Firmenblog über INFINEON 2EDN8534F Dual-Channel Low-Side EiceDRIVER™ Gate-Treiber für MOSFETs und WBG-Schalter

INFINEON 2EDN8534F Dual-Channel Low-Side EiceDRIVER™ Gate-Treiber für MOSFETs und WBG-Schalter

In modernen elektronischen Gerätedesigns sind effiziente und stabile Gate-Treiber entscheidend für Stromwandlungssysteme. Der Infineon 2EDN8534F Dual-Channel Low-Side EiceDRIVER™ Gate-Treiber ist speziell für das Ansteuern von MOSFETs und Wide-Bandgap-Leistungsschaltern optimiert.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., als professioneller Anbieter elektronischer Komponenten bietet die 2EDN8534F Dual-Channel Low-Side EiceDRIVER™ Gate-Treiber-Lösung an. Dieser Treiber verbessert die Systemeffizienz und -zuverlässigkeit erheblich mit bis zu ±5A Source/Sink-Strom und einer typischen Laufzeit von 19 ns.

【2EDN8534F Produktpositionierung und Kernmerkmale】

Der 2EDN8534F gehört zur EiceDRIVER™ 2EDN-Serie von Infineon und stellt eine bedeutende Ergänzung der bestehenden 2EDN-Treiberproduktlinie dar.

Der 2EDN8534F wurde entwickelt, um die Anforderungen moderner Leistungselektroniksysteme nach höherer Effizienz, außergewöhnlicher Leistungsdichte und anhaltender Systemrobustheit zu erfüllen.

Als Dual-Channel-Low-Side-Treiber liefert der 2EDN8534F Spitzen-Sink- und Source-Ströme von bis zu 5 A für kapazitive Lasten und zeichnet sich durch eine schnelle Schaltreaktion mit einer typischen Anstiegszeit von 8,6 ns und einer Fallzeit von nur 6 ns aus.

Diese Eigenschaften machen den 2EDN8534F sehr gut geeignet für das Ansteuern von Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFETs und Schaltelementen auf Basis von Wide-Bandgap-Materialien.

Der 2EDN8534F arbeitet innerhalb eines Versorgungsbereichs von 4,5 V bis 20 V und unterstützt sowohl 4 V als auch 8 V Unterspannungssperr- (UVLO-) Optionen, wodurch ein transienter UVLO-Schutz für Leistungsschalter unter anormalen Bedingungen gewährleistet wird.

【Wichtige technische Parameter und Leistung des 2EDN8534F】

Der 2EDN8534F verwendet eine nichtinvertierende Konfiguration und den CMOS-Logiktyp mit Eingangs-Schwellenspannungen VIL von 1,4 V und VIH von 1,9 V, wodurch die Kompatibilität mit Standard-Steuerschaltungen gewährleistet wird.

Seine Laufzeit beträgt typischerweise nur 19 ns, mit einer Laufzeitgenauigkeit von +6/-4 ns, was eine hervorragende Leistung für einen Dual-Channel-Treiber darstellt.

Um die Systemzuverlässigkeit zu erhöhen, beinhaltet der 2EDN8534F mehrere Schutzfunktionen:

Aktives Ausgangsspannungs-Clamping erreicht typischerweise ein Clamping innerhalb von 20 ns,

-12 V Eingangsrobustheit und 5 A Rückstromrobustheit,

Ein schneller UVLO-Reaktionsmechanismus, der die Reaktionsgeschwindigkeit von Start- und Hochlastmodi auf die UVLO-Funktionalität verdoppelt.

Der 2EDN8534F verwendet ein 8-Pin-DSO-Gehäuse (PG-DSO-8) mit SMD/SMT-Bestückung, das für die automatisierte Produktion geeignet ist. Sein Betriebstemperaturbereich liegt zwischen -40°C und +150°C, was den Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen ermöglicht.

【2EDN8534F Wide-Bandgap-Technologie-Kompatibilität】

Da die Wide-Bandgap-Halbleitertechnologie in der Leistungselektronik immer weiter verbreitet ist, benötigen Gate-Treiber spezielle Eigenschaften, um dazu zu passen. Der 2EDN8534F ist speziell für das Ansteuern von SiC- und GaN-Leistungsschaltern optimiert.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten Bauelementen bieten Wide-Bandgap-Halbleiter höhere Betriebsfrequenzen, eine größere Temperaturtoleranz und geringere Schaltverluste.

Diese Vorteile stellen jedoch höhere Anforderungen an Gate-Treiber: schnellere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Laufzeiten und eine verbesserte Störfestigkeit.

Der 2EDN8534F Rail-to-Rail-Ausgang, die extrem geringe Laufzeit (typischerweise 19 ns) und die hohe Störfestigkeit machen ihn hervorragend geeignet für das Ansteuern von WBG-Bauelementen.

Die 5 A Spitzenstromfähigkeit des 2EDN8534F gewährleistet ein schnelles Laden und Entladen der WBG-Bauelement-Eingangskapazität und minimiert so die Schaltverluste.

【2EDN8534F Anwendungsbereiche und Designwert】

Der 2EDN8534F eignet sich für verschiedene Leistungselektronikanwendungen, darunter:

Server- und Telekommunikationsausrüstung

DC-DC-Wandler und industrielle SMPS (Switch-Mode Power Supplies)

Elektrowerkzeuge und leichte Elektrofahrzeuge (LEV)

Solarwechselrichter und LED-Beleuchtung

Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Motorsteuerung

Innerhalb dieser Anwendungen ermöglicht der 2EDN8534F Ingenieuren, eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte zu erzielen, indem die Anzahl der externen Komponenten reduziert und Designraum gespart wird.

Seine schnelle aktive Ausgangs-Clamping-Funktion (typischerweise innerhalb von 20 ns erreicht) verbessert die Systemrobustheit unter anormalen Betriebsbedingungen weiter.

Für Anwendungen, die eine strenge Dual-Gate-Ansteuerungszeit erfordern, wie z. B. die synchrone Gleichrichtung, bieten die angepasste interne Laufzeit zwischen den Kanälen erhebliche Vorteile.

Dies ermöglicht den Parallelanschluss beider Kanäle, um die Stromtreiberfähigkeit effektiv zu erhöhen, oder die Verwendung eines einzelnen Eingangssignals, um zwei parallele Schalter anzusteuern.

【Vergleichsvorteile des 2EDN8534F gegenüber herkömmlichen Treibern】

Im Vergleich zu Standard-Gate-Treibern weist der 2EDN8534F in mehreren Aspekten deutliche Vorteile auf:

In Bezug auf die Schaltleistung liefert der 2EDN8534F eine Anstiegszeit von 8,6 ns und eine Fallzeit von 6 ns und übertrifft damit viele vergleichbare Produkte.

Für die Systemintegration reduziert der 2EDN8534F die Komplexität und die Kosten, indem er externe Komponenten wie NPN/PNP-Transistoren und externe Bootstrap-Dioden eliminiert.

In Bezug auf die Robustheit bieten seine -12 V Eingangs-Immunität und die 5 A Rückstromtoleranz einen verbesserten Systemschutz.

In Bezug auf die Leistungsdichte verwendet der 2EDN8534F ein kompaktes Gehäusedesign, das verschiedene raumbegrenzte Anwendungen unterstützt.

Darüber hinaus stellt der schnelle UVLO-Reaktionsmechanismus des 2EDN8534F sicher, dass das System sicher heruntergefahren werden kann, bevor es in die Unterspannungssperre eintritt, wodurch die Störfestigkeit und Stabilität des Systems erheblich verbessert werden.