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Firmenblog über Infineon IGBT Modul FP50R12W2T7 EasyPIMTM 2B 1200V/50A 7. Generation TRENCHSTOPTM IGBT7 Leistungsmodul

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Infineon IGBT Modul FP50R12W2T7 EasyPIMTM 2B 1200V/50A 7. Generation TRENCHSTOPTM IGBT7 Leistungsmodul
Neueste Unternehmensnachrichten über Infineon IGBT Modul FP50R12W2T7 EasyPIMTM 2B 1200V/50A 7. Generation TRENCHSTOPTM IGBT7 Leistungsmodul

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. spezialisiert sich auf die Lieferung des gesamten Sortiments an Infineon IGBT-Leistungsmodulen. Wir haben derzeit brandneue, originale FP50R12W2T7-Module auf Lager. Dies ist ein dreiphasig eingangsseitig gleichgerichtetes PIM (Power Integrated Module), das die TRENCHSTOP™ IGBT7-Technologie der siebten Generation verwendet und speziell für industrielle Anwendungen wie Motorantriebe, Hilfsinverter und Klimaanlagen entwickelt wurde. Es zeichnet sich durch einen extrem niedrigen Sättigungsspannungsabfall, eine Überlastfähigkeit von 175°C und die PressFIT-Crimptechnologie aus.

 

FP50R12W2T7 Produktübersicht

Der FP50R12W2T7 ist ein Infineon EasyPIM™ 2B Dreiphasen-PIM (Power Integrated Module), basierend auf der TRENCHSTOP™ IGBT7-Grabenfeld-Stop-Technologie der siebten Generation. Spezifikationen: 1200V/50A. Integriert IGBTs, schnelle Dioden und NTC-Temperatursensoren in einer einzigen Einheit. Speziell für industrielle Frequenzumwandlung, Servosysteme, USV und erneuerbare Energieanlagen entwickelt, bietet er geringe Verluste, hohe Überlastkapazität und lange Lebensdauer.

 

Spezifikationen

Hersteller: Infineon

Modell: FP50R12W2T7 (FP50R12W2T7_B11)

Gehäuse: EasyPIM™ 2B (56,7×48mm)

Spannung / Strom: VCE = 1200V, IC = 50A (100A Spitze)

IGBT-Technologie: TRENCHSTOP™ IGBT7 (7. Generation Trench Gate)

Sättigungsspannungsabfall: VCE(sat) = 1,5V @ 25°C (geringe Verluste)

Diode: 7. Generation emittergesteuerte schnelle Diode

Betriebstemperatur: -40°C bis +175°C (hohe Überlastung)

Isolationsspannung: 2,5 kV AC / 1 Minute

Integriert: NTC-Thermistoren (Temperaturerfassung)

Montage: PressFIT-Crimpstifte, einfach zu montieren, hohe Zuverlässigkeit

 

FP50R12W2T7 Merkmale

• Elektrische Eigenschaften

- VCES = 1200 V

- IC nom = 50 A / ICRM = 100 A

- Trench-Gate IGBT7

- Überlastbetrieb bis 175°C

- Niedriger VCEsat

• Mechanische Eigenschaften

- Substrat mit geringem thermischen Widerstand Al₂O₃

- Schweißtechnologie

- Hohe Leistungsdichte

- Kompaktes Design

- 2,5 kV AC 1-Minuten-Isolation

 

FP50R12W2T7 Empfohlene Anwendungen

• Klimaanlagen

• Hilfsinverter

• Motorantriebe

 

Gehäuseübersicht

Der FP50R12W2T7 ist in einem Infineon EasyPIM™ 2B Standard-Leistungsmodulgehäuse mit folgenden Spezifikationen untergebracht:

Gehäuseabmessungen (L × B): 56,7 mm × 48 mm

Höhe: 12 mm

Leitungstyp: PressFIT (FP50R12W2T7_B11 Version) oder gelötete Leitungen (FP50R12W2T7 Standardversion)

Substratmaterial: Al₂O₃ Aluminiumoxidkeramik

Montagemethode: Oberflächenmontage / Durchsteckmontage kompatibel

 

Alle von Mingjiada Electronics gelieferten Produkte sind brandneu, echt und authentisch, was die Chipqualität sicherstellt und nicht-echte Quellen wie überholte, gefälschte oder lose verpackte Waren ausschließt. Ob Sie Muster, Kleinserienkäufe oder Lieferungen für die Großserienproduktion benötigen, Mingjiada Electronics kann flexible Lieferlösungen und hochgradig wettbewerbsfähige Preise anbieten.

 

Kontaktinformationen:

Ansprechpartner: Herr Chen

Telefon: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Website: https://www.integrated-ic.com/

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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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