Firmenblog über Infineon stellt ein 650V CoolMOSTM N-Channel-MOSFET (IPW65R115CFD7A) für die Automobilindustrie vor

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. importierte Original-Infineon startet ein MOSFET für die Automobilindustrie (IPW65R115CFD7A) mit 650 V CoolMOSTM N-Channel-MOSFET für die Automobilindustrie SJ Power CFD7A

Beschreibung des Geräts

Der 115mOhm IPW65R115CFD7A in einem TO-247-Pin-Paket ist Teil der für die Automobilindustrie zertifizierten 650V CoolMOSTM SJ Power MOSFET CFD7A-Familie.Die CoolMOSTM CFD7A bietet eine höhere Zuverlässigkeit und Leistungsdichte mit verbesserter Designflexibilität.

Beschreibung der Merkmale

Konform mit der AEC-Q101-Zertifizierung

Batteriespannung bis 475 V ohne Beeinträchtigung der Zuverlässigkeitsstandards

Effizienzsteigerung von bis zu 98,4% bei Hard- und Soft-Switching-Topologien

Eigene schnelle Körperdiode Qrr 30% niedriger als CoolMOSTM CFDA

Produktattribute

Hersteller Infineon Technologies

Die Serien CoolMOSTM CFD7A

Verpackungsschläuche

Teilstatus zum Verkauf

FET-Typ N-Kanal

Technologie MOSFET (Metalloxid)

Auslaufspannung (Vdss) 650 V

Strom bei 25°C - Dauerdurchfluss (Id) 21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Bei Widerstand (Max) bei unterschiedlicher Id, Vgs 115 mOhm @ 9,7A, 10V

Vgs(th) bei unterschiedlichen Id (max) 4,5V @ 490μA

Schaltvorrichtung (Qg) bei Vgs (max) 41 nC @ 10 V

Vgs (maximal) ±20V

Eintrittskapazität (Ciss) bei unterschiedlichen Vds (max) 1950 pF @ 400 V

FET-Funktion -

Leistungsausfall (maximal) 114 W (Tc)

Betriebstemperatur -40 °C bis 150 °C (TJ)

Klasse Automobilklasse

Qualifikation AEC-Q101

Montageart durch Loch

Einheitliche Ausrüstungsgegenstände PG-TO247-3-41

Paket/Wohnung TO-247-3

Mögliche Anwendungen

Ladegeräte für Kraftfahrzeuge

Hard-Switching-Topologien (mit SiC-Dioden)

PFC-Boostphase

Gleichspannungsstufen für Ladegeräte für Fahrzeuge

HV-LV Gleichstrom-Gleichstromwandler

LLC oder vollständige Brückenphasenverschiebung (ZVS)

Hilfsnetzteile