Firmenblog über IXYS IXTP160N10T N-Kanal-Erweiterungsmodus Leistungs-MOSFET-Transistoren

IXYSIXTP160N10TN-Kanal-Erweiterungsmodus 100V 160A Leistungs-MOSFET-Transistoren

Beschreibung des ProduktsIXTP160N10T
IXTP160N10Tsind N-Kanal-Verstärkungsmodus-MOSFET-Transistoren mit 100 V 160 A Leistung.

Spezifikation vonIXTP160N10T
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):100 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:160A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7mOhm @ 25A, 10V
Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistung zu messen.
Schaltvorrichtung (Qg) (Max) @ Vgs:132 nC @ 10 V
Vgs (max.): ± 30V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:6600 pF @ 25 V
Leistungsausfall (maximal):430 W (Tc)
Betriebstemperatur: -55 °C ~ 175 °C (TJ)

Merkmale derIXTP160N10T
Sehr geringer Widerstand
Rating für Lawinen
Niedrige Packungsinduktivität
Einfach zu fahren und zu schützen
Betriebstemperatur 175°C
Schnelle innere Diode

Vorteile vonIXTP160N10T
Einfach zu montieren
Raumersparnis
Hohe Leistungsdichte

AnwendungenIXTP160N10T
Automobilindustrie
Motorantriebe
42V-Strombus
ABS-Systeme
Gleichspannungsumrichter und Offline-UPS
Primärschalter für 24V- und 48V-Systeme
Verteilte Energiearchitekturen und VRMs
Elektronische Ventilzugsysteme
Anwendungen für Hochstromschalter
Hochspannungssynchrone Empfänger