Mingjiada Electronics liefert dieIRF1310NPBF, ein hochleistungsfähiges 100V-N-Kanal-MOSFET, das von Infineon eingeführt wurde,die eine hervorragende Leistung in effizienten Anwendungen für das Strommanagement bietet und eine unverzichtbare Schlüsselkomponente in zahlreichen elektronischen Geräten ist.
Produktübersicht vonIRF1310NPBF
Der IRF1310NPBF ist ein leistungsstarkes N-Kanal-MOSFET mit fortschrittlicher HEXFET®-Technologie, das extrem geringen Widerstand und hervorragende Schaltleistung bietet.Der IRF1310NPBF ist in einem TO-220AB-Paket verpackt und ist ideal für Hochstrom, Hochspannungs-Strommanagementanwendungen wie Schaltnetzteile, Motorantriebe und industrielle Steuerungssysteme.Es ist die bevorzugte Wahl für Ingenieure in der Stromversorgung.
Eigenschaften und Parameter vonIRF1310NPBF
Grundlegende elektrische Parameter: Der IRF1310NPBF verfügt über eine maximale Abflussspannung von 100 V, einen kontinuierlichen Abflussstrom von bis zu 42 A und eine maximale Leistungsaufnahme von 160 W.Es verfügt über einen extrem niedrigen WiderstandDie Torladung beträgt 110nC @ 10V, die Eingangskapazität 1,9nF @ 25V und die Umkehrübertragungskapazität 230pF @ 25V.
Betriebstemperaturbereich: Der IRF1310NPBF kann innerhalb eines breiten Temperaturbereichs von -55°C bis +175°C stabil arbeiten.Anpassung an verschiedene raue Betriebsumgebungen und Sicherstellung eines zuverlässigen Betriebs der Ausrüstung unter unterschiedlichen Temperaturbedingungen.
Packungsmerkmale: Die IRF1310NPBF ist in einer TO-220AB-Verpackung mit Abmessungen von 10,54 mm Länge, 4,4 mm Breite und 8,77 mm Höhe untergebracht.mit hervorragender Wärmeablösung und elektrischer IsolierungDas Verpackungsmaterial bietet eine Hochspannungsisolierung von bis zu 2,5 kVRMS und eine Kriechweite von 4,8 mm, wodurch Probleme wie Leckagen und Kurzschlüsse wirksam vermieden werden.
Dynamische Leistungsparameter: IRF1310NPBF verfügt über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, die eine effiziente Leistungsumwandlung ermöglicht.hervorragende Leistung in Hochfrequenz-SchaltanwendungenDarüber hinaus verfügt der IRF1310NPBF über eine Absorptionsfähigkeit für Lawinenenergie, die bestimmten Überlastungen und vorübergehenden Spannungsspannen standhält und die Zuverlässigkeit und Sicherheit des Systems verbessert.
Detaillierte Parameter vonIRF1310NPBF
FET-Typ: N-Kanal-MOSFET
Abflussspannung: 100 V
Kontinuierlicher Abflussstrom: 42A (bei 25°C)
An-Widerstand: 36mΩ (bei 10V, 22A)
Durchgangsaufladung: 110nC (bei 10V)
Eintrittskapazität: 1900 pF (bei 25 V)
Spannung der Torquelle: ±20V
Schwellenspannung: 2 V bis 4 V
Verpackungstyp: TO-220AB (durchlöchrige Montage)
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +175°C
Leistungsausfall: 160 W (bei 25 °C)
Typische Anwendungen
DieIRF1310NPBFist in folgenden Bereichen weit verbreitet:
Wechselstromversorgung (SMPS): Wird in AC-DC-Umwandlung und DC-DC-Modulen zur Steigerung der Energieeffizienz verwendet.
Motorantriebe: Geeignet für die industrielle Motorsteuerung, Elektrowerkzeuge und automatisierte Geräte.
Strommanagementmodule: In UPS-Systemen, Wechselrichtern und Batteriemanagementsystemen verwendet.
Automobilelektronik: Erfüllt hohe Zuverlässigkeitsanforderungen an Fahrzeugstromversorgungen und LED-Treiber.
Verbraucherelektronik: wie z. B. Audioverstärker und Hochleistungsladegeräte.
Versorgung und Unterstützung
Mingjiada Electronics bietet als renommierter Vertriebspartner für elektronische Komponenten echteIRF1310NPBFFür technische Unterstützung oder Großkäufe von IRF1310NPBF wenden Sie sich bitte an Mingjiada Electronics, um das beste Angebot zu erhalten.
Kontaktinformationen
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E-Mail: sales@hkmjd.com
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