Firmenblog über Infineon-Transistoren IGW20N60H3 Hochgeschwindigkeit 600V 20A Einzel-TrenchstopTM IGBT der dritten Generation

Transistoren zur elektronischen Versorgung von MingjiadaIGW20N60H3Hochgeschwindigkeit 600V 20 A Single 3rd Generation TRENCHSTOPTM IGBTs in TO247 Paket mit perfektem Gleichgewicht zwischen Schalt- und Leitverlust.Das wichtigste Merkmal dieser Serie ist das MOSFET-ähnliche Schaltverhalten mit reduzierten Schaltverlusten.

Merkmale derIGW20N60H3

• Die Technologie TRENCHSTOPTM bietet
• Sehr niedrige Schwingungsfrequenz
• Niedrige elektromagnetische Störungen
• Sehr weiche, schnell erholbare Anti-Paralleldioden
• Höchstverbindungstemperatur von 175°C
• Erfüllt die Anforderungen der JEDEC-Zielanwendung
• Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform

AnwendungenIGW20N60H3

• Ununterbrochene Stromversorgungen
• Schweißschweißmaschinen
• Schaltfrequenzwandler mit hoher Schaltfrequenz

Produktvorteile vonIGW20N60H3

• Niedrige Schalt- und Leitverluste
• Sehr gutes EMI-Verhalten
• Kann in Verbindung mit kleinen Torwiderständen verwendet werden, um die Verzögerungszeit zu verkürzen und Spannungsüberschreitungen zu reduzieren
• Hohe Stromdichte
• Best-in-Class 600V IGBT-Effizienz und EMI-Verhalten

SpezifikationenIGW20N60H3

• Produktkategorie: Isolierter Gate Bipolar Transistor (IGBT)
• Technologie: Si
• Paket / Fall: TO-247-3
• Montage: Durch ein Loch
• Konfiguration: Einfach
• Höchstspannung zwischen Kollektor und Emitter VCEO: 600 V
• Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters: 1,95 V
• Höchstspannung des Tores/Emittors: - 20 V, 20 V
• Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C: 40 A
• Pd-Leistungsausfall: 170 W
• Mindestbetriebstemperatur: - 40 °C
• Höchstbetriebstemperatur: + 175 °C
• Serie: HighSpeed 3
• Durchlässigkeit des Tor-Emitters: 100 nA

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Häufig gestellte Fragen

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A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
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