Firmenblog über Infineon IMDQ75R008M1H Ein 750V CoolSiCTM Power MOSFET Transistor

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. stellt die Infineon vorImmer noch nicht.ein 750-Volt-MOSFET-Transistor mit CoolSiCTM-Leistung, ein hoch robustes SiC-MOSFET mit optimaler Systemleistung und Zuverlässigkeit.

Einige wesentliche Merkmale und Vorteile derImmer noch nicht.mit einer Breite von mehr als 20 mm,

• Hochstabile 750-Volt-TechnologieDieses MOSFET nutzt die CoolSiCTM-Technologie von Infineon, um eine stabile Betriebsspannung von 750 V zu liefern.
• Der beste RDS in seiner Klasse (on) x Qfr:Die IMDQ75R008M1H bietet die beste Leistung in ihrer Klasse in Bezug auf das Produkt von Widerstand und Torladung.
• Ausgezeichnete Ron x Qoss und Ron x QG:Ausgezeichnete Leistung im Produkt von Auf- und Ausgangsladung und Torladung.
• Niedrige Crss/Ciss und hohe Vgsth:mit geringer Rückwärtsübertragungskapazität und hoher Schwellenspannung.
• 100% Lawinentest:eine hohe Zuverlässigkeit des Geräts gewährleistet.
• XT-Verbindungstechnologie:Die beste thermische Leistung der Klasse bei Infineon.
• Hochmoderne Top-Kühlungsanlage:Er sorgt für eine effiziente Wärmeableitung.
• Ausgezeichneter Wirkungsgrad beim Hartschalten:Erreicht hohe Effizienz bei Hard-Switching-Anwendungen.
• Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen:Ermöglicht den Betrieb bei höheren Frequenzen, reduziert die Systemgröße und erhöht die Leistungsdichte.
• Höhere Zuverlässigkeit:Bietet höhere Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer.
• mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W,Fähig, höheren Busspannungen standzuhalten.
• Robuste bis parasitäre Wendungen:Bietet robuste Leistung für parasitäre Drehungen.
• Einpolarantrieb:Vereinfacht die Konstruktion der Antriebsschaltung.
• Best-in-Class-Wärmeverlust:Ausgezeichnete Leistung bei der Wärmeablösung.

AnwendungsbereicheImmer noch nicht.Dies umfasst Solid-State-Relays (SSRs), Einphasen-String-Wechselrichterlösungen, AC-DC-Leistungsumwandlung für Telekommunikationsinfrastrukturen, Energiespeichersysteme, Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge,und Server-StromversorgungDieses Siliziumcarbid-MOSFET-Monotube spielt mit seinen energieeffizienten Eigenschaften und seiner optimalen Zuverlässigkeit eine wichtige Rolle in einer Vielzahl anspruchsvoller Anwendungen für Leistungselektronik.

Immer noch nicht.Parameter:

• ID (@25°C) Max: 173 A
• Mindest- und Höchstbetriebstemperatur: -55 °C 175 °C
• Packung: Q-DPAK
• Polarität: N
• Genehmigungen: Industrie
• RDS (an) (@ Tj = 25°C): 7,8 mΩ
• Technologie: CoolSiCTM G1
• Höchstgeschwindigkeit: 750 V

URL der Firma:Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:

Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
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F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
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