Firmenblog über Infineon BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOSTM N-Channel Power MOSFET--Mingjiada Electronics Originallieferung

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.spezialisiert auf die Lieferung von Original-Import-InfineonDie in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.250 V OptiMOSTM N-Kanal-MOSFETs mit hohem Wirkungsgrad, geringem Widerstand,und schnelle Schaltmerkmale in fortschrittlicher PowerTDFN-8-Paketechnologie für eine breite Palette von Anwendungen im StrommanagementDer BSZ42DN25NS3G ist ein Hochleistungs-MOSFET aus der OptiMOSTM-Familie von Infineon, optimiert für Anwendungen wie 48V-Systeme, Gleichspannungs-Gleichspannungsumrichter und UPS.

ProduktübersichtDie in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.:
Der BSZ42DN25NS3G ist ein N-Kanal-Verstärkungs-MOSFET mit 250 V Abfluss-Quellen-Widerstandsspannung (VDSS) und 5 A kontinuierlichem Abflussstrom (ID) in einem PG-TSDSDSON-8-Paket mit nur 3,3 x 3,3 mm,mit einer Dicke von mehr als 10 μm,. Mingjiaoda Electronics garantiert, dass die gelieferten BSZ42DN25NS3G original und echt sind, mit vollem technischen Support und Musterservice zur Verfügung.

Wesentliche MerkmaleDie in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.:
Niedriger Widerstand:Der geringe Ansprechwiderstand des BSZ42DN25NS3G reduziert den Leitverlust effektiv, verbessert die Umwandlungseffizienz und zeichnet sich bei Hochstromanwendungen aus.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit:Die hervorragende Schaltgeschwindigkeit des BSZ42DN25NS3G reduziert Schaltverluste und verbessert die Systemeffizienz, was es besonders für Hochfrequenz-Schaltanwendungen geeignet macht.
Hohe Betriebstemperatur: Die BSZ42DN25NS3G ist für den Betrieb bei bis zu 150°C ausgelegt und ermöglicht einen stabilen Betrieb in rauen Bedingungen.
Bleifreies Plattieren:Der BSZ42DN25NS3G ist mit einer bleifreien Beschichtung beschichtet, die RoHS-konform und halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 ist.
Strahlungsbeständigkeit:Der BSZ42DN25NS3G ist gut strahlungsbeständig und eignet sich für den Einsatz in rauen Betriebsumgebungen wie Luft- und Raumfahrt und Industrie.
Kompakte Verpackung:Der BSZ42DN25NS3G ist in einem PowerTDFN-8-Paket erhältlich, das kompakt, platzsparend und einfach zu installieren ist.

SpezifikationenDie in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.:
Ausläuferspannung (Vdss): 250 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (Id): 5A
Anschlusswiderstand (RDS ((an)): 425mΩ@10V, 2,5A
Leistung (Pd): 33,8 W
Schwellspannung (Vgs ((th)): 4V@13uA
Eintrittskapazität (Ciss): 430pF@100V
Ausgangskapazität (Coss): 28pF@100V
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): 70 ns
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C

Typische Anwendungen
DieDie in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.ist weit verbreitet in:
Synchrone Berichtigung von Wechselstromversorgungen
Motorsteuerung für 48V-110V-Systeme
mit einer Leistung von mehr als 1000 W
Ununterbrochene Stromversorgung (UPS)
HID-Beleuchtung und Audioverstärker der Klasse D

Als professioneller Anbieter von elektronischen Komponenten verfügt Mingjiada Electronics über ein langfristig stabiles Angebot an BSZ42DN25NS3G mit ausreichendem Lagerbestand, um kleine Proben und große Beschaffungsbedürfnisse zu decken..

Für weitere Informationen oder zum KaufDie in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.Bitte kontaktieren Sie Mingjiada Electronics, Tel: +86 13410018555, E-Mail: sales@hkmjd.com.