Firmenblog über Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren

InfineonIPB60R045P7600V CoolMOSTM P7 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren

In der modernen Elektronikindustrie werden Leistungs-MOSFET-Transistoren als hocheffiziente Schaltgeräte in einer Vielzahl von Anwendungen wie Strommanagement,Steuerung und AutomobilelektronikDie CoolMOSTM P7-Serie von Infineon ist aufgrund ihrer hervorragenden Leistung und Zuverlässigkeit sehr beliebt.Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.als weltweit bekannter Händler von elektronischen Komponenten liefert Infineon seit langem IPB60R045P7 CoolMOSTM P7 N-Kanal-Power-MOSFET-Transistoren,Bereitstellung qualitativ hochwertiger Produkte und professioneller Dienstleistungen für Kunden.

InfineonIPB60R045P7Produktübersicht von CoolMOSTM P7

1. ProduktbeschreibungIPB60R045P7

IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600V CoolMOSTM P6-Serie.Die erstklassige RonxA und die inhärent niedrige Gate Charge (QG) der CoolMOSTM-Plattform der 7. Generation sorgen für eine hohe Effizienz.

2. SpezifikationenIPB60R045P7

Transistorpolarität: N-Kanal

Anzahl der Kanäle: 1 Kanal

Vds - Abflussspannung: 120 V

Id - Kontinuierlicher Abfluss: 61 A

Rds On - Abflusswiderstand: 45 mOhms

Vgs - Spannung der Torquelle: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Grenzspannung der Torquelle: 1.7 V

Qg - Torladung: 90 n. Chr.

Mindestbetriebstemperatur: - 55 °C

Höchstbetriebstemperatur: + 150 °C

Pd - Energieverlust: 201 W

Kanalmodus: Erweiterung

Ausstattung: Einzigartig

Herbstzeit: 5 ns

Aufstiegszeit: 5 ns

Typische Verzögerungszeit für die Abschaltung: 28 ns

Typische Verzögerungszeit des Einschaltens: 10 ns

Einheitsgewicht: 4 g

3. DieIPB60R045P7ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET-Transistor der CoolMOSTM P7-Serie von Infineon mit fortschrittlicher MOSFET-Technologie mit folgenden Hauptmerkmalen:

Hochspannungsfähigkeit: Die IPB60R045P7 verfügt über eine hohe Abflussspannung (Vdss) von bis zu 650 V, was sie für Hochspannungs-Anwendungsszenarien geeignet macht.

Niedriger Stromwiderstand: Der extrem niedrige Stromwiderstand des IPB60R045P7 reduziert die Leitverluste erheblich und verbessert die Gesamteffizienz.der Einschaltwiderstand (Rds On) beträgt nur 45 mOhm, wodurch der Stromverbrauch effektiv verringert wird.

Hohe Stromtragfähigkeit: Die IPB60R045P7 erfüllt hohe Leistungsanforderungen mit einem kontinuierlichen Abflussstrom (Id) von 48 A bei 25 °C.

Schnelle Schaltleistung: Dank der Superjunction-Technologie der CoolMOSTM P7-Plattformdie IPB60R045P7-Anlage hat für Hochfrequenz-Schaltanwendungen eine extrem geringe Torladung (QG) und Schaltverluste.

Breiter Temperaturbereich: Der IPB60R045P7 arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C in rauen Umgebungen.

Integrierter ESD-Schutz: Die eingebaute Zener-Diode des IPB60R045P7 bietet einen Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) von bis zu 2 kV und erhöht so die Zuverlässigkeit des Geräts.

Optimiertes Verpackungsdesign: Die IPB60R045P7 unterstützt eine Vielzahl von Verpackungen (z. B. D2PAK) für die Durch- und Oberflächenmontage, um den Anforderungen verschiedener Anwendungsszenarien gerecht zu werden.

4. Technische VorteileIPB60R045P7

Hocheffiziente Konstruktion: Die IPB60R045P7 erzielt eine höhere Effizienz durch Optimierung des Qualitätsfaktors (FOM) des RDS(on) und des QG,so dass es besonders für Hard- und Soft-Switching-Topologien wie PFC und LLC geeignet ist.

Einfache Bedienung: Der integrierte Torwiderstand (RG) reduziert die Schwingungsempfindlichkeit und vereinfacht den Konstruktionsfluss.Die geringe Klingelfrequenz und die hervorragende Robustheit der Karosserie-Diode reduzieren die Komplexität des Designs weiter..

Ausgezeichnete thermische Leistung: Durch geringe Schalt- und Leitverluste kann das Gerät in hochtemperaturartigen Umgebungen stabil funktionieren, was es für Konstruktionen mit hoher Leistungsdichte geeignet macht.

5,Eigenschaften und VorteileIPB60R045P7

600V P7 ermöglicht hervorragende FOM RDS (on) xEoss und RDS (on) xQG

Benutzerfreundlichkeit

ESD-Robustheit von ≥ 2kV (HBM-Klasse 2)

Ein integrierter Torwiderstand RG

mit einer Breite von nicht mehr als 15 mm

Breites Portfolio an Durchlöcher- und Oberflächenverpackungen

Sowohl Standard- als auch industrielle Teile sind erhältlich

Ausgezeichnete FOMs ermöglichen eine höhere Effizienz

Benutzerfreundlichkeit

Benutzerfreundlichkeit in Produktionsumgebungen durch Verhinderung von ESD-Fehlern

Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit

MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für Resonanzschalttopologien wie PFC und LLC

Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutation der Karosserie-Diode in der LLC-Topologie

geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und Ausgangsleistungen

Teile für Verbraucher- und Industrieanwendungen

6,Anwendungen vonIPB60R045P7

Industrielle Stromversorgungen: Dazu gehören Server-Stromversorgungen, Kommunikationsgeräte und industrielle SMPS, deren hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit den Bedürfnissen harter industrieller Umgebungen gerecht werden.

Verbraucherelektronik: Die IPB60R045P7 eignet sich für TV-Stromversorgungen, Adapter und Ladegeräte und trägt dazu bei, Miniaturisierung und hohe Leistungsziele zu erreichen.

Neue Energie: Die hohen Leistungsmerkmale und die geringen Verlustwerte des IPB60R045P7 sind in Solarumrichtern und Ladestationen für Elektrofahrzeuge vollständig unter Beweis gestellt.

7,Package-UmrisseIPB60R045P7