Firmenblog über IRFP3206 N-Kanal Power MOSFET: Eine detaillierte Analyse des 60V/200A Hochleistungs-Feldeffekttransistors

Shenzhen Mingjiada Electronics, der Vertriebspartner von Infineon, hatIRFP320660V Single-N-Channel StrongIRFETTM Leistungs-MOSFETs auf Lager, in TO-247 Verpackungen.

Ich...IRFP3206Produktübersicht

DieIRFP3206ist ein N-Kanal-MOSFET der Infineon Technologies®-Serie HEXFET®.Es weist einen extrem niedrigen Ansprechwiderstand und eine hervorragende Schaltleistung auf.Dieses Gerät, das in einem TO-247AC-Paket untergebracht ist, ist speziell fürfür hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen und ist weltweit als eines der TO-247-verpackten Leistungs-MOSFETs mit dem niedrigsten Einschaltwiderstand in der Spannungsklasse 60V anerkannt.

Als hochleistungsfähige Schaltvorrichtung eignet sich die IRFP3206 besonders gut für Anwendungen wie hocheffiziente synchrone Berichtigung, ununterbrochene Stromversorgungen,mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 WDieses Produkt ist RoHS-zertifiziert und bleifrei und entspricht den geltenden Umweltvorschriften.

II.IRFP3206Wichtige technische Spezifikationen

Hersteller: Infineon

Produktmodell:IRFP3206

FET-Typ: N-Kanal

Technologie: MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter)

Auslaufspannung (Vdss): 60V

Kontinuierlicher Abflussstrom (Id): 120A (Packungsgrenze) / 200A (Wafergrenze)

Impulsausflussstrom: 840A

An-Widerstands-RDS ((an) (typisch): 2,4mΩ

Maximaler Betriebswiderstand RDS ((an): 3,0 mΩ @ 75 A, 10 V

Schrankschwellenspannung Vgs ((th): 4 V @ 150 μA

Durchgangsaufladung Qg: 170 nC @ 10 V

Eintrittskapazität Ciss: 6540 pF @ 50 V

Ausgangskapazität Coss: 720 pF

Rückwärtsübertragungskapazität Crss: 360 pF

Leistungsausfall Pd: 280 W

Spannung der Torquelle Vgs: ±20 V

Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C

Verpackungstyp: TO-247AC (durchlöchrige Montage)

Verpackung: in Rohren, 25 pro Rohr

III.IRFP3206Produktmerkmale und Vorteile

1. Extrem geringer Widerstand

Der IRFP3206 erzielt bei einem 10-Volt-Gate-Antrieb einen Einschaltwiderstand von nur 2,4 mΩ (typisch), wobei der Maximalwert nur 3,0 mΩ beträgt.Diese extrem niedrige RDS ((on) führt zu geringeren Leitverlusten und einer höheren Systemeffizienz, so dass sie besonders für Hochstrom-Leistungsumwandlungsanwendungen geeignet ist.

2. Hohe Stromtragfähigkeit

Die Silizium-Matrize ermöglicht einen kontinuierlichen Abflussstrom von bis zu 200 A, während das Paket für 120 A eingestuft ist; Impulskräfte können 840 A erreichen und den Anforderungen anspruchsvoller Hochleistungsanwendungen gerecht werden.

3Ausgezeichnete Lawine und Robustheit

Das Gerät verfügt über eine verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit, die es ermöglicht, Spitzenspannungen und vorübergehende Überspannungen im Stromkreis wirksam zu widerstehen.damit die Zuverlässigkeit des Systems erhöht wird.

4. Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Die vollständig charakterisierten Kapazitätseigenschaften und der lawinensichere Betriebsbereich (SOA) liefern den Ingenieuren genaue Entwurfsreferenzen, wodurch die Entwurfsrisiken verringert werden.

5Verbesserte Kapazitäten für Körperdioden

Verbesserte Kapazitäten der Karosseriediode dV/dt und dI/dt verringern die Rückgewinnungsverluste in Anwendungen wie der synchronen Berichtigung.

6. Industrie-Standard TO-247AC Paket

Das TO-247AC Durchlöcherpaket bietet eine hervorragende thermische Leistung und mechanische Festigkeit und erleichtert so das PCB-Layout und das thermische Design.

IV.IRFP3206Typische Anwendungsbereiche

Durch seine hohe Stromkapazität, seinen geringen Stromwiderstand und seine außergewöhnliche Robustheit wird die IRFP3206 in folgenden Bereichen weit verbreitet:

Hocheffiziente synchrone Berichtigung in Schaltmodus-Stromversorgungen (SMPS): Der extrem geringe Einsatzwiderstand verbessert die Leistungsumwandlungseffizienz erheblich

Ununterbrochene Stromversorgung (UPS): Hohe Stromtragfähigkeit und hervorragende thermische Leistung sorgen für den stabilen Betrieb von UPS-Systemen

Hochgeschwindigkeitsschalter: geeignet für Leistungsumwandlungsschaltungen, die schnelle Schaltvorgänge erfordern

Hard-Switching- und Hochfrequenz-Schaltkreise: Überlegene Schaltmerkmale erfüllen die Anforderungen an den Hochfrequenzbetrieb

Gleichstrommotorantriebe: Hohe Stromkapazität eignet sich für die Steuerung von Hochleistungsmotoren

Batteriemanagementsysteme: Niedrige Widerstandsverluste verlängern die Akkulaufzeit

Wechselrichter und Gleichspannungskonverter: Häufig in verschiedenen Leistungskonvertierungs-Topologien verwendet

Kontaktdaten

Unternehmen: Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Adresse der Gesellschaft: Zimmer 12391241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Provinz Guangdong

Telefon: 86-755-83294757 / 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Offizielle Website:Die Kommission hat die Kommission aufgefordert,