Vor dem Hintergrund immer strengerer globaler Energieeffizienzstandards und einer beschleunigten Elektrifizierung entwickeln sich Hochleistungs-Leistungs-MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) zu kritischen Schaltgeräten im Herzen von Stromumwandlungs- und Steuerungssystemen. Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. (im Folgenden „Mingjiada Electronics“ genannt), ein weltweit renommierter autorisierter unabhängiger Distributor elektronischer Komponenten mit fast drei Jahrzehnten Branchenerfahrung, ist bestrebt, Kunden weltweit 100 % echte Infineon-Leistungs-MOSFET-Produkte über das gesamte Portfolio und Lösungen aus einer Hand zu bieten. Unser Angebot deckt ein breites Anwendungsspektrum ab, das von Automobilanwendungen bis hin zu allgemeinen Industrieanforderungen reicht.
Infineon Power MOSFET-Technologiematrix
Infineon bietet das branchenweit umfassendste und fortschrittlichste Leistungs-MOSFET-Portfolio mit Nennspannungen von 12 V bis 2000 V (bis zu 2 kV für SiC-Geräte) und Nennströmen von 1 A bis 300 A. Nennströme von 1 A bis 300 A und innovative Technologien wie Trench Gate, Superjunction und Siliziumkarbid (SiC). Dies sorgt für einen branchenführenden niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), eine niedrige Gate-Ladung (Qg) und eine hervorragende thermische Leistung.
Kerntechnologieplattformen
OptiMOS™-Serie: Hocheffiziente, verlustarme MOSFETs auf Basis der Trench-Technologie, geeignet für Hochfrequenz-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung und Motorantriebe
CoolMOS™-Serie: Revolutionäre Superjunction-Technologie mit extrem geringen Schalt- und Leitungsverlusten, optimiert für PFC, Server-Netzteile und Beleuchtungssysteme
CoolSiC™-Serie: Trench-Gate-SiC-MOSFETs, die eine Sperrschichttemperatur von 175 °C unterstützen und für EV-Antriebsstränge, PV-Wechselrichter und Ladestationen geeignet sind
StrongIRFET™-Serie: AEC-Q101-zertifizierte Automobil-MOSFETs mit außergewöhnlicher Lawinenfestigkeit und einer Betriebstemperatur von 175 °C
Kernversorgungsprodukte
MOSFETs für die Automobilindustrie
AEC-Q101-konforme Serie: Erfüllt die Automobilzuverlässigkeitsstandards mit hoher Haltbarkeit und verlängerter Lebensdauer für anspruchsvolle Fahrzeugumgebungen.
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
OptiMOS™-Serie: Bietet einen branchenführenden niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) über niedrige bis mittlere Spannungsbereiche und ermöglicht so einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und eine hervorragende Schaltleistung.
CoolMOS™-Serie: Nutzt die für Hochspannungsanwendungen (600 V und höher) optimierte Super-Junction-Technologie und gleicht Leitungsverluste mit der Schaltleistung aus.
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs
P-Kanal-MOSFETs in Automobil- und Industriequalität: Vereinfachen Sie das Design von High-Side-Schaltkreisen und eignen sich besonders für die Leistungspfadsteuerung, Lastschaltung und ähnliche Anwendungen.
Hauptvorteile der Wahl von Mingjiada Electronics
1. Original-OEM-Produkte, garantierte Qualität: Wir verpflichten uns, alle Produkte über offizielle Infineon-Autorisierung oder autorisierte Kanäle zu beziehen und bieten eine vollständige Originalverpackung und eine rückverfolgbare Dokumentation, um die Sicherheit der Lieferkette von der Quelle an zu gewährleisten.
2. Riesiger Lagerbestand, schnelle Lieferung: Mit großen Lagern in Shenzhen und Hongkong, die über eine Million Komponenten-SKUs lagern, verfügen wir über einen ausreichenden Lagerbestand für beliebte Modelle wie Infineon-MOSFETs. Wir unterstützen den Versand von Notfallbestellungen innerhalb von 4 Stunden und den Expressversand für Standardbestellungen, wodurch der Lieferdruck der Kunden erheblich verringert wird.
3. Wettbewerbsfähige Preise und flexible Beschaffung: Durch die Nutzung intensiver Partnerschaften mit Vorlieferanten und des Großeinkaufs bieten wir marktgerechte Preise. Unser Beschaffungsmodell ist außergewöhnlich flexibel und geht auf Anfragen von Einzelmustern bis hin zu Produktionsläufen mit Millionen Einheiten ein und deckt nahtlos alle Phasen von Forschung und Entwicklung über die Pilotproduktion bis hin zur Massenfertigung ab.
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