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Firmenblog über Infineon CYEL18V2563-200BKXE Low-Power High Bandwidth Pseudostatic RAM Speicher

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Infineon CYEL18V2563-200BKXE Low-Power High Bandwidth Pseudostatic RAM Speicher
Neueste Unternehmensnachrichten über Infineon CYEL18V2563-200BKXE Low-Power High Bandwidth Pseudostatic RAM Speicher

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. liefert und recycelt den Infineon CYEL18V2563-200BKXE Low-Power, High-Bandwidth Pseudo-Static RAM.

 

I. CYEL18V2563-200BKXE Produktübersicht

Der CYEL18V2563-200BKXE ist ein 256 Mbit strahlengehärteter Pseudo-Static Random-Access Memory (pSRAM/HYPERRAM 2.0), der von Infineon für den kommerziellen NewSpace-Sektor und für hochzuverlässige, extreme Betriebsbedingungen entwickelt wurde; er gehört zur Produktfamilie KS-3. Das Gerät nutzt intern eine hochdichte DRAM-Speicherarchitektur, während es extern eine serielle SRAM-Schnittstelle präsentiert, die die Vorteile von DRAM mit hoher Kapazität mit den einfachen Steuereigenschaften von SRAM kombiniert; Ausgestattet mit einer Octal xSPI (Eight-Line SPI) DDR-Hochgeschwindigkeitsschnittstelle und einem 1,8-V-Low-Voltage-Kern, erzielt er eine dreifache Kombination aus hoher Bandbreite, geringem Stromverbrauch und starker Strahlenbeständigkeit in einem Miniatur-24-Ball-FBGA-Gehäuse. Er wurde speziell für Low Earth Orbit (LEO) Satelliten-Nutzlasten, On-Board-Datenverarbeitung und hochzuverlässige Luft- und Raumfahrtgeräte entwickelt und optimiert effektiv Systemgröße, Gewicht, Stromverbrauch und Gesamtkosten (SWaP-C).

 

II. CYEL18V2563-200BKXE Wichtige elektrische Spezifikationen

Speicherkapazität: 256 Mbit

Kommunikationsschnittstelle: Octal xSPI (Octal SPI, x8) DDR-Schnittstelle

Taktfrequenz: 200 MHz DDR, Spitzenbandbreite bis zu 1,6 Gbit/s

Betriebsspannung: 1,8 V (1,7 V – 2,0 V)

Gehäusetyp: PG-BGA-24 (24-Ball FBGA, 6 mm × 8 mm), bleifreier Sn/Ag/Cu-Kugelprozess, konform mit RoHS-Standards

Betriebstemperatur: Weiter Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Herstellungsprozess: 25 nm DRAM-Prozess

Chip Select Konfiguration: Unterstützt Einzel-Chip-Select-Steuerung, vereinfacht das Hardware-Routing

 

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III. CYEL18V2563-200BKXE Strahlengehärtete Zuverlässigkeitsfunktionen (Kernvorteil in der Luft- und Raumfahrt)

Entwickelt mit Strahlenhärtung, um kosmische Strahlung und ionisierende Strahlung im Weltraum zu widerstehen, und erfüllt die Anforderungen für den langfristigen Betrieb von LEO-Konstellationssatelliten im Orbit:

 

Gesamtdosis ionisierender Strahlung (TID): 100 krad (Si), übertrifft Flash- und FRAM-Speichergeräte auf derselben Plattform;

Single-Event Latch-Up (SEL): SEL-Widerstand > 58 LET (bei 125 °C Betriebsbedingungen), reduziert das Risiko eines abnormalen Chip-Latch-Ups in Weltraumumgebungen;

Standardisierte Chargenkontrolle: Unterstützt Single-Batch-Datumscode (SLDC), 100% Abdeckung in der Endprüfung, und Bereitstellung eines Konformitätszertifikats (CoC) und eines Berichts zur Akzeptanz von Strahlungschargen mit der Lieferung;

Zertifizierung: Konform mit der AEC-Q100 Automobil-Zuverlässigkeitszertifizierung und abwärtskompatibel mit High-End-Militär- und extremen Industrieanwendungen.

 

IV. CYEL18V2563-200BKXE Low-Power-Management-Mechanismen

Der Chip verfügt über intelligente Multi-Level-Strommanagement-Modi, die für energiebeschränkte Systeme an Bord von Satelliten maßgeschneidert sind:

Hybrid-Schlafmodus: Reduziert den statischen Stromverbrauch erheblich, während eine optionale lokale Array-Selbsterfrischung beibehalten wird;

Deep Power-Down-Modus: Geht in einen Ultra-Low-Leakage-Zustand über;

Neue partitionierte Selbsterfrischungstechnologie: Unterstützt verschiedene Erfrischungsstrategien, einschließlich 1/8, 1/4, 1/2 und vollständiger Array-Erfrischung, wodurch die Notwendigkeit einer kontinuierlichen Erfrischung des gesamten Speicherbereichs entfällt und der Standby-Stromverbrauch dynamisch reduziert wird;

Konfigurierbare Ansteuerstärke: Software-einstellbare I/O-Ausgangsansteuerpegel, die einen flexiblen Kompromiss zwischen Signalintegrität und Stromverbrauch ermöglichen.

 

V. CYEL18V2563-200BKXE Schnittstellen- und Datenübertragungsmerkmale

Octal xSPI Achtkanal-DDR-Architektur, die eine signifikante Erhöhung der Bandbreite im Vergleich zu herkömmlichen Vier-Draht-SPI bietet:

Bidirektionale Taktsynchronisierte Übertragung; Lese- und Schreibtransaktionen unterstützen lineare und gewickelte Burst-Modi;

Unterstützt verschiedene Burst-Längen, einschließlich 16B, 32B, 64B und 128B, mit konfigurierbaren Hybrid-Burst-Modi;

Ausgestattet mit RWDS (Read/Write Data Select) Signalen zur Gewährleistung der Timing-Stabilität während der Hochgeschwindigkeitskommunikation, was ihn ideal für Image-Caching, Datenstrom-Pufferung und Echtzeit-Signalverarbeitung macht;

Eine serielle Lösung mit geringer Pin-Anzahl, die die Anzahl der benötigten Controller-Pins im Vergleich zu parallelem SRAM erheblich reduziert und die Belastung der On-Board-Prozessor-I/O-Ressourcen verringert.

 

VI. Typische Anwendungsszenarien für den CYEL18V2563-200BKXE

Luft- und Raumfahrt NewSpace (Primärmarkt)

Hochgeschwindigkeits-Daten-Caching für LEO (Low Earth Orbit) Satelliten und CubeSat-Nutzlasten

Temporäre Speicherung von On-Board-Fernerkundungsbildern und Kommunikationsbasisbandsignalen

Erweiterungsspeicher für Satelliten-Missionscomputer und Lageregelungseinheiten

High-End, High-Reliability Industrie / Luft- und Raumfahrt

Echtzeit-Caching für Telemetrie- und Steuerausrüstung in der Luft und unbemannte Luftfahrzeuge

Feld-Telemetrie- und Steuerungssysteme mit weiter Temperaturspanne; On-Board-Computing-Speicher für High-End-Roboter

Hochzuverlässige Edge-Datenpufferung für Kommunikationsbasisstationen

 

VII. Zusammenfassung des Kernwerts des CYEL18V2563-200BKXE Produkts

Der CYEL18V2563-200BKXE schließt eine Lücke im kommerziellen Weltraummarkt für hochkapazitive, schnelle serielle, strahlengehärtete RAMs. Im Vergleich zu herkömmlichem parallelem strahlengehärtetem SRAM verfügt er über weniger Pins und einen kleineren PCB-Footprint; im Vergleich zu nichtflüchtigem Speicher bietet er eine höhere anhaltende Lese-/Schreibbandbreite, was ihn für temporäre Rechen-Caches geeignet macht; mit einer Strahlenbelastbarkeit von 100 krad TID, Multi-Level-Strommanagement und einer 200 MHz DDR 8-Draht-xSPI-Schnittstelle ist er zur bevorzugten erweiterbaren Speicherlösung für CubeSats der nächsten Generation und Satellitenkonstellations-Nutzlasten geworden.

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