Firmenblog über IXYS IXFX230N20T MOSFET-Transistoren mit N-Kanal-Erhöhung der Leistung

IXYSIXFX230N20TMOSFET-Transistoren mit N-Kanal-Erhöhung der Leistung

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Als führender Anbieter in der Elektronikindustrie bietet es seinen Kunden dieIXFX230N20TDer N-Kanal-Verstärkungs-Modus-MOSFET-Transistor.IXFX230N20T, mit seinen hervorragenden Leistungsparametern und einem breiten Anwendungsbereich, zu einem kritischen Bauteil in Strommanagement- und Stromumwandlungssystemen geworden ist.

Produktübersicht vonIXFX230N20T:

Der IXFX230N20T ist ein leistungsstarkes Leistungs-MOSFET mit einem N-Kanal-Verstärkung-Modus-Strukturdesign, das für Hochstrom- und Hochspannungsanwendungen optimiert ist.IXFX230N20TDas Gerät integriert robuste Leistungsmanagementfunktionen in ein TO-247-3 Paket, was es zu einer idealen Wahl für industrielle Stromversorgungen, Motorantriebe und Energieumwandlungssysteme macht.

SpezifikationenIXFX230N20T:

Polarität des Transistors: N-Kanal

Anzahl der Kanäle: 1 Kanal

Vds - Abflussspannung: 200 V

Id - Dauerstrom: 230 A

Rds An - Abflusswiderstand: 7,5 mΩ

Vgs - Spannung der Torquelle: -20 V, +20 V

Vgs th - Schwellenspannung der Torquelle: 3 V

Qg - Torladung: 358 nC

Mindestbetriebstemperatur: -55°C

Höchstbetriebstemperatur: +175°C

Pd - Leistungsausfall: 1,67 kW

Kanalmodus: Erweiterungsmodus

Einheitsgewicht: 6 g

Merkmale derIXFX230N20T:

Internationale Standardverpackung

Hohe Stromübertragung

Schnelle innere Diode

Lawineneinstufung

Niedriges RDS ((an)

Wichtige technische Merkmale derIXFX230N20T:

Ultrahohe Strommenge: Kontinuierlicher Abflussstrom (Id) bis 230 A (bei Temperatur Tc), so dass der IXFX230N20T den Anforderungen von Hochleistungsanwendungen gerecht wird

Ausgezeichnete Eigenschaften im Betriebszustand: Entwässerungswiderstand (Rds ((on)) von nur 7,5 mΩ, was die Betriebsverluste erheblich reduziert und die Systemeffizienz verbessert

Robuste Spannungsspezifikationen: Die Abflussspannung (Vds) von 200 V und der Spannungsbereich (Vgs) von ± 20 V bei der Ableitung bieten einen breiten sicheren Betriebsbereich.

Ausgezeichnete thermische Leistung: Leistungsausfall (Pd) von bis zu 1,67 kW (bei Tc-Bedingungen) und Betriebsumgebung in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C

DieIXFX230N20Tverwendet die firmeneigene HiPerFET-Technologieplattform von IXYS, die die Struktur des Geräts und die Materialeigenschaften optimiert, um ein optimales Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit, Einsatzwiderstand,und thermische StabilitätEine Torladung (Qg) von 358nC sorgt für schnelle Schaltübergänge, während eine Tor-Quell-Schwellenspannung (Vgs th) von 3V eine ausgezeichnete Steuerungsempfindlichkeit bietet.

Anwendung vonIXFX230N20T:

DieIXFX230N20TLeistung MOSFET mit seinen hervorragenden elektrischen Eigenschaften zeigt breites Anwendungspotenzial in mehreren Industriezweigen:

Industrielle Stromversorgungssysteme

Konstruktionen für schaltbare Stromversorgung (SMPS) mit hoher Leistung, insbesondere für Server- und Telekommunikationsbasistationen

Inverter und Geradlinersysteme für ununterbrochene Stromversorgungssysteme

Steuerungen für industrielle Motorantriebe mit hohem Drehmoment

Ausgangsstufen für Schweißgeräte und Plasmaschneider

Neue Energie und Energieumwandlung:

Gleichstrom-Wechselstrom-Umwandlungsschaltkreise in Solarumrichtern

Leistungsregelungseinheiten in Windenergiesystemen

Energiemanagementmodule in Energiespeichersystemen für Batterien (BESS)

Leistungsumwandlungsstufen in Ladesäulen für Elektrofahrzeuge

Andere Hochleistungsanwendungen:

Ausgangsstufen in Audioverstärkern, insbesondere Hochleistungsverstärkern professioneller Qualität

Resonanzkreise in Induktionsheizgeräten

Anwendungen für Schnellschaltanlagen in Impulse-Stromsystemen

Hochstromlastschalter in Prüf- und Messgeräten

Vorteile der KonstruktionIXFX230N20T:

Hohe Effizienz: Niedriger Widerstand und optimierte Schaltmerkmale reduzieren den Energieverlust und erhöhen die Gesamtsystemeffizienz

Hohe Zuverlässigkeit: Das TO-247-3-Paket bietet eine ausgezeichnete thermische Leistung, kombiniert mit einem breiten Betriebstemperaturbereich, der einen stabilen Betrieb in rauen Umgebungen gewährleistet

Konstruktionsflexibilität: Ein breiter Spannungsbereich von ± 20 V vereinfacht die Konstruktion der Treiberschaltung und ist kompatibel mit verschiedenen Steuerausgängen