Firmenblog über Infineon IPM018N10: 100V OptiMOSTM 5 Linear MOSFET, die höchste Leistungsdichte für den Warmwechsel und den Schutz der Batterie bietet

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. hält einen langfristigen Vorrat an originalen, auf Lager befindlichen Infineon IPM018N10/IPM018N10NM5LF2—ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit OptiMOS™ 5 Linear FET 2 Technologie. Mit einem Einschaltwiderstand von nur 1,7 mΩ, einem kontinuierlichen Drainstrom von bis zu 285 A und einem weiten sicheren Betriebsbereich (SOA) ist dieses Bauteil speziell für Schutzanwendungen konzipiert—wie z. B. Hot-Swapping, elektronische Sicherungen (e-Fuses) und Batteriemanagementsysteme (BMS)—, die hohe Stromspitzen aushalten müssen.

Produktübersicht: Der Maßstab für OptiMOS™ 5 Linear FET 2 Technologie

Der IPM018N10 gehört zur OptiMOS™ 5 Linear FET 2 Serie von Infineon und dient als Leistungsmaßstab für die 100V-Spannungsklasse innerhalb dieser Plattform. Das Bauteil verfügt über ein neues 8×8 mm mTOLG-Gehäuse (PG-HSOG-4-1), ist kompatibel mit 8×8 mm² geflügelten MOSFETs wie dem LFPAK88 und ist ein JEDEC-registriertes Standardgehäuse.

Die Kern-Designphilosophie dieses Produkts ist die Kombination aus extrem niedrigem Einschaltwiderstand und einem weiten sicheren Betriebsbereich (SOA), speziell optimiert für Schutzschaltungen, die Einschaltströme aushalten und im linearen Modus arbeiten müssen.

IPM018N10 Wichtige technische Spezifikationen

Drain-Source-Spannung (VDS): 100 V

Kontinuierlicher Drainstrom (ID): 285 A (Tc)

Einschaltwiderstand (RDS(on)): Max. 1,7 mΩ bei 100 A, 15 V

Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +175°C

Gehäusetyp: PG-HSOG-4-1 (8×8 mm mTOLG)

Gate-Ladung (Qg): 178 nC bei 10V

Eingangskapazität (Ciss): 14.000 pF bei 50V

IPM018N10 Wichtige Merkmale und Vorteile

Branchenführender Einschaltwiderstand: RDS(on) von nur 1,4 mΩ bis 1,7 mΩ, was die Leitungsverluste erheblich reduziert und die Energieeffizienz des Systems verbessert

Weiter sicherer Betriebsbereich (SOA): Hervorragende Linearbetriebsfähigkeit, sichere Handhabung von Einschaltströmen während des Starts und bei Fehlerbedingungen

Hohe Leistungsdichte: Erreicht 349 W Verlustleistung in einem kompakten 8×8 mm Gehäuse, was PCB-Platz erheblich spart

Optimierte Übertragungseigenschaften: Engerer Vgs(th)-Verteilungsbereich, verbesserte Stromaufteilung bei paralleler Verbindung mehrerer Bauteile

100% Lawinentest: Gewährleistet die Zuverlässigkeit des Bauteils unter rauen Betriebsbedingungen

Wichtige Anwendungen

Der IPM018N10 ist speziell als ideale Wahl für Überspannungsschutz und Hochleistungs-Schaltanwendungen konzipiert:

Batteriemanagementsystem (BMS): Wird für den Hauptkreisschutz und Vorkreisschaltungen in Akkupacks verwendet, um die Sicherheit und Zuverlässigkeit des Systems zu gewährleisten

Hot-Swap und elektronische Sicherungen (e-Fuses): Bietet sanfte Strombegrenzung und Kurzschlussschutz, verhindert zerstörerische Spannungs- oder Stromspitzen während des Hot-Swapping

Server-Netzteile (Server PSUs): Erfüllt die strengen Anforderungen von Rechenzentren an hocheffiziente, hochleistungsdichte Strommodule

Telekommunikationsinfrastruktur: Geeignet für Hot-Swap-Schutz und Stromwandlung in Stromversorgungen für Kommunikationsgeräte

Um ein Produktangebot, Muster oder Lagerinformationen anzufordern, kontaktieren Sie bitte Mingjiada Electronics:

Kontakt: Herr Chen

Telefon: 13410018555

E-Mail: +86 sales@hkmjd.com

Website: https://www.integrated-ic.com/

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