InfineonIPD50P04P4L-11P-Kanal-OptiMOSTM-P2-MOSFET-Transistoren für die Automobilindustrie
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.als weltweit bekannter Vertriebspartner für elektronische Komponenten, spezialisiert auf die Lieferung an InfineonIPD50P04P4L-11P-Kanal-OptiMOSTM-P2-MOSFET-Transistoren für Automobilindustrie. Diese leistungsstarken MOSFETs sind für Anwendungen in der Automobilelektronik konzipiert und verfügen über hohe Effizienz, geringe Verluste und hohe Zuverlässigkeit.Sie sind ideal für Anwendungen wie das Strommanagement von Elektrofahrzeugen geeignet., Batteriemanagementsysteme (BMS) und Bordladegeräte.
Produktübersicht vonIPD50P04P4L-11
IPD50P04P4L-11 ist ein P-Kanal-MOSFET in der OptiMOSTM-P2-Familie von Infineon, hergestellt mit fortschrittlicher Grabentechnologie mit folgenden Kernmerkmalen:
Spannungs- und Stromparameter: 40 V Spannung, 50 A Dauerstrom
Paket: PG-TO252-3 (DPAK) Paket, geeignet für PCB mit hoher Dichte
An-Widerstand: Sehr geringe RDS- ((an-) Eigenschaften, die Verluste im An-Zustand erheblich reduzieren.
Schaltleistung: Optimierte Torladung (Qg) und Ausgangskapazität (Coss) für eine hocheffiziente Schaltfunktion
Temperaturbereich: Breiter Betriebstemperaturbereich für Anwendungen im Automobilbereich
Produktvorteile vonIPD50P04P4L-11
1Ausgezeichnete elektrische Leistung.
IPD50P04P4L-11 verwendet die fortschrittliche OptiMOSTM-P2-Technologie von Infineon, die:
Niedrigere Einsatzwiderstände (RDS(on)) für geringere Leistungsverluste
Höhere Schaltfrequenz für eine höhere Systemeffizienz
Optimierte Karosserie-Dioden-Eigenschaften für eine verbesserte Leistungsfähigkeit der Umkehrrückgewinnung
Verbesserte thermische Leistung für eine höhere Leistungsdichte
2. Zuverlässigkeit für die Automobilindustrie
Als MOSFET für den Automobilbereich erfüllt der IPD50P04P4L-11 strenge Standards für die Automobilelektronik:
AEC-Q101-Zertifizierung zur Gewährleistung der Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen
Ausgezeichnete Schwingungs- und Stoßbeständigkeit
Hochtemperaturfähigkeit für den Motorraum und andere Hochtemperaturumgebungen
Langfristige Liefergarantie zur Erfüllung der Anforderungen an den Lebenszyklus von Fahrzeugprodukten
3. Weite Palette von Anwendungen
IPD50P04P4L-11 eignet sich für eine Vielzahl von elektronischen Automobilsystemen:
Elektrofahrzeuge/Hybridfahrzeuge: Bordladegeräte (OBC), Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler, Batteriemanagementsysteme (BMS).
Herkömmliche Automobilelektronik: elektrische Servolenkung (EPS), Kraftstoffeinspritzsystem, Wasserpumpe/Brennstoffpumpenregelung
Körperelektronik: intelligente Türschlösser, Sitzverstellung, Fenstersteuerung
Informations- und Unterhaltungssysteme: Energieverwaltung, Audioverstärker
Technische ParameterIPD50P04P4L-11
Polarität des Transistors: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Abflussspannung: 40 V
Id - Dauerstrom: 50 A
Rds On - Abflusswiderstand:17.2 mOhms
Vgs - Spannung der Torquelle:- 16 V, + 5 V
Vgs th - Grenzspannung der Torquelle:1.2 V
Qg - Torbelastung:45 nC
Mindestbetriebstemperatur: - 55 C
Höchstbetriebstemperatur: + 175 °C
Pd - Leistungsverlust:58 W
Fallzeit: 39 Sekunden
Höhe:2.3 mm
Längen:6.5 mm
Produktart:MOSFETs
Aufstiegszeit:9 ns
Typische Verzögerungszeit für die Abschaltung:46 ms
Typische Anschaltverzögerungszeit: 12 ms
Breite:6.22 mm
Einheitsgewicht: 330 mg
Anwendung vonIPD50P04P4L-11
1. Automobilstrommanagementsystem
Zu den typischen Anwendungen des IPD50P04P4L-11 in Fahrzeugstrommanagementsystemen gehören:
Lastschalter: zur Steuerung des Ein-/Ausschaltens von Hochstrombelastungen
Umgekehrter Polaritätsschutz: verhindert, dass die Batterie durch Schadensschaltkreise umgekehrt angeschlossen wird
Stromwegmanagement: nahtlose Schaltung in mehreren Stromnetzen
Vorladungsschaltkreis: Beschränkung des Kondensatorladestroms und Schutz der Kontaktoren
2. Motorantriebsanwendungen
Die IPD50P04P4L-11 eignet sich mit ihrer hohen Stromkapazität und ihrem geringen Stromwiderstand ideal für den Einsatz in:
Kleine Gleichstrommotorantriebe
Steuerung des Schrittmotors
Antriebe für Ventilatoren/Pumpen
Antriebe für Kraftsitze/Fenster
3. H-Brücken-Topologien
In H-Brücke-Schaltkreisen, die eine bidirektionale Steuerung erfordern, kann der IPD50P04P4L-11 mit N-Kanal-MOSFETs verwendet werden, um:
Steuerung von Gleichstrommotoren vorwärts und rückwärts
Elektromagnetische Ventilantrieb
Andere Anwendungen, die einen bidirektionalen Strom erfordern
Ansprechpartner: Mr. Sales Manager
Telefon: 86-13410018555
Faxen: 86-0755-83957753