Firmenblog über Infineon N-Kanal-Leistungs-MOSFET IPB117N20NFD OptiMOS™ FD Leistungstransistor, 200V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.ist ein spezialisierter Lieferant für elektronische Bauelemente, der eine langfristige Lagerverfügbarkeit des Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon anbietet – den IPB117N20NFD. Dieses Produkt gehört zur OptiMOS™ FD-Serie, die für ihre außergewöhnliche Leistung und hohe Zuverlässigkeit bekannt ist und sich daher für vielfältige Hochleistungsanwendungen eignet.

IPB117N20NFD Produktübersicht
Der IPB117N20NFD ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor von Infineon Technologies, der die fortschrittliche OptiMOS™ FD (Fast Diode)-Technologie verwendet.

Dieser 200V IPB117N20NFD gehört zur OptiMOS™ FD-Serie, die speziell für das harte Schalten der Body-Diode optimiert wurde.

Der IPB117N20NFD verwendet ein TO-263-3-Gehäuse (auch bekannt als D2PAK), das für die Oberflächenmontagetechnik geeignet ist und ein effizientes Löten und die Montage auf automatisierten Produktionslinien ermöglicht.

IPB117N20NFD Wichtige Leistungsparameter
Drain-Source-Spannung (VDS): 200V
Maximaler Einschaltwiderstand (FOS(uv)): 11,7 mΩ
Dauer-Drain-Strom (ID): 84A (bei Tc=25°C)
Puls-Drain-Strom: 336A (bei Tc=25°C, I0=67A, R0B=25Ω)
Rückwärtsdioden-Peak-dv/dt: 60kV/μs (bei ln=160A, V0B=100V, dir/t=1500A/μs, Tjmax=175°C)
Gate-Source-Spannung (VGS): -20V bis 20V
Verlustleistung (Pd): 300W (bei Tc=25°C)
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C

Produktmerkmale
Der IPB117N20NFD integriert mehrere fortschrittliche Technologien und bietet folgende wichtige Eigenschaften:
Erhöhte Robustheit: Optimiert für die Belastbarkeit beim harten Schalten der Body-Diode, wodurch die Systemzuverlässigkeit in rauen Schaltumgebungen verbessert wird.
Fast Diode-Technologie: Enthält eine Low-Qrr-Fast-Diode (FD)-Technologie, die die Rückwärts-Erholungs-Ladung und -Zeit erheblich reduziert und so eine überlegene Leistung in Anwendungen wie Schaltnetzteilen ermöglicht.
Energieeffizienz und Leistungsdichte: Mit branchenführenden Rds(on)- und Qg-Parametern erreicht der IPB117N20NFD eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte, wodurch Entwickler den Produkt-Footprint reduzieren können.
Umweltverträglichkeit und Sicherheit: Der RoHS-konforme und halogenfreie IPB117N20NFD erfüllt strenge Umweltanforderungen für moderne Elektronik und bietet gleichzeitig hervorragende Temperatureigenschaften und Langzeitstabilität.

Anwendungsszenarien
Der IPB117N20NFD findet in verschiedenen Bereichen breite Anwendung, darunter:
Telekommunikationsausrüstung: Bereitstellung eines hocheffizienten Energiemanagements.
Industrielle Netzteile: Gewährleistung einer stabilen Stromversorgung.
Class-D-Audioverstärker: Verbesserung der Leistung in Audiogeräten.
Motorsteuerung: Präzise Regulierung des Motorbetriebs.
DC-AC-Wechselrichter: Ermöglichen einer effizienten Leistungsumwandlung.

Gehäusetyp
Der IPB117N20NFD verwendet ein PG-TO 263-3-Gehäuse, das Platzvorteile sowie eine einfache Installation und Handhabung bietet.

Zusammenfassung
Der von Mingjiada Electronics gelieferte Infineon IPB117N20NFD Leistungs-MOSFET stellt einen leistungsstarken, vielseitigen 200V N-Kanal-MOSFET dar. Sein geringer Einschaltwiderstand, die hohe Schaltgeschwindigkeit und die niedrige Einschaltspannung bieten eine zuverlässige Lösung für verschiedene Hochleistungsanwendungen. Ob in der Telekommunikation, in industriellen Netzteilen oder in Audiogeräten, der IPB117N20NFD erfüllt die Anforderungen der Benutzer an Hochleistungs-Leistungs-MOSFETs.

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