Firmenblog über Infineon IKW25N120H3 Hochgeschwindigkeits-1200V 25A IGBT Transistoren mit Anti-Parallel-Diode

Infineon IKW25N120H3 Hochgeschwindigkeits-1200V-25A-IGBT-Transistoren mit Anti-Parallel-Diode

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., ein bekannter unabhängiger Distributor von elektronischen Bauelementen in der Branche, bietet den Infineon IKW25N120H3 Hochgeschwindigkeits-1200V-25A-IGBT-Transistor auf Lager an. Er verwendet fortschrittliche TRENCHSTOP™-Technologie und integriert eine antiparallele Diode.

Dieser IKW25N120H3 Baustein erreicht ein ausgezeichnetes Gleichgewicht zwischen Schalt- und Leitungsverlusten und ist damit besonders für Hochfrequenz-Hartschaltungsanwendungen geeignet. Er ist eine ideale Wahl für Anwendungen wie industrielle Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Schweißgeräte und Solarwechselrichter.

【IKW25N120H3 Produktübersicht】

Der IKW25N120H3 ist ein repräsentatives Produkt der vierten Generation der Hochgeschwindigkeits-TRENCHSTOP™-IGBT-Technologie von Infineon. Er ist in einem TO-247-3-Gehäuse untergebracht und integriert einen 1200V, 25A IGBT und eine Hochgeschwindigkeits-Antiparallel-Diode.

Dieses Design reduziert den Bedarf an externen Komponenten und verbessert die Systemintegration und Zuverlässigkeit.

Das bemerkenswerteste technische Merkmal des IKW25N120H3 Bauelements sind seine optimierten Schalteigenschaften. Er verwendet die Field-Stop-Trench-Technologie, die nicht nur einen niedrigen Sättigungsspannungsabfall (Vce(sat)) erreicht, sondern auch die Schaltverluste deutlich reduziert und einen effizienten Betrieb bei Frequenzen bis zu 70 kHz ermöglicht.

【IKW25N120H3 Analyse der wichtigsten Leistungsparameter】

Der IKW25N120H3 verfügt über mehrere beeindruckende elektrische Eigenschaften, die seine Leistung in Anwendungen direkt bestimmen:

Spannungs- und Stromspezifikationen: Kollektor-Emitter-Spannung (Vces) bis zu 1200 V, Dauer-Kollektorstrom (Ic) bis zu 50 A bei 25°C und 25 A bei 100°C, mit Impulsstromfähigkeit bis zu 100 A.

Leitungseigenschaften: Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) hat einen typischen Wert von 2,05 V (getestet bei 15 V Gate-Spannung und 25 A Kollektorstrom). Dieser niedrige Spannungsabfall in Durchlassrichtung trägt dazu bei, den Leistungsverlust im Leitungszustand zu reduzieren.

Schalteigenschaften: Die Einschaltverzögerungszeit (td(on)) beträgt nur 26 ns und die Ausschaltverzögerungszeit (td(off)) 277 ns. Solch schnelle Schaltgeschwindigkeiten machen ihn für Hochfrequenzanwendungen geeignet, aber Überspannungen und elektromagnetische Störungen müssen bei der Auslegung der Treiberschaltung berücksichtigt werden.

Schaltverluste: Die Einschaltenergie (Eon) beträgt 1,8 mJ und die Ausschaltenergie (Eoff) 0,85 mJ (unter Hartschaltungsbedingungen). Geringere Schaltverluste bedeuten direkt einen höheren Systemwirkungsgrad und einen geringeren Bedarf an Wärmemanagement.

Integrierte Diodenmerkmale: Die Rückwärtserholzeit (trr) der eingebauten Antiparallel-Diode beträgt 290 ns und die Durchlassspannung (VF) 2,4 V. Dies gewährleistet die Fähigkeit, induktive Lasten zu bewältigen.

Thermische Leistung: Die maximale Verlustleistung (Ptot) des Bauelements beträgt 326 W, mit einem Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +175°C. Der weite Temperaturbereich ermöglicht es, rauen Betriebsumgebungen standzuhalten.

【IKW25N120H3 Struktur- und Gehäusemerkmale】

Der IKW25N120H3 verwendet das Standard-TO-247-3-Durchgangslochgehäuse (auch bekannt als PG-TO247-3), das eine ausgezeichnete mechanische Festigkeit und thermische Leistung bietet.

Die Gehäuseabmessungen des IKW25N120H3 betragen: Länge 16,13 mm, Breite 5,21 mm, Höhe 21,1 mm². Dieses weit verbreitete Gehäuseformat erleichtert die Installation und Wärmeableitung und ist mit den meisten Standard-Kühlkörpern kompatibel.

Das IKW25N120H3-Bauelement wiegt etwa 5,42 Gramm. Die Verpackungsmaterialien entsprechen den RoHS- und bleifreien Standards und erfüllen die Umweltanforderungen. Das Innere der Verpackung verfügt über ein Kupfersubstrat und ein optimiertes internes Bonddrahtdesign, das eine ausgezeichnete Strombelastbarkeit und thermische Leitfähigkeitseffizienz gewährleistet.

【IKW25N120H3 Technische Merkmale und Vorteile】

Der IKW25N120H3 IGBT-Transistor kombiniert mehrere technische Vorteile:

Hochspannungsfähigkeit: 1200 V Kollektor-Durchbruchspannung, geeignet für Hochspannungsanwendungsumgebungen

Hohe Strombelastbarkeit: maximaler Dauer-Kollektorstrom bis zu 50 A, Impulsstrom bis zu 100 A

Geringe Verlustleistung: Kombiniert geringe Schaltverluste und geringe Leitungsverluste zur Verbesserung des Systemwirkungsgrads

Ausgezeichnete thermische Leistung: Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C, mit einer maximalen Nennleistung von 326 W

Schnelle Schalteigenschaften: Geeignet für Hochfrequenz-Schalt-Topologien über 20 kHz

Diese Eigenschaften machen den IKW25N120H3 zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen.

【IKW25N120H3 Anwendungsbereiche】

Der IKW25N120H3 eignet sich für eine Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen, insbesondere für solche, die hohe Schaltfrequenzen und einen hohen Wirkungsgrad erfordern:

Industrielle Motorantriebe: Wird als Leistungsschaltelement in Frequenzumrichtern und Servoantrieben verwendet, seine hohe Schaltfrequenz unterstützt eine hochpräzise Motorsteuerung.

Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV): Besonders geeignet für die Wechselrichter- und Gleichrichterabschnitte von Online-USV-Systemen, wodurch der Energieumwandlungswirkungsgrad verbessert wird.

Schweißgeräte: Wird im Leistungsumwandlungsabschnitt von Inverter-Schweißmaschinen verwendet, wo hohe Frequenzen kleinere Transformatoren ermöglichen.

Solarwechselrichter: Geeignet für die DC-AC-Umwandlungsstufe von String-Photovoltaik-Wechselrichtern, mit hoher Spannungsfähigkeit, um die Spannungsanforderungen von Photovoltaik-Strings zu erfüllen.

Schaltnetzteile (SMPS): Besonders geeignet für Hochfrequenz-Leistungsumwandlungsstufen in Hochleistungs-Kommunikationsnetzteilen und Servernetzteilen.