InfineonIPW65R110CFD650V CoolMOSTM N-Kanal-MOSFET-Transistoren
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Als renommierter Anbieter von elektronischen Komponenten bietet Infineon nun dieIPW65R110CFD650V CoolMOSTM N-Kanal-MOSFET-Transistor. Dieses Produkt repräsentiert das marktführende Hochspannungs-MOSFET der zweiten Generation von Infineon,Leistung und Zuverlässigkeit, die es zu einer idealen Wahl für industrielle Anwendungen machen.
- Ich weiß.IPW65R110CFDProduktübersicht
Der IPW65R110CFD stellt das zweite Generation-Hochspannungs-CoolMOSTM MOSFET von Infineon dar, das eine fortschrittliche 650-Volt-Technologie mit integrierter schneller Körperdiode verwendet.Dieses Gerät folgt der 600-Volt-CFD-Technologie, die weitere Verbesserungen der Energieeffizienz bewirken.
Die CoolMOSTM-Technologie basiert auf dem revolutionären Super-Junction-Prinzip und übersteigt die Grenzen herkömmlicher MOSFETs.IPW65R110CFDEr erbt nicht nur die hohe Effizienz der CoolMOSTM-Serie, sondern bietet auch Optimierungen für mehrere Schlüsselparameter.
Die Schaltanlage ist so konzipiert, dass sie eine höhere Leistungsdichte und eine höhere Schaltleistung bietet.IPW65R110CFDDas Produkt bietet durch sein weicheres Kommutationsverhalten und seine verbesserten elektromagnetischen Interferenzmerkmale eine deutlich bessere Wettbewerbsfähigkeit als konkurrierende Produkte.Diese Eigenschaften erleichtern die einfache Integration des Designs und bieten gleichzeitig einen wettbewerbsfähigeren Preis.
¢Hauptmerkmale und Leistungsparameter vonIPW65R110CFD- Ich weiß.
Die IPW65R110CFD verfügt über mehrere beeindruckende charakteristische Parameter, die ihre hervorragende Leistung in verschiedenen Anwendungen direkt bestimmen:
Dieses MOSFET verfügt über eine Abflussspannung (VDS) von bis zu 650 V, was eine große Sicherheitsspanne bietet.Während der Pulsausflussstrom (IDM) bei 99 erreicht.6A.
Der maximale Entwässerungsquellen-An-Widerstand (RDS ((on)) beträgt 110mΩ (getestet bei 10V Torspannung), wobei die typischen Werte noch niedriger sind.
DieIPW65R110CFDverwendet ein TO-247-Paket mit einer typischen Torladung (Qg) von 118 nC (@ 10V). Diese niedrige Torladung reduziert die Schaltverluste erheblich.außergewöhnliche Leistungsfähigkeit aufweisen.
Die IPW65R110CFD enthält außerdem eine ultraschnelle Karosserie-Diode mit extrem geringer Umkehrladung (Qrr),so dass es die Spannungsüberschreitung bei einem harten Wechsel begrenzen und so die Systemzuverlässigkeit erhöhen kann.
- Ich weiß.IPW65R110CFDProduktmerkmale
Die IPW65R110CFD verwendet die fortschrittliche CoolMOSTM CFD2-Technologie von Infineon mit einer integrierten schnellen Karosserie-Diode, die eine signifikante Effizienzverbesserung gegenüber früheren Generationen bietet.
Zu den wichtigsten Merkmalen gehören:
Hochspannungsfähigkeit: 650 V Abflussspannung (VDS) bietet einen zusätzlichen Entwurfsanteil.
Niedriger Stromwiderstand: Der maximale Stromwiderstand von 110mΩ (bei 10V VGS) verringert effektiv den Leitverlust.
Hohe Leistungsfähigkeit: Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bis zu 31,2A, mit einem Impulsstrom (IDpuls) von 99,6A.
Schnelle Schaltleistung: Schaltverluste werden durch eine geringe Torladung (Qg von nur 118nC) und eine geringe Rückgewinnungsladung (Qrr) deutlich reduziert.
Überlegene thermische Eigenschaften: Maximale Leistungsauflösung von 277,8 W mit einem Wärmewiderstand (RthJC) von nur 0,45 K/W. Verwendet das klassische TO-247-Paket für eine einfache thermische Steuerung.
- Ich weiß.IPW65R110CFDHauptvorteile
DieIPW65R110CFDÜberschreitet ein Standard-MOSFET und bietet mehrere Vorteile für das Design:
Weicheres Kommutationsverhalten und eine überlegene Leistung bei elektromagnetischen Interferenzen (EMI), die gegenüber konkurrierenden Lösungen deutliche Vorteile bieten.
Niedriges Qrr während des wiederholten Schaltens der Karosserie-Diode, wodurch Schaltverluste wirksam reduziert werden.
Selbstbegrenzende Di/dt- und dv/dt-Fähigkeit, die die Systemzuverlässigkeit erhöht.
Im Vergleich zur 600-Volt-CFD-Technologie deutlich reduzierte Qg, verbessertes Schaltverhalten und wettbewerbsfähigerer Preis.
- Ich weiß.IPW65R110CFDAnwendungsbereiche
Die IPW65R110CFD ist für verschiedene Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Effizienz geeignet:
Innerhalb der Kommunikationsinfrastruktur, wie z. B. bei Mobilfunk-Basisstationen, trägt die hohe Effizienz dazu bei, die Betriebskosten zu senken und die Zuverlässigkeit des Systems zu erhöhen.
Server-Stromversorgungen stellen einen weiteren kritischen Anwendungsbereich dar, in dem der steigende Strombedarf von Rechenzentren einen dringenden Bedarf an einer effizienten Stromumwandlung schafft.
In den Bereichen der erneuerbaren Energien, wie z. B. Solarumrichter,IPW65R110CFDDie hohe Spannungsfähigkeit und Effizienz machen es zu einer idealen Wahl.
Die Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, insbesondere die Schnellladestationen, profitiert ebenfalls von der hohen Leistungskapazität und Effizienz dieses Geräts.
Darüber hinaus kann es in Anwendungen wie HID-Lampenballast, LED-Beleuchtung und elektrische Mobilitätslösungen eingesetzt werden.
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