Firmenblog über Infineon IPD70R600P7S 700V CoolMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET Transistor

Infineon IPD70R600P7S 700V CoolMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., als professioneller Anbieter elektronischer Komponenten bietet originale IPD70R600P7S Leistungs-MOSFETs an.

Der IPD70R600P7S 700V CoolMOS™ P7 Leistungs-MOSFET, ein N-Kanal-Transistor, der die Super-Junction-Technologie nutzt, bietet außergewöhnliche Schaltleistung und optimierte Systemkosten und ist damit die ideale Wahl für eine effiziente Stromumwandlung in Unterhaltungselektronik und Industrieanwendungen.

Der IPD70R600P7S erbt nicht nur die verlustarmen Eigenschaften der CoolMOS-Serie, sondern erzielt auch signifikante Durchbrüche in Bezug auf Benutzerfreundlichkeit und Systemintegration und bietet hervorragende Lösungen für Anwendungen wie Ladegeräte, Adapter und Beleuchtungssysteme.

【IPD70R600P7S Produktübersicht】

Die Infineon CoolMOS™ P7-Serie stellt einen bedeutenden Durchbruch in der Hochspannungs-Leistungs-MOSFET-Technologie dar. Diese Serie, die die von Infineon entwickelte Super-Junction-Technologie nutzt, ist speziell für kostenempfindliche Anwendungen im Bereich der Unterhaltungselektronik optimiert.

Als 700V-Bauelement innerhalb dieser Serie bietet der IPD70R600P7S ein ausgezeichnetes Gleichgewicht zwischen Wirtschaftlichkeit und Benutzerfreundlichkeit.

Der IPD70R600P7S 700V CoolMOS P7-Plattform zielt auf kostenempfindliche Anwendungen wie Mobiltelefonladegeräte, Netzteile, LED-Beleuchtung und Fernsehstromversorgungen ab.

Diese Anwendungen erfordern Stromumwandlungsgeräte, die mit hohen Schaltfrequenzen arbeiten können und gleichzeitig einen geringen Temperaturanstieg und eine hohe Zuverlässigkeit aufweisen.

Die CoolMOS P7-Technologie erreicht die höchsten Effizienzstandards und unterstützt Designs mit hoher Leistungsdichte, um Ingenieuren zu helfen, schlankere, kompaktere Stromversorgungslösungen zu realisieren.

【IPD70R600P7S Hauptparameter und elektrische Eigenschaften】

Der IPD70R600P7S zeichnet sich durch mehrere beeindruckende elektrische Eigenschaften aus, die ihn von seinen Mitbewerbern abheben.

Der IPD70R600P7S ist in einem TO-252-Gehäuse untergebracht und benötigt nur minimalen Platz auf der Leiterplatte, wodurch er sich für Leiterplattenentwürfe mit hoher Dichte eignet.

Spannungs- und Stromwerte: Mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von bis zu 700 V und einem Dauer-Drain-Strom (Id) von 8,5 A eignet er sich für verschiedene Hochspannungsanwendungsumgebungen.

Einschaltwiderstand: Unter Testbedingungen von 10 V Gate-Source-Spannung und 1,8 A beträgt der Einschaltwiderstand (RDS(on)) nur 600 mΩ, wodurch die Verlustleistung effektiv reduziert wird.

Gate-Ladungs-Eigenschaften: Eine Gate-Ladung (Qg) von 3,7 nC erreicht in Kombination mit einem niedrigen Einschaltwiderstand ein optimales Gleichgewicht zwischen Schaltleistung und Verlustleistung.

Betriebstemperaturbereich: Ein breiter Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +150°C gewährleistet einen stabilen Gerätebetrieb in verschiedenen rauen Umgebungen.

Der IPD70R600P7S MOSFET verfügt über einen Gate-Source-Spannungsbereich (Vgs) von ±16 V, was einen großen Ansteuerungsspielraum bietet. Er enthält außerdem eine integrierte ESD-Schutzdiode, die die Systemzuverlässigkeit und die Produktionsausbeute erhöht.

【IPD70R600P7S Strukturelle Merkmale und technische Innovationen】

Der IPD70R600P7S verwendet die siebte Generation der CoolMOS™-Technologie von Infineon und nutzt eine Super-Junction-Struktur, um die Leistungsgrenzen herkömmlicher MOSFETs zu überwinden.

Die Super-Junction-Technologie erreicht höhere Dotierungskonzentrationen und einen niedrigeren Einschaltwiderstand, indem sie verschachtelte p-Typ- und n-Typ-Säulen innerhalb der Driftregion einführt und gleichzeitig eine hohe Durchbruchspannung beibehält.

Im Vergleich zu früheren Generationen weist die P7-Serie sorgfältig optimierte Geräteparameter auf: Eoss und Qg werden um über 50 % reduziert, während Ciss und Coss ebenfalls gesenkt werden.

Diese Optimierung reduziert die Schaltverluste erheblich und ermöglicht eine überlegene Leistung in Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

Der IPD70R600P7S integriert außerdem eine Zenerdiode zum Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) mit einer ESD-Toleranz von über 2 kV. Dies reduziert ESD-bedingte Ausfälle während der Produktion erheblich und erhöht somit die Fertigungsausbeute.

【IPD70R600P7S Leistungsvorteile】

Ultrahohe Energieeffizienz

Durch den außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und die Gate-Ladung erzielt der IPD70R600P7S extrem niedrige Verluste und erfüllt die weltweit strengsten Energieeffizienzstandards wie Energy Star und die EU-Ökodesign-Richtlinie.

Überlegene thermische Leistung

Mit einer Verlustleistung von 43,1 W und hervorragenden thermischen Eigenschaften ermöglicht der IPD70R600P7S den Dauerbetrieb in Hochtemperaturumgebungen, wodurch die thermischen Anforderungen reduziert und das Wärmemanagement-Design vereinfacht wird.

Hohe Leistungsdichte

Schnelle Schaltfähigkeit und verlustarme Eigenschaften ermöglichen es, dass Netzteildesigns mit höheren Schaltfrequenzen arbeiten, wodurch die Größe passiver Komponenten wie Transformatoren und Filter erheblich reduziert wird.

Systemkostenoptimierung

Trotz seiner hervorragenden Leistung behält die CoolMOS P7-Serie eine wettbewerbsfähige Kostenstruktur bei. Durch die Reduzierung der Kosten für periphere Komponenten und das Wärmemanagement werden die gesamten System-BOM-Ausgaben gesenkt.

【IPD70R600P7S Typische Anwendungsszenarien】

Der IPD70R600P7S eignet sich für verschiedene Stromumwandlungsszenarien und zeigt insbesondere in Flyback-Topologien eine außergewöhnliche Leistung.

Ladegeräte und Adapter

Der IPD70R600P7S ist ideal für Stromversorgungsprodukte für Verbraucher wie Smartphone-Ladegeräte und Laptop-Netzteile. Seine hohe Schaltfrequenz ermöglicht kompaktere und schlankere Designs.

LED-Beleuchtungstreiber

In LED-TV-Hintergrundbeleuchtungstreibern und Allzweck-LED-Beleuchtungsnetzteilen gewährleisten die hohe Effizienz und die hervorragende thermische Leistung des IPD70R600P7S die langfristige Systemzuverlässigkeit.

Audio-SMPS

Der IPD70R600P7S eignet sich für Schaltnetzteile in professionellen Audiogeräten und Heimaudiosystemen, wobei seine rauscharmen Eigenschaften die Integrität des Audiosignals gewährleisten.

Hilfsstromversorgungen

Der IPD70R600P7S kann in Hilfsstromkreisen innerhalb von Industrie-Netzteilen eingesetzt werden und liefert stabile und zuverlässige Energie für Steuerschaltungen und Überwachungssysteme.