Firmenblog über Infineon IPA60R060P7 CoolMOS™ P7 N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor

Infineon IPA60R060P7 CoolMOS™ P7 N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., als weltweit renommierter Distributor elektronischer Bauelemente liefert Original-Infineon IPA60R060P7 CoolMOS™ P7 N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistoren. Dieser MOSFET verwendet fortschrittliche Super-Junction-Technologie (SJ) der 7. Generation und bietet eine ideale Lösung für Hochleistungs-Schaltnetzteilanwendungen.

【IPA60R060P7 Produktübersicht】

Der IPA60R060P7 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der in einem TO-220-3-Through-Hole-Gehäuse untergebracht ist. Dieses Bauelement verfügt über eine Drain-Source-Spannung (Vdss) von 600 V und einen Dauer-Drain-Strom von 48 A (@25°C).

Der maximale Einschaltwiderstand (RDS(on)) des IPA60R060P7 beträgt 60 mΩ (bei 10 V Ansteuerspannung und 15,9 A Testbedingungen). Dieser niedrige Einschaltwiderstand reduziert effektiv die Verlustleistung und erhöht die Systemeffizienz.

Der IPA60R060P7 weist eine Gate-Ladung (Qg) von nur 67 nC (@10 V) und eine Eingangskapazität (Ciss) von 2895 pF (@400 V) auf. Diese niedrigen Gate-Ladungs- und Kapazitätswerte führen zu reduzierten Schaltverlusten und geringeren Ansteueranforderungen, was eine hervorragende Leistung in Hochfrequenz-Schaltanwendungen ermöglicht.

Der IPA60R060P7 unterstützt eine maximale Gate-Source-Spannung (Vgs) von ±20 V, mit einer Schwellenspannung (Vgs(th)) von 3 V bis 4 V (typisch 3,5 V). Sein breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C macht ihn für Anwendungen unter verschiedenen Umgebungsbedingungen geeignet.

【CoolMOS™ P7 Technische Vorteile】

Infineons CoolMOS™ P7, der Nachfolger der 600V CoolMOS™ P6 Serie, erreicht ein perfektes Gleichgewicht zwischen hoher Effizienz und Benutzerfreundlichkeit während des Designprozesses.

Die CoolMOS™-Plattform der 7. Generation bietet erstklassiges RonxA und eine inhärent niedrige Gate-Ladung (QG), was eine hohe Systemeffizienz gewährleistet. Im Vergleich zu früheren Generationen und Wettbewerbern werden die Gate-Ladung Qg und Eoss um 30-60 % reduziert, wodurch die Ansteuer- und Schaltverluste deutlich gesenkt werden.

【IPA60R060P7 Technische Vorteile】

Der IPA60R060P7 integriert eine ESD-Diode (ab 180 mΩ und höher als RDS(on)) und einen Gate-Widerstand (RG), was die Robustheit des Bauelements erhöht. Der integrierte RG reduziert die Anfälligkeit des MOSFETs für Schwingungen, hilft ESD-Ausfälle zu verhindern und verbessert die Benutzerfreundlichkeit in Fertigungsumgebungen.

Der IPA60R060P7 MOSFET verwendet ein robustes Body-Diode-Design, das eine ausgezeichnete Robustheit bei der Body-Diode-Kommutierung innerhalb von LLC-Topologien aufweist. Er eignet sich für Hartschalt-Topologien wie PFC und LLC sowie für Resonanzschalt-Topologien.

1. Hohe Effizienz

Der IPA60R060P7 weist hervorragende Gütezahlen (FOM) auf, einschließlich RDS(on) × Eoss und RDS(on) × QG. Diese optimierten Parameter führen direkt zu einer höheren Systemeffizienz, insbesondere in Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

2. Verbesserte Benutzerfreundlichkeit

Der IPA60R060P7 enthält mehrere Funktionen, die die Designfreundlichkeit erheblich verbessern:

Integrierte ESD-Schutzdiode: Modelle ab 180 mN und höher RDS(on)s verfügen über eine integrierte ESD-Diode, die ESD-Ausfälle in Fertigungsumgebungen verhindert.

Integrierter Gate-Widerstand (RG): Reduziert die Anfälligkeit des MOSFETs für Schwingungen.

Robuste Body-Diode: Ermöglicht den MOSFET für Hartschalt-Topologien wie PFC und LLC sowie für Resonanzschalt-Topologien und zeigt eine ausgezeichnete Robustheit bei der Body-Diode-Kommunikation innerhalb von LLC-Konfigurationen.

3. Thermische Leistung und Zuverlässigkeit

Der IPA60R060P7 weist hervorragende thermische Eigenschaften auf und erreicht eine maximale Verlustleistung von 164 W (Tc=25°C). Sein breiter Betriebstemperaturbereich (-55°C bis 150°C) macht ihn für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.

【IPA60R060P7 Anwendungsbereiche】

Der IPA60R060P7 eignet sich für mehrere Stromversorgungsanwendungen, einschließlich, aber nicht beschränkt auf:

Fernsehgeräte: Bereitstellung einer effizienten Stromumwandlung für LCD- und Plasmafernseher.

Industrielle SMPS (Schaltnetzteile): Stromversorgungssysteme für industrielle Anwendungen.

Stromversorgungen für Server und Kommunikationsgeräte: Erfüllung der effizienten Stromanforderungen von Rechenzentren und Kommunikationsinfrastruktur.

Beleuchtungssysteme: Stromversorgungsdesigns für verschiedene hocheffiziente Beleuchtungsgeräte.

Adapter und Ladegeräte: Stromanpassungs- und Ladelösungen für verschiedene Geräte.

Der IPA60R060P7 wird auch ausgiebig in PC-Silverbox-Systemen, USV-Geräten (Unterbrechungsfreie Stromversorgung), Solaranwendungen, kleinen leichten Elektrofahrzeugen und DC-Elektrofahrzeug (EV)-Ladeszenarien eingesetzt.

Seine breite Anwendbarkeit und hervorragende Leistung machen den IPA60R060P7 zu einer idealen Wahl für Verbraucher- und Industrieanwendungen.