerer MOSFETs optimiert, was zur Vereinfachung paralleler Konfigurationen und zur Verbesserung der Stromaufteilung beiträgt.

IQE046N08LM5 Wichtige Parameter

Drain-Source-Spannung (VDS): 80 V

Dauerhafter Drain-Strom (ID @25°C): 99 A

Spitzen-Drain-Strom (IDpuls): 396 A

Einschaltwiderstand RDS(on) (@10V, max): 4,6 mΩ

Einschaltwiderstand RDS(on) (@4,5V, max): 5,9 mΩ

Gate-Ladung Qg (typisch @10V): 38 nC

Gate-Ladung Qg (@4,5V): 19 nC

Verlustleistung (Ptot): 100 W

Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +175°C

Gehäusetyp: PQFN 3,3×3,3 Source-Down

IQE046N08LM5 Wichtige Anwendungen

DC-DC-Wandler für Telekommunikation und Server

Der IQE046N08LM5 ist speziell für Hochleistungs-SMPS-Produkte konzipiert und dient als Kernleistungskomponente in DC-DC-Wandlermodulen für Telekommunikationsgeräte und Rechenzentrumsserver. Angesichts des anhaltenden Wachstums des Strombedarfs für KI-Server und Rechenzentren (die durchschnittliche jährliche Wachstumsrate für KI-Server-Netzteile erreicht 18,8 %) wird der Bedarf an hocheffizienten Power-MOSFETs mit hoher Leistungsdichte immer dringender.

Synchrone Gleichrichtung

Dieses Gerät ist für synchrone Gleichrichtungsanwendungen in Hochleistungs-SMPS optimiert. Sein niedriger Einschaltwiderstand und seine geringe Gate-Ladung ermöglichen es, Gleichrichtungsverluste effektiv zu reduzieren und die Gesamteffizienz des Netzteils zu verbessern.

Warum Mingjiada wählen?

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. ist seit langem auf die Lieferung und das Recycling von Leistungshalbleiterbauelementen spezialisiert. Für den IQE046N08LM5 bieten wir an:

Brandneuer, echter Lagerbestand: Gewährleistung der Produktqualität und Rückverfolgbarkeit

Langfristige, stabile Lieferung: Erfüllung von Großbestellungen und dringenden Nachbestellungen

Professionelle Recyclingdienste: Wir bieten langfristiges Recycling des IQE046N08LM5 und ähnlicher Leistungskomponenten für Fabriken, Forschungsinstitute und Endkunden an und bieten flexible Lagerverwaltungslösungen

Schlussfolgerung

Mit seiner OptiMOS™ 5-Technologie und dem innovativen Source-Down-Gehäuse hat der Infineon IQE046N08LM5 einen neuen Leistungsmaßstab im Bereich der 80V-Power-MOSFETs gesetzt. Ob in DC-DC-Wandlern für die Telekommunikation oder in Server-Netzteilen eingesetzt, er hilft Ingenieuren, eine höhere Leistungsdichte, geringere Systemverluste und ein optimiertes thermisches Design zu erzielen.

Mingjiada Electronics unterstützt Kunden durch seine hochwertigen Lieferkettendienste beim schnellen Erwerb dieser Hochleistungs-Leistungskomponente. Bitte kontaktieren Sie uns telefonisch oder per E-Mail für Anfragen bezüglich Lieferung und Recycling.