Firmenblog über Infineon lanciert das N-Channel OptiMOSTM Power MOSFET IPB038N12N3G

Heute stellt Infineon das N-Kanal OptiMOSTM Power MOSFET-IPB038N12N3G vor. Es ist das führende Power MOSFET mit der höchsten Leistungsdichte und energieeffizientesten Lösungen.Ultra-niedrige Tor- und Ausgangsladungen und der geringste Einschaltwiderstand in einer kleinen Packungsgröße machen sie ideal, um die anspruchsvollen Anforderungen an Spannungsreglerlösungen in Server zu erfüllenUltra-schnelle Schaltkontroll-FETs und EMI-arme synchrone FETs bieten einfach zu entwerfende Lösungen.Die N-Kanal-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung und sind für die Gleichstromkonvertierung optimiert.

Einleitung

Die 120-Volt-OptiMOSTM-Familie bietet für eine Vielzahl von Anwendungen die branchenweit niedrigste Betriebswiderstandsleistung und die schnellste Schaltleistung, was eine hervorragende Leistung ermöglicht.Die 120-Volt-OptiMOSTM-Technologie eröffnet neue Möglichkeiten zur Erreichung optimierter Lösungen.

Beschreibung der Merkmale

Überlegene Schaltleistung

Die niedrigste der Welt

Sehr niedrige Qg und Qgd

Ausstehende Gate-Gebühren x R DS ((on)) Produkte (FOM)

RoHS-konform - halogenfrei

MSL1-Klasse 2

Spezifikation

Hersteller: Infineon

Produktkategorie: MOSFETs

Technologie: Si

Montageart: SMD/SMT

Packung / Gehäuse: D2PAK-3 (TO-263-3)

Polarität des Transistors: N-Kanal

Anzahl der Kanäle: 1 Kanal

Vds-Drain-Brennspannung: 120 V

Id - Dauerstrom: 120 A

Rds An- und Abflusswiderstand: 3,2 mOhms

Vgs - Spannung der Torquelle: - 20 V + 20 V

Vgs th - Schwellenspannung der Torquelle: 2 V

Qg-Gate-Lade: 211 nC

Mindestbetriebstemperatur: - 55 °C

Höchstbetriebstemperatur: + 175 °C

Pd-Leistungsverlust: 300 W

Kanalmodus: Erweiterung

Handelsmarke: OptiMOS

Serie: OptiMOS 3

Konfiguration: Einfach

Fallzeit: 21 ns

Vorwärtsüberleitung - min: 83 S

Höhe: 4,4 mm

Länge: 10 mm

Produktart: MOSFET

Aufstiegszeit: 52 ns

Fabrikpaket Menge: 1000

Unterkategorie: MOSFETs

Transistortyp: 1 N-Kanal

Typische Ausschaltzeit: 70 ns

Typische Einstiegsverzögerungszeit: 35 ns

Breite: 9,25 mm

Über Infineon Technologies

Infineon ist ein weltweit führendes Halbleitertechnologieunternehmen, das sich der Schaffung einer bequemen, sichereren und umweltfreundlicheren Welt verschrieben hat.Wir bieten eine umfassende Palette von Halbleiterlösungen, die ein effizientes Energiemanagement ermöglichen, intelligente Mobilität und sichere, nahtlose Kommunikation, die die reale und digitale Welt verbindet.