Firmenblog über INFINEON IPDD60R050G7 600V MOSFET-Transistoren mit N-Kanal-Leistung

INFINEONIPDD60R050G7600 V N-Kanal-MOSFET-Transistoren

Beschreibung des ProduktsIPDD60R050G7
IPDD60R050G7Das MOSFET mit 600 V CoolMOSTM G7 Superjunction (SJ) wird mit dem innovativen Konzept der Oberseite-Kühlung kombiniert.Bereitstellung einer Systemlösung für Hochstrom-Hard-Switching-Topologien wie PFC und einer High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.

Spezifikation vonIPDD60R050G7
Transistorpolarität:N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Abflussspannung: 600 V
Id - Dauerstrom: 47 A
Rds On - Abflusswiderstand: 50 mOhms
Vgs - Spannung der Torquelle:- 20 V, + 20 V
Vgs th - Grenzspannung der Torquelle:3 V
Qg - Torbelastung:68 nC
Mindestbetriebstemperatur: - 55 C
Höchstbetriebstemperatur: + 150 C
Pd - Leistungsausfall:278 W
Kanalmodus:Verstärkung
Konfiguration: Einfach
Fallzeit: 3 ms
Produktart:MOSFETs
Aufstiegszeit:6 ns
Typische Verzögerungszeit für die Abschaltung: 72 ms
Typische Anschaltverzögerungszeit:22 ms
Einheitsgewicht:763.560 mg

Merkmale derIPDD60R050G7
Gibt den besten FOM-RDS (on) x Eoss und RDS (on) x Qg
Innovatives Kühlkonzept auf der Oberseite
Eingebettete 4-Pin-Kelvin-Quellkonfiguration und geringe parasitäre Quellinduktivität
TCOB-Fähigkeit von >> 2.000 Zyklen, MSL1-konform und vollständig frei von Pb

Vorteile vonIPDD60R050G7
Höchste Energieeffizienz ermöglichen
Die thermische Entkopplung von Platten und Halbleitern ermöglicht es, die thermischen PCB-Grenzwerte zu überwinden
Die reduzierte Induktivität der parasitären Quelle verbessert die Effizienz und Benutzerfreundlichkeit
Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte
Übertreffen der höchsten Qualitätsstandards

AnwendungenIPDD60R050G7
Telekommunikation
Server
Sonnenenergie
PC-Leistung
SMPS
Lösungen für 1-phasige String-Wechselrichter
48 V Leistungsverteilung
DIN-Schienenstromversorgung
Wasserstoff-Elektrolyse
Telekommunikationsinfrastruktur

Ausführliche Ausführungen