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Firmenblog über INFINEON IRF7328TRPBF 30V P-Kanal-MOSFET-Transistoren für die Leistung

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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INFINEON IRF7328TRPBF 30V P-Kanal-MOSFET-Transistoren für die Leistung
Neueste Unternehmensnachrichten über INFINEON IRF7328TRPBF 30V P-Kanal-MOSFET-Transistoren für die Leistung

INFINEONIRF7328TRPBF30V-MOSFET-Transistoren mit P-Kanal-Leistung

 

Beschreibung des ProduktsIRF7328TRPBF

IRF7328TRPBFPower MOSFETs nutzen bewährte Siliziumprozesse und bieten Designern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung,Schaltungen für Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen.

 

Die neuen HEXFET® Power MOSFETs verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erzielen.kombiniert mit dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in Batterie- und Lastmanagementanwendungen.

 

Merkmal derIRF7328TRPBF
Grabentechnik
Ultra-niedriges Widerstandsniveau
MOSFET mit doppelten P-Kanälen
Erhältlich auf Band und Rollen
Bleifrei

 

AnwendungenIRF7328TRPBF
Mobilgeräte und Smartphones

 

SO-8-Band und -Rolle

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Kneipen-Zeit : 2024-12-03 13:01:10 >> Nachrichtenliste
Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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