Firmenblog über InfINEON S26HS512TGABHI003 High-Density SEMPERTM NOR Flash-Speicher-IC

INFINEONS26HS512TGABHI003High-Density SEMPERTM NOR Flash-Speicher-IC

Beschreibung des ProduktsS26HS512TGABHI003
S26HS512TGABHI003ist ein Mitglied der SEMPERTM NOR Flash-Speicherfamilie von Infineon und verfügt über eine Dichte von 512 Mbit.Dieses Gerät arbeitet auf einer HYPERBUS-Schnittstelle mit einer Bandbreite von 400 MByte/s und einer Betriebsspannung von 1.8 V. Es verfügt über eine blitzschnelle Schnittstellenfrequenz von 200 MHz (DDR) und ist in einem robusten Infineon PG-BGA-24 Paket enthalten.

Die Infineon SEMPERTM Flash-Produktfamilie besteht aus Hochgeschwindigkeits-CMOS-, MIRRORBITTM- oder Flash-Geräten, die mit der JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) -Spezifikation kompatibel sind.SEMPERTM Flash ist für die Funktionssicherheit entwickelt und nach ISO 26262-Standard entwickelt worden, um ASIL-B-Konformität und ASIL-D-Readiness zu erreichen.

Parameter derS26HS512TGABHI003
Dichte: 512 MBit
Familie: HS-T
Bandbreite der Schnittstelle: 400 MByte/s
Schnittstellenfrequenz:200 MHz
Schnittstellen:Hyperbus
Bleiballveredelung:Sn/Ag/Cu
Betriebstemperatur: -40 °C - 85 °C
Betriebsspannung: 1,8 V 1,7 V 2 V
Spitzenrückflusstemperatur: 260 °C

Merkmal derS26HS512TGABHI003
Infineon 45-nm MIRRORBITTM-Technologie, die zwei Datenbits in jeder Speicher-Array-Zelle speichert
Sektorarchitekturoptionen
Seite Programmierung Puffer von 256 oder 512 Bytes
OTP-sichere Siliziumregion (SSR) von 1024 Bytes (32 × 32 Bytes)
HYPERBUSTM-Schnittstelle
SEMPERTM Flash mit HYPERBUSTM-Schnittstellen-Geräten unterstützt den Standardstart in der alten SPI (x1) oder HYPERBUSTM-Schnittstelle (x8)
AutoBoot ermöglicht den sofortigen Zugriff auf die Speicher-Array nach dem Einschalten
Hardware-Reset durch CS#-Signalmethode (JEDEC) UND individueller RESET#-Pin
Serielle Flash-Erkennbarkeitsparameter (SFDP), die die Funktionen und Eigenschaften des Geräts beschreiben
Identifizierung des Geräts, Herstelleridentifizierung und eindeutige Identifizierung