Firmenblog über Infineon IPL65R165CFD CoolMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistoren

Infineon IPL65R165CFD CoolMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistoren

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., als weltweit renommierter unabhängiger Distributor elektronischer Bauelemente liefert Original-IPL65R165CFD CoolMOS™ CFD2-Serien-Leistungstransistoren. Dieser 650-V-N-Kanal-MOSFET verwendet fortschrittliche Superjunction-Technologie und bietet hervorragende Leistung in Hochspannungsanwendungen.

【IPL65R165CFD Produktübersicht und technische Highlights】

Der IPL65R165CFD ist ein 650-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon Technologies, der die fortschrittliche CoolMOS™ CFD2-Technologie (Fast-Diode der zweiten Generation) verwendet. Als Nachfolger der 600-V-CFD-Technologie erzielt dieses Bauelement weitere Verbesserungen in der Energieeffizienz.

Als Superjunction-MOSFET integriert der IPL65R165CFD eine schnelle Body-Diode, wodurch die Schaltleistung und die Betriebszuverlässigkeit erheblich verbessert werden. Im Vergleich zu Konkurrenzprodukten bietet er ein weicheres Kommutierungsverhalten und eine überlegene elektromagnetische Interferenz (EMI)-Leistung, was in komplexen elektronischen Umgebungen besonders wichtig ist.

Der IPL65R165CFD verwendet ein PG-VSON-4-Gehäuse (auch bekannt als 4-PowerTSFN oder VSON-4-EP) mit den Abmessungen 8,1 x 8,1 mm. Es eignet sich für die Oberflächenmontagetechnik und bietet eine hervorragende Wärmeableitung und mechanische Stabilität.

【Detaillierte wichtige Leistungsparameter des IPL65R165CFD】

Die Leistungsparameter des IPL65R165CFD zeigen seine Vorteile in Leistungsschaltanwendungen:

Spannungs- und Stromkennwerte: Das Bauelement ist für eine Drain-Source-Spannung (Vdss) von 650 V ausgelegt, was einen Sicherheitsspielraum über den üblichen 600-V-Bauelementen bietet. Bei 25°C erreicht der Dauer-Drain-Strom (Id) 21,3 A, wodurch er erhebliche Leistung bewältigen kann.

Einschaltwiderstand: Bei einer Gate-Ansteuerspannung von 10 V und einem Teststrom von 9,3 A weist der IPL65R165CFD einen maximalen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von lediglich 165 mΩ auf. Dieser niedrige Einschaltwiderstand führt direkt zu reduzierten Verlusten durch Leitung, wodurch die gesamte Energieeffizienz des Systems verbessert wird.

Schalteigenschaften: Der IPL65R165CFD weist eine hervorragende Schaltleistung mit einer maximalen Gate-Ladung (Qg) von 86 nC (@10 V) und einer Eingangskapazität (Ciss) von 2340 pF (@100 V) auf. Geringe Gate-Ladung und Kapazität ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und reduzierte Ansteuerverluste.

Thermische Leistung: Der IPL65R165CFD erreicht eine maximale Verlustleistung von 195 W (Tc) und arbeitet über einen weiten Temperaturbereich von -40°C bis +150°C, wodurch er für verschiedene raue Betriebsumgebungen geeignet ist.

【IPL65R165CFD Technische und strukturelle Innovationen】

Die im IPL65R165CFD eingesetzte CoolMOS™ CFD2-Technologie bietet mehrere Innovationen:

Integrierte schnelle Body-Diode: Im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs integriert die CFD2-Technologie eine schnelle Body-Diode mit geringer Rückwärts-Erholungs-Ladung (Qrr) während des wiederholten Schaltens der Body-Diode. Dies reduziert die Schaltverluste erheblich und macht sie besonders geeignet für Resonanztopologie-Anwendungen.

Selbstbegrenzendes di/dt und dv/dt: Der IPL65R165CFD verfügt über inhärente Strom- und Spannungsanstiegsratenbegrenzungsfähigkeiten. Dies hilft, Überspannungen in praktischen Schaltungen zu begrenzen, die Abhängigkeit von externen Pufferkreisen zu reduzieren und das Systemdesign zu vereinfachen.

Geringe Ausgangsladung (Qoss): Die geringe Ausgangsladungscharakteristik minimiert die Schaltverzögerungszeit und erhöht das Potenzial der Schaltfrequenz. Dies ermöglicht es Designern, kleinere magnetische Bauelemente zu verwenden und so die Leistungsdichte zu erhöhen.

Enge RDS(on)-Verteilungsfenster: Die CFD2-Technologie liefert ein engeres Fenster zwischen maximalen und typischen Einschaltwiderstandswerten, wodurch eine größere Parameterkonsistenz in der tatsächlichen Produktion gewährleistet wird. Dies erhöht die Vorhersagbarkeit und Zuverlässigkeit im Systemdesign.

【IPL65R165CFD Anwendungsbereiche und Designvorteile】

Der IPL65R165CFD eignet sich für verschiedene Anwendungen, die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern:

Kommunikationsinfrastruktur: Server, Telekommunikations-Stromversorgungssysteme

Erneuerbare Energien: Solarwechselrichter

Industrieanwendungen: HID-Lampen-Vorschaltgeräte, Motorsteuerung

Unterhaltungselektronik: LED-Beleuchtungstreiber

Elektromobilität: Batterieladung, DC/DC-Wandler

In diesen Anwendungen ermöglichen die schnellen Schalteigenschaften und die geringen Schaltverluste des IPL65R165CFD den Betrieb von Systemen bei höheren Frequenzen. Dies reduziert die Größe und das Gewicht passiver Bauelemente und erhöht gleichzeitig die Leistungsdichte. Seine hervorragenden EMI-Eigenschaften vereinfachen das Filterdesign und unterstützen die Einhaltung strenger elektromagnetischer Verträglichkeitsstandards.

Für Entwickler von Netzteilen gewährleisten die relativ einfachen Ansteueranforderungen des IPL65R165CFD die perfekte Kompatibilität mit den EiceDRIVER™ 1EDN- und 2EDN-Gate-Treiberfamilien von Infineon, wodurch die Komplexität des Systemdesigns reduziert wird.